存儲(chǔ)器的速度范圍。
FSMC 的 NOR FLASH 控制器支持同步和異步突發(fā)兩種訪問(wèn)方式。選用同步突發(fā)訪問(wèn)方式時(shí)， FSMC 將 HCLK(系統(tǒng)時(shí)鐘)分頻后，發(fā)送給外部存儲(chǔ)器作為同步時(shí)鐘信號(hào)
2024-03-15 15:53:42
TC364 微控制器是否支持外部存儲(chǔ)器？
根據(jù)我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲(chǔ)器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊(cè)中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
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SRAM 中的每個(gè)存儲(chǔ)單元由多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。每個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)一個(gè)位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時(shí)一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。
2024-02-05 09:31:57950 中，電感作為關(guān)鍵元件之一，為存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)提供支持。本文將詳細(xì)介紹電感在磁性存儲(chǔ)器中的作用，包括其原理、構(gòu)造、性能和優(yōu)點(diǎn)等方面，旨在為讀者提供全面而深入的了解。 首先，我們來(lái)了解一下電感的基本原理。電感是由一個(gè)或多
2024-01-30 16:18:14525 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
運(yùn)放在電路中主要存在三種應(yīng)用，放大器，濾波器，振蕩器。再這三種應(yīng)用電路中，運(yùn)放的兩大特點(diǎn)虛短虛斷仍然成立嗎？
在阻尼振蕩器中，工作過(guò)程是否按照我描述的這樣，在反相輸入端加一個(gè)近似鋸齒波的電流源，正半
2024-01-26 16:18:26
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 三電平結(jié)構(gòu)的變頻器有一個(gè)問(wèn)題就是中點(diǎn)電位不平衡，在軟件控制層面有三種平衡模式，默認(rèn)模式、比例模式和PI模式，或許叫法有所不同，總之是這三種平衡模式吧，請(qǐng)問(wèn)這三種平衡模式是什么意思，具體而言有什么不同，這三種模式是如何對(duì)中點(diǎn)電壓平衡做補(bǔ)償?shù)模?
2024-01-09 16:12:28
人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲(chǔ)器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實(shí)現(xiàn)高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái)，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
?NY8A053E是一款高性能的微控制器MCU單片機(jī)，它提供了三種封裝類型，包括QFP64、QFP100和QFN100。這些封裝類型使得NY8A053E適用于各種不同的應(yīng)用場(chǎng)景，包括工業(yè)控制
2023-11-27 21:45:44
閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911 
，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡(jiǎn)稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明，各位高手有誰(shuí)知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
設(shè)定啟動(dòng)存儲(chǔ)器為主存擴(kuò)展（AP模式）主要闡述有AP mode功能的MCU設(shè)定啟動(dòng)程序存儲(chǔ)區(qū)為主存擴(kuò)展的方法及范例程序。
2023-10-24 07:49:44
常見幾種硬盤的簡(jiǎn)單介紹
硬盤是服務(wù)器托管用戶主機(jī)主要的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。目前硬盤的種類有三類，不同的選擇方案也會(huì)有不同的優(yōu)劣對(duì)比。下面講講他們之間有什么不同吧
固態(tài)硬盤： 用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列
2023-10-18 16:56:11
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
如何用單片機(jī)讓三極管出現(xiàn)三種不同的電平狀態(tài)？
2023-10-10 06:56:03
相同點(diǎn)？
感覺6116數(shù)據(jù)的存取很簡(jiǎn)單呀？設(shè)置成“寫入”狀態(tài)，在地址端0001-0101依次輸入數(shù)據(jù)0001，0010，0011，0100，0101后，把存儲(chǔ)器設(shè)置成“讀出”狀態(tài)就可以看到輸出端
2023-10-07 08:39:25
自舉程序存儲(chǔ)在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲(chǔ)器（系統(tǒng)存儲(chǔ)器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過(guò)一種可用的串行外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C 等）將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
FSMC是STM32F1提供的一個(gè)靜態(tài)存儲(chǔ)控制器，是MCU用來(lái)擴(kuò)展存儲(chǔ)器，可用來(lái)驅(qū)動(dòng)SRAM、Nor Flash、NAND Flash。這里先簡(jiǎn)單講解下這三種存儲(chǔ)器的應(yīng)用場(chǎng)合。
2023-09-27 14:33:491009 
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
高達(dá)48 MHz的ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核、高速嵌入式存儲(chǔ)器(高達(dá)64K字節(jié)的閃存和高達(dá)8K字節(jié)的SRAM)，以及各種增強(qiáng)型外設(shè)和I/O。
所有器件均提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(三個(gè)UART、一個(gè)SPI
2023-09-14 08:54:22
PWM 定時(shí)器。CW32L031 可以在 -40℃到 85℃的溫度范圍內(nèi)工作，供電電壓寬達(dá) 1.65V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep兩種低功耗工作模式。
2023-09-14 08:26:49
CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核
具有高達(dá)48 MHz的主頻率、高速嵌入式存儲(chǔ)器（高達(dá)20 KB的FLASH和
至3K字節(jié)
2023-09-14 08:16:19
檢查。系統(tǒng)檢測(cè)到奇偶校驗(yàn)失敗后，會(huì)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的中斷標(biāo)志。關(guān)于 SRAM 的詳細(xì)介紹，請(qǐng)參見 6 RAM 存儲(chǔ)器章
2023-09-14 07:25:37
CW32F030x6/x8是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核
