未來幾年，游戲市場將持續(xù)增長，其中，到2028年，游戲個人電腦銷售預期達5200萬臺，同時游戲顯示器銷量有望達到2960萬臺。
2024-03-20 16:11:37
351 據(jù)悉，HBM3E廣泛應用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術。至于GDDR7，有望在RTX 50系列顯卡中得到應用。
2024-03-20 10:25:5980 隨著數(shù)據(jù)存儲需求的持續(xù)增長，數(shù)據(jù)中心存儲技術和架構不斷發(fā)展以滿足企業(yè)和消費者的需求。在本節(jié)中，我們將分析數(shù)據(jù)中心存儲未來的一些關鍵趨勢。 一、全閃存存儲陣列 隨著閃存成本的下降以及相對于傳統(tǒng)硬盤
2024-03-18 17:39:22141 DDR 代表雙倍數(shù)據(jù)速率double data rate，GDDR 代表圖形雙倍數(shù)據(jù)速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:53235 
然而，由于偏高的成本原因，現(xiàn)階段眾多企業(yè)仍未能大規(guī)模應用高標LPDDR。面對此問題，以vivo X100 Pro為例，盡管去年11月曾傳言其會采用LPDDR5T規(guī)格，但實際上使用的仍然是LPDDR5X。
2024-03-14 15:24:26248 該報告還稱，電子競技興起、消費者可支配收入提升及對仿真度高的游戲體驗追求是驅動游戲硬件行業(yè)增長主要原因。具體產(chǎn)品方面，游戲機、專業(yè)游戲PC及各類周邊設備如鍵盤、鼠標、耳機、先進VR和AR設備等表現(xiàn)突出。
2024-03-14 15:10:58122 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:34
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）如今，在雙碳策略的指引下，國內(nèi)的新能源產(chǎn)業(yè)迎來高速發(fā)展，風電、光伏等可再生能源正在快速改變當前的能源格局。不過這也帶來了一些問題，比如電網(wǎng)所面臨的穩(wěn)定性、經(jīng)濟調(diào)度及高質量電能的問題，而儲能在其中就能夠讓這些可再生能源變?yōu)楦鼉?yōu)質的新能源。而在長時儲能技術中，全釩液流電池以更優(yōu)的成本優(yōu)勢以及更好的選址靈活度格外顯眼。
2024-03-11 00:19:032700 力晶半導體（PSMC）成為印度首屈一指的晶圓代工廠合作伙伴。力晶半導體董事長Frank Hong聲明說：“考慮到印度巨大并持續(xù)增長的本土市場以及各國客戶都將此視為供應鏈彈性中心，如今正是印度切入半導體制造業(yè)的絕佳時刻。”
2024-03-10 13:31:01288 隨著人工智能（AI）的快速發(fā)展，其對計算能力的需求也在持續(xù)增長。傳統(tǒng)的中央處理器（CPU）和圖形處理器（GPU）雖然在AI計算中占據(jù)主導地位，但面對日益增長的數(shù)據(jù)量和計算復雜性，它們也面臨著功耗
2024-03-07 09:37:20346 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS65296-完整 LPDDR4/LPDDR4X存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-05 17:14:510 通過網(wǎng)絡可以了解到，算能RADXA微服務器的具體規(guī)格：
處理器：BM1684X
算力：高達32Tops INT8峰值算力
內(nèi)存：16GB LPDDR4X 內(nèi)存
存儲：64GB eMMC
編程框架
2024-02-28 11:21:57
湖南裕能堅稱，即使2024年新能源行業(yè)可能會面對諸如結構性產(chǎn)能過剩之類的眾多復雜問題，其持續(xù)向好發(fā)展的總體趨勢仍然不會動搖。因此他們對該行業(yè)的前景持樂觀態(tài)度，預估2024年行業(yè)將繼續(xù)保持增長。
2024-02-23 15:35:50192 雖然實施了大規(guī)模的人員調(diào)整，但在2023年末，絕大多數(shù)關鍵業(yè)務取得增長。其中，谷歌在2023年第四季度實現(xiàn)銷售收入860億美元，同比上升13%。值得注意的是，公司的審計實體審核服務和云計算業(yè)務均保持穩(wěn)步增長
2024-02-01 14:40:59265 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 如題，利用現(xiàn)有例程運行BF70X，計劃讀取LPDDR中的數(shù)據(jù)，但實際發(fā)現(xiàn)寫進數(shù)據(jù)為0x100（或任意值）時，讀取出來的數(shù)據(jù)為恒定值0x0000ffff；計劃自己對LPDDR驅動進行調(diào)試，采用怎樣的方法or 步驟進行調(diào)試或者修改bug，以實現(xiàn)正常的讀寫數(shù)據(jù)。
