AEC-Q100認證是什么？

AEC-Q100對IC的可靠性測試可細分為加速環境應力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學參數驗證、缺陷篩查、包裝完整性試驗，且需要根據器件所能承受的溫度等級選擇測試條件。需要注意的是，第三方難以獨立完成AEC-Q100的驗證，需要晶圓供應商、封測廠配合完成，這更加考驗對認證試驗的整體把控能力。廣電計量將根據客戶的要求，依據標準對客戶的IC進行評估，出具合理的認證方案，從而助力IC的可靠性認證。

如果成功完成根據本文件各要點需要的測試結果，那么將允許供應商聲稱他們的零件通過了AEC Q100 認證。供應商可以與客戶協商，可以在樣品尺寸和條件的認證上比文件要求的要放寬些，但是只有完成要求實現的時候才能認為零件通過了AEC Q100 認證。

GRGT芯片測試能力：芯片可靠性驗證 ( RA)；芯片級預處理(PC) & MSL試驗 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；高溫存儲試驗(HTSL), JESD22-A103 ；溫度循環試驗(TC), JESD22-A104 ；溫濕度試驗(TH / THB), JESD22-A101 ；高加速應力試驗(HTST / HAST), JESD22-A110；高溫老化壽命試驗(HTOL), JESD22-A108。

芯片靜電測試 ( ESD)：人體放電模式測試(HBM), JS001 ；元器件充放電模式測試(CDM), JS002 ；閂鎖測試(LU), JESD78 ；芯片IC失效分析 ( FA)：光學檢查(VI/OM) ；掃描電鏡檢查(FIB/SEM)；微光分析定位(EMMI/InGaAs)；OBIRCH ；Micro-probe；聚焦離子束微觀分析(FIB)；彈坑試驗(cratering)；芯片開封(decap)；芯片去層(delayer)。

晶格缺陷試驗(化學法)，PN結染色 / 碼染色試驗，推拉力測試(WBP/WBS)，紅墨水試驗，PCBA切片分析(X-section)。

芯片材料分析：高分辨TEM (形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF)；SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD)；Raman (Raman光譜)；AFM (微觀表面形貌分析、臺階測量)。

AEC-Q100試驗后元器件失效分析項目：

① 形貌分析技術：體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線透視、聲學掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。

② 成分檢測技術：X射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質譜SIMS、光譜、色譜、質譜

③ 電分析技術：I-V曲線、半導體參數、LCR參數、集成電路參數、頻譜分析、ESD參數、電子探針、機械探針、絕緣耐壓、繼電器特性。

④ 開封制樣技術：化學開封、機械開封、等離子刻蝕、反應離子刻蝕、化學腐蝕、切片。

⑤ 缺陷定位技術：液晶熱點、紅外熱像、電壓襯度、光發射顯微像、OBIRCH。

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