非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:15
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前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。芯片內(nèi)置 FLASH 編程所需的高壓 BOOST 電路，無(wú)須額外提供編程電壓。
2024-02-28 17:43:59382 
EEPROM和FLASH總體差異 ????部分MCU片內(nèi)不帶程序存儲(chǔ)器ROM，可執(zhí)行代碼只能放在外面的EEPROM、FLASH(外擴(kuò))中； ????單片機(jī)對(duì)于數(shù)據(jù)的處理和系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)采集，需要考慮
2024-02-27 08:37:26106 
Flash存儲(chǔ)器的寫操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28536 
與主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（外存）有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。 首先，我們來詳細(xì)了解ROM的特點(diǎn)和分類。ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲(chǔ)單元是由非可更改的電路或柵電勢(shì)器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10738 電量計(jì)算公式多少度電？ 電量計(jì)算公式是通過電壓和電流的乘積來計(jì)算的，單位為瓦特-小時(shí)（Wh）。公式為： 電量（Wh）= 電壓（V） × 電流（A） × 使用時(shí)間（小時(shí)） 其中，電壓是指電流通過的電器
2024-02-03 14:42:434750 stm32 flash寫數(shù)據(jù)怎么存儲(chǔ)的? STM32是一款廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的微控制器，它的Flash存儲(chǔ)器是其中一個(gè)重要的組成部分。在本文中，我將詳細(xì)介紹STM32 Flash的存儲(chǔ)機(jī)制
2024-01-31 15:46:03419 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
單片機(jī)為何需要Flash和EEPROM？它們有何作用？ 單片機(jī)是一種集成電路，具有處理器核心、內(nèi)存和外設(shè)等功能，通常用于嵌入式系統(tǒng)中。Flash和EEPROM則是單片機(jī)中常用的存儲(chǔ)器類型，它們具有
2024-01-18 11:43:40551 隨著人們對(duì)計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器的種類也越來越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器）是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲(chǔ)器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15513 ，STM32F103的Flash存儲(chǔ)器可以模擬EEPROM的功能，在本文中我們將詳細(xì)介紹如何使用STM32F103的Flash存儲(chǔ)器來實(shí)現(xiàn)EEPROM。 概述 EEPROM（Electrically
2024-01-09 11:21:36372 要求使用其他存儲(chǔ)設(shè)備，如Flash存儲(chǔ)器，來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，能夠長(zhǎng)時(shí)間保存數(shù)據(jù)，即使在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)。它具有較高的讀寫速度和較低的功耗，適用于FPGA的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。 FPGA上的Flash存儲(chǔ)器一般通過SPI（串行
2023-12-15 15:42:51543 需要在設(shè)計(jì)和開發(fā)過程中遵循一些最佳實(shí)踐。本文將詳細(xì)介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器類型： MCU的NVM通常有多種類型可供選擇，例如閃存（
Flash）、
EEPROM（電可擦除可編程只讀
存儲(chǔ)器）和FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，選擇適當(dāng)?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:49503 您好，最近采用AD5933進(jìn)行阻抗測(cè)量，電路如下圖：
編程控制Vout 為2Vp-p，30kHz；PGA=1；校準(zhǔn)電阻10k 測(cè)量計(jì)算后的阻值會(huì)隨實(shí)際值增大而增大，但不成比例；具體數(shù)值如下：
請(qǐng)問出現(xiàn)這種問題的原因是什么？
2023-12-12 07:38:04
銅排是工業(yè)中常用的一種導(dǎo)電材料，通常用于電路板、電纜和電器設(shè)備中。在設(shè)計(jì)和使用銅排的過程中，需要準(zhǔn)確計(jì)算其載流量，以確保其正常工作和安全可靠。本文將詳細(xì)介紹銅排載流量的計(jì)算方法。 銅排載流量計(jì)算
2023-12-08 14:06:232057 在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中廣泛使用。EEPROM和Flash Memory有很多共同之處，比如它們都屬于非易失性存儲(chǔ)器，可以在斷電后保留數(shù)據(jù)。然而，它們也有一些關(guān)鍵的區(qū)別，包括擦除方式、寫入速度、使用壽命
2023-12-07 16:10:20516 NOR FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)具有重大影響，閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)方面
2023-12-05 10:32:31332 明渠流量計(jì)廣泛應(yīng)用于城市供水引水渠、火電廠冷卻水引水和排水渠、污水治理流入等流量的測(cè)量。智能明渠流量計(jì)系統(tǒng)的測(cè)量是通過旋槳式流速傳感器來測(cè)量流速；通過壓力傳感器測(cè)量水位；采用鐵電存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的非
2023-11-27 10:17:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲(chǔ)器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
