MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態(tài)硬盤（SSD）可延長壽命
2024-03-18 10:24:36
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器件選型。 1. Compact系列CPLD總體介紹 Compact 系列器件是采用 55nm 工藝制造的低成本、高密度IO并具有非易失性的CPLD產(chǎn)品，采用先進的封裝技術(shù)，提供上電瞬間啟動功能；其中
2024-03-16 07:08:16
我用5.2的庫生成的FOC程序?qū)﹄姍C進行控制，上電后通過workbench 控制電機，正常啟動電機后，串口會失聯(lián)，電機還保持著失聯(lián)前的狀態(tài)轉(zhuǎn)動
2024-03-15 06:37:12
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
努力，若不符合總線協(xié)議的要求，便失去了意義。因此，深入理解總線協(xié)議是每位信號完整性工程師的必備素質(zhì)，它指引著工程師確保信號在傳輸過程中的完整性和準確性。
四、PCB布局關鍵
1、確保PCB設計品質(zhì)
2024-03-05 17:16:39
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
，
qspi_obj.context);
}
...
}
其中，紅色的字體定義如下
/** 在 quad 之后輪詢內(nèi)存的就緒狀態(tài)時應用超時
* 啟用命令已發(fā)出。 Quad 使能是一種非易失性寫入
2024-01-31 06:01:09
臺積電近日宣布，與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲器領域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 據(jù)報道，全球領先的半導體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關技術(shù)方面取得了重大進展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量內(nèi)存和車用市場訂單。
2024-01-18 16:44:044838 鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應用對更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭相研發(fā)的重點。
2024-01-18 14:44:00838 材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面： 注入摻雜 在碳化硅中，碳硅鍵能較高，雜質(zhì)原子難以在其中擴散。因此，在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:14291 
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
最近，Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的性能，每比特開關能量低于100飛焦耳，耐用性超過10的15次方。
2024-01-05 11:47:18428 
高級汽車級橋式傳感器信號調(diào)理芯片JHM150XJHM150X系列產(chǎn)品是針對惠斯通電橋式傳感器信號設計的具有數(shù)字補償算法高精度信號調(diào)理電路，可對傳感器信號的偏移、靈敏度、溫漂和非線性同時進行補償。補償算法的校準系數(shù)保存在片上的MTP中。 JHM1501是一款針對惠斯通電橋式傳感器信號設計的具有數(shù)字補償算法高精度信號調(diào)理電路，可對傳感器信號的偏移、靈敏
2024-01-04 20:54:47
軟件測試是軟件開發(fā)過程中重要的一環(huán)，其目的是發(fā)現(xiàn)軟件中存在的問題，并提供解決方案。因此，軟件測試的八大特性對于保證軟件的質(zhì)量和穩(wěn)定性至關重要。
1、功能性是指軟件是否按照需求文檔和設計文檔正確
2024-01-02 10:15:12
我測試ADXL203（5V供電，輸出電容0.047uF即100Hz），發(fā)現(xiàn)它的幅頻特性曲線很差。
記錄一組X軸數(shù)據(jù)如下：
水平靜態(tài)Vo=2.55V
垂直靜態(tài)Vo=1.55/3.55V
2024-01-02 07:22:44
RAM來維持它的運行和使用，只有在保存相關文件時才會轉(zhuǎn)存到 microSD 卡。
正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶，RAM 是掉電不保存，而 microSD 卡則是掉電保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
機械特性硬度是電機固有的嗎，它和什么有關呢？和連接的負載有關系嗎，調(diào)速時可以將其改變嗎
2023-12-15 06:51:36
11月25日，由教育部高等教育司指導、國家示范性軟件學院聯(lián)盟主辦、上海交通大學和OpenHarmony項目群技術(shù)指導委員會聯(lián)合承辦的“特色化示范性軟件學院關鍵基礎軟件創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇”在浙江省杭州市
2023-12-12 14:22:13220 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