2024-01-12 07:10:04
5和DDR5的主要特點。LPDDR5是為移動設備設計的內(nèi)存標準，它具有低功耗的特點，能夠提供高帶寬和大容量的存儲。而DDR5是桌面和服務器領域的內(nèi)存標準，它更注重性能和可靠性。 在時序方面，LPDDR5的時序比DDR5慢。這是因為LPDDR5的主要目標是降低功耗，因此它采用
2024-01-04 10:22:061156 LPDDR是在DDR的基礎上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，簡稱“低功耗內(nèi)存”，是DDR的一種，以低功耗和小體積著稱。
2024-01-02 17:31:21150 
據(jù)長鑫存儲官網(wǎng)，11月28日，長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。12GB
2023-12-19 17:55:57234 新的變革，為新能源市場開拓新的發(fā)展格局，帶來新的增長藍海! ? 為什么派沃儲能液冷將成為市場主流? 儲能系統(tǒng)中溫控設備的作用。儲能電池系統(tǒng)電池容量和功率大，高功率密度對散熱要求較高，同時儲能系統(tǒng)內(nèi)部容易產(chǎn)生電池發(fā)熱等問題，而
2023-12-13 11:20:17209 據(jù)長鑫存儲官網(wǎng)，11月28日，長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。12GB
2023-12-13 11:12:08229 臺北和美國加利福尼亞訊，2023年12月11日--全球NAND閃存主控芯片領導廠商慧榮科技（NasdaqGS: SIMO）今日宣布新組織架構和領導團隊任命，以應對公司全球業(yè)務持續(xù)增長需求，且變動立即
2023-12-12 16:34:38377 LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動態(tài)隨機存儲器。與上一代LPDDR4X相比，長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達到12Gb和6400Mbps，同時功耗降低30%。
2023-12-06 16:30:42490 產(chǎn)品。該產(chǎn)品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM)，相比上一代 LPDDR4X，新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%，容量
2023-12-03 11:30:00283 
當前，生成式人工智能已經(jīng)成為推動DRAM市場增長的關鍵因素，與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長。未來，隨著AI技術不斷演進，HBM將成為數(shù)據(jù)中心的標準配置，而以企業(yè)應用為重點場景的存儲卡供應商期望提供更快的接口。
2023-12-02 16:30:32215 
資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲器，由DDR內(nèi)存演化而來。LPDDR的架構和接口針對低功耗應用進行了專門優(yōu)化，提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工作電壓更低和支持多種低功耗運行狀態(tài)。
2023-12-01 10:44:12217 與上一代LPDDR4X相比，長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達到12Gb和6400Mbps，同時功耗降低30%。長鑫存儲LPDDR5芯片加入了RAS功能，通過內(nèi)置糾錯碼（On-die ECC）等技術，實現(xiàn)實時糾錯，減少系統(tǒng)故障，確保數(shù)據(jù)安全，增強穩(wěn)定性。
2023-11-30 17:39:06813 
相比上一代LPDDR4，長鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%，達到12Gb和6400Mbps，并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應用和市場角度來看，LPDDR5芯片能夠為移動電子設備帶來更快的速度和更低的功耗。
2023-11-29 17:34:16752 DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器)是一種高帶寬的存儲器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細節(jié)。在DDR的設計過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101474 