什么才是嵌入式Flash的邊界？ 嵌入式Flash是一種非易失性存儲(chǔ)器，常用于嵌入式電子設(shè)備中，如智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)、車載娛樂系統(tǒng)等。它與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤和閃存存儲(chǔ)器不同，具有高速、低功耗
2023-10-29 17:29:44250 為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:58646 快閃存儲(chǔ)器（flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲(chǔ)器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器。它是一種非易失性存儲(chǔ)器，即斷電數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。
2023-10-24 15:19:17498 
在工業(yè)應(yīng)用中經(jīng)常使用EEPROM來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，為降低成本、節(jié)省PCB空間，外部EEPROM可以用片內(nèi)Flash加上特定的軟件算法代替。
2023-10-23 17:40:301009 
EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）是用戶可更改的只讀存儲(chǔ)器，可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從計(jì)算機(jī)中取出即可修改。在一個(gè)EEPROM
2023-10-23 17:08:07357 
使用MCU Flash模擬EEPROM
2023-10-18 18:01:17383 內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測(cè)試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
在了解電量計(jì)算法之前，我們需要先了解一些電池、電量計(jì)領(lǐng)域常見專有名詞的縮寫定義。
2023-10-16 16:23:181316 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何對(duì)STM8S和STM8A閃存程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)EEPROM進(jìn)行編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-07 16:05:500 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
概述在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲(chǔ)器，都可以做到設(shè)備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會(huì)保留。但二者有明顯的區(qū)別：EEPROM可以
2023-09-22 08:19:23676 
概 述 在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲(chǔ)器，都可以做到設(shè)備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會(huì)保留。但二者有明顯的區(qū)別：EEPROM可以
2023-09-21 09:15:04783 在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲(chǔ)器
2023-09-21 09:14:39812 )。而ROM則是非易失性存儲(chǔ)器， ROM可分為EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)、flash memory等。
2023-09-15 15:59:02668 
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
單片機(jī)內(nèi)存資源通常包括ram(隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)和Flash存儲(chǔ)器。ram用于運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)和堆棧，而Flash存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)程序代碼和只讀數(shù)據(jù)。這兩者的資源都是有限的，因此必須謹(jǐn)慎使用，以免浪費(fèi)和不必要的內(nèi)存占用。
2023-08-30 15:47:23261 Flash是存儲(chǔ)芯片的一種，在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory，全稱為Flash EEPROM Memeory，即我們平時(shí)說的“閃存”。它結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具備電子可擦除
2023-08-24 12:35:053181 
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
: NuMaker-PFM-M487 VER 3.0
在樣本代碼中, M480 是一個(gè) USB 2. 0 閃存驅(qū)動(dòng)器。它使用 SPIM 接口作為 SPI Flash 的后端存儲(chǔ)器,并有一個(gè)文件系統(tǒng)。此函數(shù)可以作為SD卡的存儲(chǔ)
2023-08-23 06:05:19
FLASH，指Flash Memory，是一種非易失性存儲(chǔ)器（閃存），掉電能正常保存數(shù)據(jù)。
2023-08-16 12:22:211442 
最開始參加工作的時(shí)候，經(jīng)常聽到有需求說XX參數(shù)存到EEPROM，XX事件保存在FLASH中，當(dāng)時(shí)只是覺得這兩個(gè)東西都是可以用來存數(shù)據(jù)，應(yīng)該大差不差。那真是這樣么？這篇就來說說EEPROM和FLASH的那些事。
2023-08-10 11:15:03598 
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲(chǔ)器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
EEPROM：存儲(chǔ)技術(shù)革命！3個(gè)數(shù)字揭示它的神奇之處EEPROM，也稱為“電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器”，是一種重要的存儲(chǔ)技術(shù)，可以被用于嵌入式系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)中。它可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，也可以存儲(chǔ)代碼。相比于傳統(tǒng)
2023-08-03 08:36:091381 
可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。AHB端口具有到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL241）配置