中圖儀器SuperViewW1非接觸表面形貌儀白光干涉儀具有測量精度高、功能全面、操作便捷、測量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點。它基于白光干涉原理，以3D非接觸方式，測量分析樣品表面形貌的關鍵參數(shù)和尺寸，測量
2023-12-06 14:04:23
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
像mdk可以在整個工程中搜索關鍵字
IAR應該也有類似的功能吧，但是我貌似沒有找到
2023-11-08 07:21:59
高精度測量。電機特性常數(shù)測試系統(tǒng)測試項目：1、轉(zhuǎn)矩-轉(zhuǎn)速特性及效率：轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)速曲線 電機效率；2、關鍵特性參數(shù)的測量：持續(xù)轉(zhuǎn)矩
2023-10-28 13:12:56
littlevgl這個GUI怎么樣？相比EMWIN有什么特色？
2023-10-28 07:03:46
用于傳感器接口設計的運算放大器，哪幾項特性最為關鍵？ 傳感器接口設計是電子系統(tǒng)設計中非常重要的一個步驟。運算放大器作為傳感器接口中最常見的電路元件，因為它能幫助我們完成信號放大、濾波和線性化等功能
2023-10-25 11:50:32235 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么實現(xiàn)一個非阻塞性的串口屏收發(fā)
2023-10-24 08:15:33
2/4用于電機運動時候檢測電機失步、堵轉(zhuǎn)和力矩控制。TriCOder用來檢測電機在靜止時候的丟步可以檢測出丟失的步數(shù)。 TMC5272 TMC5271將傳動由MCU程序完成的運動控制功能也集成在內(nèi)
2023-10-22 11:41:32
隨著工業(yè)4.0的出現(xiàn)，工廠的智能化和互聯(lián)性正在日益提高。智能工廠中的機械設備就能夠采用所連接的無線傳感器節(jié)點的實時數(shù)據(jù)，提前預測可能發(fā)生的故障，并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施，以避免意外的系統(tǒng)停機。累積
2023-10-19 11:27:37
如何捕捉并重現(xiàn)稍縱即失的瞬時信號？
2023-10-18 06:26:54
1.XL-942S非車載充電機現(xiàn)場特性測試儀產(chǎn)品介紹XL-942S非車載充電機現(xiàn)場特性測試儀集成了現(xiàn)場校驗儀、功率分析儀、示波錄波器、BMS模擬器軟件、車輛直流接口電路模擬盒、絕緣電阻測試儀等部分
2023-10-13 17:38:21
IAR能否支持對兆易的GD32進行編程開發(fā)
2023-10-11 07:30:23
亙存科技成立于2019年，是一家以mram技術(shù)為中心，致力于設計、開發(fā)和銷售相關產(chǎn)品的Fabless企業(yè)。總公司設在深圳，在上海、蘇州等地設有r&d中心和支持團隊。
2023-09-20 10:27:21660 作為紫光同創(chuàng)Logos2系列中高端FPGA開發(fā)板，盤古100K開發(fā)板_PG2L100H關鍵特性評估板以其強大的板載資源，全方位國產(chǎn)化方案，高容量、高帶寬，海量外圍接口等特性，廣受用戶好評。盤古
2023-09-19 11:13:12
LPS33HW代表了最新一代高性能MEMS氣壓傳感器，它專為可穿戴設備而設計，也適用于工業(yè)設備和電表。LPS33HW也可以耐受氯、溴和鹽水等化學物質(zhì)，非常適合在泳池和海水中游泳時使用。它還可以耐受
2023-09-13 06:19:07
作為紫光同創(chuàng)Logos2系列中高端FPGA開發(fā)板，盤古100K開發(fā)板_PG2L100H關鍵特性評估板以其強大的板載資源，全方位國產(chǎn)化方案，高容量、高帶寬，海量外圍接口等特性，廣受用戶好評。盤古100K開發(fā)板可實現(xiàn)復雜項目的開發(fā)評估，滿足多方位的開發(fā)需求。
2023-09-08 15:13:01
M0 core上運行。非易失性閃存允許進行場上堆棧升級。? 低功耗特性:? BlueNRG可以使應用程序滿足適度緊密的峰值電流需求。在輸出功率為1dBm時，最大峰值電流只有10mA。極低功率的休眠
2023-09-08 06:02:47
（STSAFE-A110 微控制器（以下統(tǒng)稱為 STSAFE））可增強安全性。安全服務是一種可升級的代碼，提供了一組服務，非安全應用程序可以在運行時間使用這些服務，這些服務管理著與非安全應用程序相隔離的關鍵資產(chǎn)。非安全
2023-09-06 07:52:32
MCU作為數(shù)字電源設計中的最關鍵的器件，了解其相關特性對產(chǎn)品的設計尤為重要。STM32F3/STM32G4/STM32H7系列由于其擁有先進的高精度定時器以及豐富模擬外設資源，目前在數(shù)字電源產(chǎn)品中被廣泛應用。本課件涵蓋了STM32與數(shù)字電源應用相關的關鍵外設的詳細介紹以及動手實驗。
2023-09-06 06:03:16
飛思卡爾的Kinetis設備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎，而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大，在內(nèi)存領域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 作為紫光同創(chuàng)Logos2系列中高端FPGA開發(fā)板，盤古100K開發(fā)板_PG2L100H關鍵特性評估板以其強大的板載資源，全方位國產(chǎn)化方案，高容量、高帶寬，海量外圍接口等特性，廣受用戶好評。盤古
2023-08-11 11:40:32
M480系列特色功能Trust Boot，讓您每次開機運行的程序都是可信賴的