長鑫12GB LPDDR5芯片由8個12Gb顆粒封裝，這是長鑫存儲首款采用層疊封裝（Package on Package）的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 11:11:33339 長鑫存儲12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國主流手機制造商小米、傳音等品牌機型上完成了驗證。lpddr5是長鑫存儲針對中高端移動機器市場推出的產(chǎn)品，市場化將進一步完善長鑫存儲的dram半導體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:10498 對于ddr5市場的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場上，ddr5的單價比ddr4高4-50%，從威強的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217 時間保存正在處理的所有數(shù)據(jù)，并在輔助電源耗盡之前正常退出。當所有電量耗盡時，計算機隨機存取存儲器中的所有數(shù)據(jù)都將被刪除。
UPS通過整流器將輸入AC轉換為DC，并通過逆變器將其轉換回來。電池或飛輪存儲
2023-11-22 17:13:00
低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
嵌入式技術領域不僅穩(wěn)定，還能夠獲得更多的發(fā)展機會。 總之，嵌入式技術憑借其廣泛的應用域、穩(wěn)定的知識體系、持續(xù)增長的行業(yè)需求以及巨大的發(fā)展?jié)摿Γ?b class="flag-6" style="color: red">成為IT行業(yè)中不會遭遇35歲危機的一種特殊存在。對于那些對技術
2023-11-17 10:33:39
法人方面解釋說：“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導，因此，中臺灣企業(yè)在半導體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 由于人工智能技術所需的高端存儲芯片（如DDR5和HBM）的需求持續(xù)增長，第二季度DRAM產(chǎn)品的出貨量已超出預期。在第四季度，DS部門將專注于銷售高附加值產(chǎn)品，如HBM3等。
2023-11-02 17:17:32599 3是目前使用最為廣泛的計算機內(nèi)存標準，它已經(jīng)服務了計算機用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術的進步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標準工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標準則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003886 美光科技指出，為應對資料中心工作負載所需，CPU 內(nèi)核數(shù)持續(xù)增加，為突破「存儲器墻」（Memory Wall）瓶頸，同時為客戶提供最佳化的總擁有成本，對于存儲器頻寬及容量需求也隨之大幅提升
2023-10-19 16:03:00387 數(shù)據(jù)。佰維存儲依托自身的存儲解決方案研發(fā)、先進封測等優(yōu)勢，推出了基于LPDDR5和LPDDR4X的uMCP集成式存儲芯片，產(chǎn)品兼顧高性能、大容量、小尺寸等特點，能夠滿足手機不斷增長的性能和容量等需求。” 佰維基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存儲芯片，
2023-10-11 16:15:02296 
數(shù)據(jù)。佰維存儲依托自身的存儲解決方案研發(fā)、先進封測等優(yōu)勢，推出了基于LPDDR5和LPDDR4X的uMCP集成式存儲芯片，產(chǎn)品兼顧高性能、大容量、小尺寸等特點，能夠滿足手機不斷增長的性能和容量等需求。” ? 佰維基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存
2023-10-11 11:33:34197 
? 【機構：汽車銷量持續(xù)增長，促使中國MEMS傳感器加快研發(fā)】 研究機構表示，隨著中國汽車銷量持續(xù)增長，以及汽車智能系統(tǒng)的發(fā)展，汽車制造商對MEMS微傳感器的要求也在快速增加。這促使中國傳感器制造商
2023-10-07 09:40:53358 DDR存儲器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲密度，從而實現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
下特點： 1、兼容 LPDDR4/LPDDR4X/LPDDR5 標準； 2、支持 64bits 數(shù)據(jù)總線寬度，由 4 個 16bits 的 DDR 通道組成，每個通道容量最大尋址地址 8GB；4個通道容量
2023-09-19 11:40:01271 