主頻率高達(dá)64MHz，高速嵌入式存儲(chǔ)器（高達(dá)64K字節(jié)的FLASH和高達(dá)
8K字節(jié)
2023-09-14 07:03:34
CW32L083是一款基于eFlash的單芯片低功耗微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+
核心，主頻高達(dá)64MHz，高速嵌入式存儲(chǔ)器（高達(dá)256K字節(jié)的FLASH和
高達(dá)24K字節(jié)
2023-09-14 06:41:28
以及一組高級(jí)控制 PWM 定時(shí)器。CW32L052 可以在 -40° C 到 85° C 的溫度范圍內(nèi)工作，供電電壓寬達(dá) 1.65V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep兩種低功耗工作模式。
2023-09-14 06:28:26
）以及廣泛的增強(qiáng)型外圍設(shè)備和I/O。
所有設(shè)備都提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口（三個(gè)UART、一個(gè)SPI、一個(gè)I2C）、一個(gè)12位ADC、五個(gè)
通用和基本定時(shí)器以及高級(jí)控制PWM定時(shí)器。
CW32L031工作在-40℃至85℃的溫度范圍內(nèi)，電源電壓為1.65至5.5V，支持兩種低功耗工作模式（睡眠和深度睡眠）。
2023-09-14 06:02:27
)都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲(chǔ)器->存儲(chǔ)器外設(shè)->存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問(wèn)方式的不同，存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272105 本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯(cuò)碼（ECC）的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對(duì)保護(hù)內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲(chǔ)器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問(wèn)題，該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下：選通字線，通過(guò)位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 
庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲(chǔ)方案中。對(duì)于這些應(yīng)用，鐵電存儲(chǔ)器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)镈RAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204 何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453775 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
8 存儲(chǔ)器 RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ，其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲(chǔ)器總線。該系列的某些產(chǎn)品包括一個(gè)SDRAM控制器，可利用
2023-06-21 12:15:03421 
，鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:25391 
自身需求的設(shè)備。
提示：土壤氮磷鉀存儲(chǔ)器是一款支持通過(guò)485命令寫入氮磷鉀參數(shù)，達(dá)到現(xiàn)場(chǎng)用戶展示數(shù)據(jù)的目的，進(jìn)而方便客戶系統(tǒng)的評(píng)估土壤情況的設(shè)備。正確用法是使用之前需要用國(guó)標(biāo)測(cè)量?jī)x器采土樣先測(cè)
2023-06-16 10:09:26
我看MS51有三種Flash大小的，除了Flash大小不同外，其他配置一樣嗎
2023-06-15 10:15:16
存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB8
2023-06-08 09:52:17
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* 詳細(xì)說(shuō)明：
* 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過(guò)
2023-06-05 09:47:48
存儲(chǔ)器是集成電路領(lǐng)域的通用器件，其市場(chǎng)用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 在單板設(shè)計(jì)中，無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM（可編程只讀存儲(chǔ)器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
。AS由FPGA器件引導(dǎo)配置操作過(guò)程，它控制著外部存儲(chǔ)器和初始化過(guò)程，EPCS系列：如EPCS1，EPCS4配置器件專供AS模式，目前只支持 Cyclone系列。使用Altera串行配置器件來(lái)完成
2023-04-24 15:34:27
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過(guò)串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462542 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器是一種存儲(chǔ)器，可以在字節(jié)級(jí)別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過(guò)現(xiàn)有存儲(chǔ)器的自旋注入MRAM,很有可能將會(huì)取代在設(shè)備中使用的多種存儲(chǔ)器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
7. 存儲(chǔ)器 RA2 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為0000 0000h到FFFF FFFFh，其中可以包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲(chǔ)器總線。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間；可使用單獨(dú)的總線分別訪問(wèn)
2023-04-06 16:45:03466 我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō)，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM。RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。但是這些數(shù)據(jù)并不是像用袋子盛米那么簡(jiǎn)單，更像是圖書館中用書架擺放書籍一樣，不但要放進(jìn)去還要
2023-03-30 14:15:533181 
) 性存儲(chǔ)器中的配置比特流，配置所需的時(shí)鐘信號(hào)( 稱為CCLK) 由FPGA內(nèi)部產(chǎn)生，且FPGA控制整個(gè)配置過(guò)程。? 在主模式下，F(xiàn)PGA上電后，自動(dòng)將配置數(shù)據(jù)從相應(yīng)的外存儲(chǔ)器讀入到SRAM中，實(shí)現(xiàn)內(nèi)部結(jié)構(gòu)映射；主模式根據(jù)比特流的位寬又可以分為：串行模式( 單比特流) 和并行模式( 字節(jié)寬度比
2023-03-29 14:50:06533
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