2023-08-02 07:14:25
以前做項(xiàng)目，有時(shí)用Flash，有時(shí)用EEPROM，搞得我有點(diǎn)懵逼。
2023-07-27 12:24:241067 
就需要一塊非易失性存儲(chǔ)芯片來儲(chǔ)存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們?cè)谙到y(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
可編程控制器的存儲(chǔ)器由只讀存儲(chǔ)器ROM、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM和可電擦寫的存儲(chǔ)器EEPROM三大部分構(gòu)成，主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。
2023-07-11 14:26:421719 易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步是指需要時(shí)鐘。
2023-06-23 17:57:002208 
ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442016 DS2781測(cè)量可充電Li+和Li+聚合物電池的電壓、溫度和電流，并估算其可用電量。計(jì)算電量所需的電池包參數(shù)和應(yīng)用參數(shù)存儲(chǔ)在片上EEPROM中。根據(jù)電量寄存器的內(nèi)容，向主系統(tǒng)報(bào)告在當(dāng)前溫度、放電速率
2023-06-15 10:56:29
，我試圖了解使用 ESP8266 可以使用哪些內(nèi)存。當(dāng)我做對(duì)時(shí)，有可用的 RAM 和閃存。它們之間的區(qū)別在于，Flash 存儲(chǔ)器不是易失性的。所以我嘗試訪問和讀取閃存，最后得到以下草圖：
代碼：全選
2023-06-07 06:43:39
Flash存儲(chǔ)器，又叫做閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器。具有操作方便讀寫速度快等優(yōu)點(diǎn)。一般用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)和程序代碼，或者用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2023-06-02 17:40:373879 
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
我不確定 100% 理解 RTC 慢速內(nèi)存如何與深度睡眠一起工作。
簡(jiǎn)而言之，我需要在當(dāng)前（電池供電）項(xiàng)目中非常節(jié)能。
我想知道將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在 RTC 慢內(nèi)存中是否意味著 SoC 必須以某種方式保持
2023-05-31 08:52:54
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
主存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲(chǔ)容量**
存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實(shí)際存儲(chǔ)容量：** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822 
的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。1.1存儲(chǔ)器ROM介紹rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，
2023-05-19 17:04:36766 
停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
1.1 存儲(chǔ)器ROM介紹
rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了
2023-05-19 15:59:37
與NOR Flash相比，其讀取速度慢得多。由于NAND電路的布局，存儲(chǔ)器是串行訪問的。這些設(shè)備可以一次寫入一個(gè)字節(jié)到單個(gè)內(nèi)存地址。NAND是理想的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。它通常存在于需要頻繁上傳和覆蓋大文件
2023-05-18 14:13:37
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191540 首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM（可編程只讀存儲(chǔ)器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。 FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬(wàn)次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于
2023-05-04 13:56:111160 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
基本上，我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評(píng)估板中的非易失性存儲(chǔ)器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
隨著需求的變化和技術(shù)的迭代，固態(tài)硬盤在接口、協(xié)議和形態(tài)上都出現(xiàn)了很多新發(fā)展和新變化。今天瑞薩君就為大家介紹這款 適用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的PCIe非易失性存儲(chǔ)器Express（NVMe）固態(tài)硬盤解決方案
2023-03-30 20:00:06674 我們知道計(jì)算機(jī)只有CPU是不能工作的，那理論上除了CPU還需要什么硬件呢？答：還需要 存儲(chǔ)器 。
那什么是存儲(chǔ)呢？在電子計(jì)算機(jī)中，用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和指令等的記憶部件，叫做存儲(chǔ)器。 存儲(chǔ)器是由一些編號(hào)的單元所組成。 單元的編號(hào)叫做地址。
2023-03-30 14:41:501663 
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存，港臺(tái)稱之為記憶體
2023-03-30 14:18:4815277 
知道在哪里可以找到 LPCXpresso54S018 的 EEPROM 讀/寫示例？通常存儲(chǔ)代碼的 BOARD_FLASH 是否被視為 EEPROM 或其他？
2023-03-24 08:34:23
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