已保留有6位SDR空間。最后，它占用的片上空間更少，單個封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是，LPDDR4X不能與LPDDR4向后兼容。即使設備與更快的LPDDR4內(nèi)存兼容，它也可能不適用于LPDDR4X。
2023-09-19 11:09:368379 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）機器人是一種能夠通過編程和自動控制來執(zhí)行諸如作業(yè)或移動等任務的機器。近些年，全球機器人市場規(guī)模持續(xù)增長，從2017年的267億美元增長至2022年的513億美元，預計
2023-09-15 09:05:481095 體驗和實時安全性，高性能DDR對于充分發(fā)揮處理器的數(shù)據(jù)處理量，處理速度，算力具有關鍵的作用，為這些日益增長的數(shù)據(jù)密集型應用場景提供支持。DDR其實是一個很大的緩存器件，在系統(tǒng)運行期間用來短暫存儲文件數(shù)據(jù)，斷電后清空，所有這些數(shù)據(jù)都會流經(jīng)內(nèi)存，使得內(nèi)存成為處理器的關鍵器件。
2023-09-01 16:41:5211599 
lpddr5是什么意思？lpddr5和lpddr4x提升了多少？? LPDDR5是一種基于低功耗雙數(shù)據(jù)速率（LPDDR）的內(nèi)存技術，它是目前移動設備中性能最高的內(nèi)存標準之一。正如其名稱所示，它是
2023-08-21 17:28:327918 lpddr4x和lpddr5區(qū)別 lpddr4x和ddr5的區(qū)別大不大 隨著智能手機、平板電腦、筆記本電腦等消費電子產(chǎn)品的不斷升級和發(fā)展，人們對設備運行速度和效率的要求也越來越高。在這樣的背景
2023-08-21 17:28:2919681 能力的優(yōu)化，同時也為設備提供了更好的性能。雖然這兩種方法很相似，但它們之間還存在一些區(qū)別。下面將詳細討論LPDDR4X和LPDDR5之間的區(qū)別，以及它們?nèi)绾斡绊懺O備的性能和使用情況。 1. 存儲速度和容量 LPDDR4X的最大存儲容量為16GB，而LPDDR5的最大容量為32GB。這意味著使
2023-08-21 17:28:273861 的改進。雖然它已經(jīng)存在了一段時間，但是它仍然是一種有效且流行的內(nèi)存類型，而且并未過時。接下來，我們來詳細探討一下LPDDR4X的特性以及其在電腦領域的應用。 LPDDR4X的特性 1. 低功耗： LPDDR4X的功耗更低，這是它成為現(xiàn)代移動設備理想內(nèi)存的原因之一。在與DDR4相比較時，LPDDR
2023-08-21 17:16:463692 的內(nèi)存速度和更低的功耗。 LPDDR4和LPDDR4X的主要區(qū)別在于功耗上的優(yōu)化。 LPDDR4內(nèi)存 LPDDR4內(nèi)存是一種第四代低功耗DDR內(nèi)存，是DDR4和DDR3的改進版本。該內(nèi)存的最大優(yōu)點是速度
2023-08-21 17:16:445954 2023年1月上市的sk海力士LPDDR5T的帶寬為9.6gbps，超過了lpddr5x的8.5gbps，在目前的移動平臺中速度最快。隨著2026年左右新一代lpddr6內(nèi)存正式上市，預計LPDDR5T將成為2023年到2025年最強大的移動平臺。
2023-08-11 09:47:52657 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在存儲市場持續(xù)低迷的情況下，不少廠商在降價消化庫存的同時，也開始在往新技術新產(chǎn)品上發(fā)力，試圖重新激起市場的熱情。比如存儲大廠三星，就在近日就發(fā)布了下一代標準顯存產(chǎn)品
2023-07-22 00:01:001514 
。 近三年來，盡管受到各種因素影響，紛享銷客仍取得了快速發(fā)展，近三年持續(xù)保持超40%增長。據(jù)第三方市場檢測機構分析，紛享銷客營收規(guī)模與市場份額位居中國本土CRM行業(yè)首位，是中國CRM行業(yè)的領導者。 當下，企業(yè)做細客戶、做深市場的需求走強，遭遇國內(nèi)外
2023-07-21 14:15:02256 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103365 
，成為智能穿戴設備的絕佳選擇。佰維存儲基于前代LPDDR3 ePOP產(chǎn)品的成功經(jīng)驗，面向 高端智能手表 推出了 基于LPDDR4X?144球的ePOP存儲芯片 ，方案相較前代產(chǎn)品頻率提升了 128.6% 、體積減少了 32% ，并正式 通過高通5100平臺認證 。 佰維基于LPDDR4X 1
2023-07-14 16:44:43700 
給現(xiàn)在的經(jīng)營人。不過經(jīng)過多年的刻苦專研，以及口碑的持續(xù)上升，使得TXC晶振在電子市場有很高的美譽度。有一句話是這樣形容TXC晶振的，日系的品質，國產(chǎn)的價格。2，黑馬
2023-07-13 17:32:46947 
本文旨在呈現(xiàn)使用 DDR4、LPDDR4 或 LPDDR4X 存儲器控制器的 Versal ACAP 器件的外部參考時鐘電路要求