2023-08-10 16:24:22314 
的訂單分一杯羹，不少廠商都已經(jīng)搭建出了具備獨特競爭力的特色工藝產(chǎn)線，且在汽車、工業(yè)的市場的強勁態(tài)勢下，他們也都紛紛開啟了特色工藝的擴產(chǎn)流程。
2023-08-09 00:15:001139 引言：在晶振選型時，除了關鍵參數(shù)之外，也需要考慮更多的特性與參數(shù)，保證系統(tǒng)超長期運行的穩(wěn)定性和可靠性，本節(jié)主要介紹有關晶振的各項關鍵特性和參數(shù)。（傳送門：Analog series-OSC-1：無源晶振的基礎）
2023-07-23 10:52:181469 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內(nèi)核時鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內(nèi)同時集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 ML51的ADC有哪些特色
2023-06-19 15:32:54
我有一個我創(chuàng)建的項目，我想上傳固件 OTA。
我看過 Arduino OTA，但是我的代碼是用非操作系統(tǒng)構(gòu)建的（不是在 Arduino 平臺上）。
有誰知道我如何添加 OTA 功能？我正在使用 SDK 版本 1.5.4
2023-06-09 08:15:49
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 我們正在構(gòu)建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
恩智浦和臺積電聯(lián)合開發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396 種開關和控制插入模塊 ·包括 Keysight(原Agilent) BenchLink Data Logger 軟件 ·非易失存儲器存儲 50
2023-05-23 17:21:06
種開關和控制插入模塊 ·包括 Keysight(原Agilent) BenchLink Data Logger 軟件 ·非易失存儲器存儲 50
2023-05-19 10:37:09
一種便攜式存儲設備，當插入計算機時，被解析為內(nèi)置硬盤設備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。
5、RAM
RAM是一個易失性內(nèi)存選項。一旦設備
2023-05-18 14:13:37
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 請問這個三態(tài)門為什么不能實現(xiàn)非功能？它的邏輯表達式不應該是A非嗎？
2023-05-10 17:44:20
targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用戶指南中的說明使用 CAAM 可信純密鑰加密/解密非易失性存儲上的數(shù)據(jù)，但 bsp 不包括使用 CAAM 標記密鑰加密所需
2023-05-09 08:45:33
AXI 協(xié)議有幾個關鍵特性，旨在改善數(shù)據(jù)傳輸和事務的帶寬和延遲
2023-05-06 09:49:45716 S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴展選項。
2023-04-27 17:33:44420 請問這個三態(tài)門為什么不能實現(xiàn)非功能？它的邏輯表達式不應該是A非嗎？
2023-04-26 11:49:06
本文中，我們將深入介紹壓敏電阻的參數(shù)和用途。 一、壓敏電阻的基本概念壓敏電阻是一種非極性電子元器件，其特殊材料以超高電阻值作為其基礎特性。當電壓在預設的范圍內(nèi)時，它的電阻值保持為較高的值，但當電壓超過
2023-04-20 15:08:04
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462544 我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊
2023-04-17 07:52:33
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
中，車載電子系統(tǒng)設計的復雜度顯著提升，對于存儲產(chǎn)品而言，大容量、實時響應、高可靠性和安全性必不可少，兆易創(chuàng)新車規(guī)級GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩(wěn)定的制造業(yè)供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
風暴、地震和恐怖襲擊等緊急情況。智能電網(wǎng)還允許在發(fā)生設備故障或中斷時自動重新路由，因為它具有雙向交互功能。智能電網(wǎng)的概念模型如圖1所示。 實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)與智能電網(wǎng)集成的關鍵技術(shù) 通信技術(shù)。在智能電網(wǎng)中使
2023-04-06 16:29:53
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
請教一下大神伺服電機
失步時是怎樣得到補償?shù)模?/div>
2023-03-23 15:34:44
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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