IGBT工作中的特性：

IGBT 的靜態特性，靜態數據特性關鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關特性。

（1）光電流特性：IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓中間的關聯曲線圖。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的操縱，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性類似。也可分成飽和狀態區1 、變大區2 和穿透特性3 一部分。在截至情況下的IGBT ，順向電壓由J2 結擔負，反方向電壓由J1結擔負。假如無N 緩沖區域，則正反面向阻隔電壓能夠保證一樣水準，添加N 緩沖區域后，反方向關斷電壓只有做到幾十伏水準，因而限定了IGBT 的一些運用范疇。

（2）遷移特性：IGBT 的遷移特性就是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 中間的關聯曲線圖。它與MOSFET 的遷移特性同樣，當柵源電壓低于打開電壓Ugs（th） 時，IGBT 處在關斷情況。在IGBT 通斷后的絕大多數漏極電流范疇內， Id 與Ugs呈線性相關。柵源電壓受漏極電流限定，其值一般取名為15V上下。

（3）電源開關動畫特效：IGBT 的電源開關特性就是指漏極電流與漏源電壓中間的關聯。IGBT 處在導通態時，因為它的PNP 晶體三極管為寬基區晶體三極管，因此 其B 值極低。雖然閉合電路為達林頓構造，但穿過MOSFET 的電流變成IGBT 總電流的關鍵一部分。這時，通態電壓Uds（on） 能用下式表明

Uds（on） = Uj1 Udr IdRoh

式中Uj1 —— JI 結的順向電壓，其數值0.7 ～1V ;Udr ——擴展電阻Rdr 上的損耗;Roh ——斷面電阻器。

通態電流Ids 能用下式表明：Ids=（1 Bpnp）Imos；式中Imos ——穿過MOSFET 的電流。

因為N 區存有氧化還原電位調配效用，因此 IGBT 的通態損耗小，抗壓1000V的IGBT 通態損耗為2 ～ 3V 。IGBT 處在斷態時，僅有不大的泄露電流存有。

IGBT的動態特性

IGBT在啟用全過程中，絕大多數時間做為MOSFET來運作的，僅僅在漏源電壓Uds 降低全過程中后期，PNP 晶體三極管由變大區至飽和狀態，又提升了一段時間延遲。td（on） 為啟用時間延遲， tri 為電流增益值。具體運用中常會得出的漏極電流啟用時間ton 即是td （on） tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 構成。

IGBT的開啟和關斷規定給其柵極和基極中間再加上順向電壓和負性電壓，柵極電壓可由不一樣的光耦電路造成。當挑選這種光耦電路時，務必根據下列的主要參數來開展：元器件關斷參考點的規定、柵極正電荷的規定、耐固性規定和開關電源的狀況。由于IGBT柵極- 發射極特性阻抗大，故可應用MOSFET驅動器技術性開展開啟，但是因為IGBT的鍵入電容器較MOSFET為大，故IGBT的關斷偏壓應當比很多MOSFET光耦電路出示的偏壓高些。

IGBT在關斷全過程中，漏極電流的波型變成幾段。由于MOSFET關斷后，PNP晶體三極管的儲存正電荷無法快速清除，導致漏極電流較長的尾端時間，td（off）為關斷時間延遲，trv為電壓Uds（f）的增益值。具體運用中經常得出的漏極電流的下降時間Tf由圖上的t（f1）和t（f2）幾段構成，而漏極電流的關斷時間

t（off）=td（off） trv十t（f）；式中，td（off）與trv之和又稱之為儲存時間。

IGBT的電源開關速率小于MOSFET，但顯著高過GTR。IGBT在關斷時不用負柵壓來降低關斷時間，但關斷時間隨柵極和發射極并聯電阻的提升而提升。IGBT的打開電壓約3～4V，和MOSFET大致相同。IGBT通斷時的飽和狀態損耗比MOSFET低而和GTR貼近，飽和狀態損耗隨柵極電壓的提升而減少。

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