2023-07-10 16:02:23814 
包括用于傳統(tǒng)計算應用的 DDR、用于電池供電設備的LPDDR以及用于高性能游戲和人工智能（AI）場景的超帶寬解決方案的 GDDR。
2023-07-03 15:16:04349 而GDDR通常指的是用在顯卡上的內(nèi)存，本質上還是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，它是為了設計高端顯卡而特別設計的高性能 DDR 存儲器規(guī)格，其有專屬的工作頻率、時鐘頻率、電壓，因此與市面上標準的 DDR 存儲器有所差異
2023-06-26 14:41:25287 
DDR是DDR SDRAM的簡稱，只是人們習慣了稱之為DDR，全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指需要時鐘。
2023-06-25 15:06:404905 
DRAM（DDR/GDDR/LPDDR）：主要應用于液晶儀表、導航中控、娛樂信息以及自動駕駛等需要高內(nèi)存帶寬的系統(tǒng)。
2023-06-25 14:40:11941 
LPDDR是什么？ LPDDR （Low Power Double Data Rate SD RAM）低功耗雙倍速率動態(tài)隨機存取存儲器，是DDR SDRAM的一種，是JEDEC固態(tài)技術協(xié)會
2023-06-22 08:40:021807 
注意，這里的DDR指的是Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06781 
DDR存儲器的設計延遲極低，它的目的是盡可能快地傳輸少量緩存數(shù)據(jù)，來配合CPU進行串行計算。而顯卡多為并行任務，有大量重復存取需求，但它對于延時的要求沒有CPU那么高。于是，具有更大帶寬和更高頻率的GDDR出現(xiàn)了。
2023-06-09 11:50:16165 
研究機構TECHCET日前預測，盡管全球經(jīng)濟普遍放緩，但2023年SiC襯底市場將持續(xù)強勁增長。
2023-06-08 10:12:34436 
視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 隨著信息化程度不斷加深，數(shù)據(jù)流量呈爆炸式增長，導致大數(shù)據(jù)行業(yè)產(chǎn)品持續(xù)更新迭代，未來有望保持穩(wěn)定增長。作為業(yè)內(nèi)領先企業(yè)之一，為搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇，四方偉業(yè)制定前瞻性發(fā)展戰(zhàn)略，奠定業(yè)績持續(xù)增長基石。 具體
2023-06-07 09:36:38518 具MSCALE_DDR_Tool.exe，測試正常，如下
將生成的lpddr4_timing.c編譯進入uboot，下載到基板，啟動后ddr頻率不變，還是2g，如下
2023-06-02 07:26:51
，也已實現(xiàn)量產(chǎn)。微容科技也持續(xù)加碼車規(guī)MLCC，近期已經(jīng)在各類車企中獲得了廣泛的認可。
智能化賦能，提升產(chǎn)業(yè)競爭力
智能化生產(chǎn)將成為MLCC產(chǎn)品生產(chǎn)的新動力。業(yè)內(nèi)專家指出，智能化將有效提高企業(yè)
2023-06-01 17:20:47
我正在優(yōu)化啟動速度，ddr 訓練在 SPL 中需要 360ms，所以我想跳過它。
我厭倦了在 ddr 訓練后注意 ddrphy_trained_csr[] 和 g_cdd_max[]，注釋掉 ddr
2023-06-01 08:16:47
自 2000 年代中期獲得正式批準以來，低功耗 DDR（LPDDR）一直是驅動對面積和功率敏感的移動設備上更復雜用例的基石。畢竟退回 2007 年，智能手機的攝像頭不過是一個釘在背后的傳感器，且只能拍攝粒度粗糙、低分辨率的自拍。
2023-05-31 09:48:151828 
、時序和可編程參數(shù)。DFI 適用于所有 DRAM 協(xié)議，包括 DDR4、DDR3、DDR2、DDR、LPDDR4、LPDDR3、LPDDR2 和 LPDDR。
2023-05-26 15:27:314570 
DRAM 存儲器是任何計算設備的“心臟”，例如智能手機、筆記本電腦、服務器等。LPDDR4 主要用于提高智能手機、平板電腦和超薄筆記本電腦等移動計算設備的內(nèi)存速度和效率。它支持高達 4267Mbps
2023-05-26 14:34:073493 
數(shù)據(jù)中心、存儲、汽車和其他新興市場應用的增長正在推動下一代內(nèi)存技術（DDR5、LPDDR5）的發(fā)展。與其前輩一樣，最新的內(nèi)存技術也使用內(nèi)存控制器和PHY之間的標準接口DFI，以降低集成成本并提
2023-05-26 11:13:401827 
體驗。 營收持續(xù)增長，企業(yè)發(fā)展強勁 思必馳是國內(nèi)專業(yè)的對話式人工智能平臺公司，擁有全鏈路的智能語音語言技術，自主研發(fā)了新一代人機交互平臺（DUI）和人工智能芯片(TH1520)，可以為車聯(lián)網(wǎng)、IoT及政務、金融等眾多行業(yè)場景合作
2023-05-24 16:05:12282 我打算將 Nanya DDR 部件 NT6AN512T32AV 與 iMx8m plus 處理器一起使用。我已在 XLS 表 MX8M_Plus_LPDDR4_RPA_v9.xlsx 中填寫了所需的詳細信息。
2023-05-19 11:04:35
有沒有辦法重置和重新初始化 DDR 控制器？DRAM 類型是 LPDDR4。
我們的目標：我們嘗試為組裝有不同大小 RAM 的電路板系列實施解決方案。
為了獲得可重現(xiàn)的結果，我們尋求在嘗試下一個配置
2023-05-16 09:03:04
？ 從DDR5/4、LPDDR5/5X到GDDR6/6X、 HBM2e/3，以及PCIe5/6、USB3.2/4等多標
2023-05-12 14:55:02356 
預計未來8年，中國電動夾爪市場將持續(xù)爆炸式增長
2023-05-10 15:00:22350 
1) 需要 11x11 IMX93 封裝的 LPDDR4 線路（或全部）的傳播延遲值。在項目中使用 Altium。在我們準備調(diào)整 LPDDR4 跡線時需要。在 IBIS 模型中沒有看到這一點。
2
2023-05-09 10:36:32
啟動，但是，我們想要進行 DDR 校準并尋找 LPDDR4 校準二進制文件，這些二進制文件會生成/考慮來自外部振蕩器的 CLK 源。
如果您能在DDR 校準工具的源代碼中添加上述小改動（請參閱上面的補丁）并共享二進制文件，這將是一個很大的幫助。
2023-04-27 08:11:25
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D) 的工作定制板，我將其用作設計的起點。
使用 mscale_ddr_tool_v3.31 和 MX8M_Nano_LPDDR4_RPA_v9_068-0051-00.xlsx（附件
2023-04-26 07:40:25
你好。我用 i.MX8m plus 制作了一個定制板。
我通過 RPA v9 制作 .ds 文件，并在 NXP i.MX/Mscale DDR Tool V3.31 上進行壓力測試
2023-04-23 14:32:31
Cadence LPDDR5X IP 現(xiàn)已支持客戶使用，該 IP 采用全新高性能、可擴展的自適應架構，并依托于 Cadence 久經(jīng)驗證且大獲成功的 LPDDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線。
2023-04-21 12:46:311098 i.mx8m 加支持 lpddr4 和 lpddr4x
2023-04-21 06:11:49
我目前正在使用 LPDDR4-3000 作為內(nèi)存設計帶有 i.MX8M Mini 的定制 PCB。在將 LPDDR4-3000 路由到 i.MX8M Mini 時，我有多個問題。我知道i.MX 8M
2023-04-20 07:44:58
是速度等級和模具數(shù)量（從 2 個模具變?yōu)?1 個模具）。可能需要對軟件進行哪些更改（如果有的話）以支持新部件（1 個芯片而不是 2 個芯片和更快的速度等級）？我們是否需要重新運行 DDR 工具以生成要在 LPDDR4 控制器中編程的新 bin 文件？
2023-04-19 06:56:55
摘要本文檔旨在介紹如何讓所有設計人員都能簡單方便地實現(xiàn) AM64x\\\\AM243x DDR 系統(tǒng)，并將要求提煉為一組布局和布線規(guī)則，使設計人員能夠針對 TI 支持的拓撲成功實現(xiàn)穩(wěn)健的設計。內(nèi)容1
2023-04-14 17:03:27
、可穿戴設備、云計算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應用領域將成為國內(nèi)半導體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長點。晶導微成立于2013年，聚焦二極管、整流橋等半導體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 16:00:28
、可穿戴設備、云計算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應用領域將成為國內(nèi)半導體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長點。晶導微成立于2013年，聚焦二極管、整流橋等半導體分立器件產(chǎn)品以及集成電路
2023-04-14 13:46:39
我們正在嘗試使用工具“MSCALE_DDR_Tool”優(yōu)化 LPDDR4 時序參數(shù)/壓力測試。校準后，我們??嘗試使用以下不同選項進行壓力測試。它因選項“失敗時停止”而失敗，并因選項“禁用內(nèi)存緩存”而
2023-03-24 06:54:09
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