富士通與亞馬遜云服務AWS宣布深化合作，共同推出現代化加速聯合計劃，旨在推動AWS云上遺留應用程序的現代化進程。該計劃將于4月1日正式啟動，將富士通的系統集成能力與AWS的專業服務相結合，為運行在本地大型機和UNIX服務器上的傳統關鍵任務應用程序提供評估、遷移和現代化服務。
2024-03-19 10:59:35
221 是2.7V-3.3V.項目測試過程中，發現在上電掉電的過程中，鐵電存儲器的數據無端的被改亂了，鐵電的數據被改的面貌全非。我們判斷是電壓低于2.7V時，STM32G070在正常工作，但鐵電已經工作異常了，此時修改了數據
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲器可實現超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理，是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
，斷電后數據不會丟失。ROM中的數據在制造過程中被永久地寫入芯片中，并且無法從ROM中刪除或修改數據。這使得ROM適用于存儲永久性的固定數據，如計算機的啟動程序（BIOS）、固件和操作系統。 相較之下，RAM是一種易失性存儲器，當計算機斷電時存儲在RAM中的數據會立即丟失。RAM是臨時存儲器，它用
2024-01-25 10:46:28611 只讀存儲器（ROM）是一種計算機存儲設備，用于存儲固定數據和指令，其特點如下： 數據固定性：只讀存儲器中的數據是在出廠時被編程固化的，用戶無法進行修改。這意味著ROM中的信息是靜態的、不可
2024-01-17 14:17:39290 當電源斷開時，隨機存取存儲器（RAM）中的數據通常會丟失。這是因為RAM是一種易失性存儲器，它必須以恒定的電源供應來維持存儲的數據。在斷電時，RAM中的電荷會逐漸耗盡，導致其中的數據丟失。在這
2024-01-16 16:30:19843 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
為DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機訪問存儲器）。根據題目提到的“斷電后會丟失”，我們可以確定RAM屬于易失性存儲器，即斷
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。
2024-01-09 14:24:03210 
使用 USB存儲器可以方便地存儲數據34972A還具有一個內置的USB存儲器端口，可便于您使用 U 盤將 BenchLink Data Logger 配置下載到34972A，并在無PC的情況下收集數據
2024-01-08 14:33:08
熱電偶、RTD 和熱敏電阻、直流/交流電壓和電流；電阻；頻率和周期非易失存儲器可存儲 5 萬個讀數，可在斷電時保持數據每個通道都有 HI/LO 極限報警功能，以及 4
2023-12-27 15:08:46
富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優點:? 抗金屬，可在金屬環境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數據寫入：可提高數據寫入時的效率。? 穩定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
要求使用其他存儲設備，如Flash存儲器，來存儲數據。 Flash存儲器是一種非易失性存儲器，能夠長時間保存數據，即使在斷電情況下也能保存數據。它具有較高的讀寫速度和較低的功耗，適用于FPGA的數據存儲需求。 FPGA上的Flash存儲器一般通過SPI（串行
2023-12-15 15:42:51543 FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 如何充分利用單片機（MCU）的非易失性存儲器 單片機（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數據和程序的重要組成部分。它可以保留數據，即使在斷電或復位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 有人說：變頻器能省電。又有人說：變頻器不能省電?，F在請問大俠：變頻器真能省電嗎？什么情況下能省電？其省電的依據是什么？
2023-12-13 09:15:47
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
非易失性靜態隨機存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數據的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56303 CONV、SCK和SDO引腳），
在假設V-REF(1V)、IN+、IN-、VCC(5V)都正常的情況下(不接入外部被測)，SDO引腳輸出的數據異常。
具體現象:
輸出的數據間歇性地為0，非零的數跳動范圍
2023-12-04 06:08:38
作簿中的范圍。 VLOOKUP函數引用的數據源在某些情況下需要保留，而在其他情況下則不需要。以下將詳細解釋這些情況。 保留數據源的情況： a. 當數據源是工作表中的范圍時，通常需要保留數據源。這是因為隨著時間的推移，數據源可能會發生變化或更新。如果您保留數
2023-12-01 10:23:34394 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統主要是實現數據的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
電能質量監測系統是集基本電量測量、電能計量、電能質量分析、電量監視與記錄、事件報警與事件記錄等功能于一體的系統；能精確、可靠地記錄各個電量參數，提供用電狀態和配電網質量的重要數據。所以在存儲器選型上
2023-11-17 10:28:51
MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片
2023-11-09 13:59:01431 starter在電機合閘使能的情況下，可以在線連接嗎
2023-11-03 08:28:12
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。浚緼T89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
的非易失性存儲器，既可以進行非易失性數據存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
數據在內存的存儲中右對齊是在什么情況下使用
2023-10-15 11:20:02
目前，日本在量子領域的研發進展落后于中美兩國，但此前已經制定發展規劃。富士通計劃將量子計算機與超級計算機相結合，以提高計算能力。未來，富士通將會把量子計算機投入實際應用，進行分子構型模擬、材料特性分析等
2023-10-09 11:03:15503 相同點？
感覺6116數據的存取很簡單呀？設置成“寫入”狀態，在地址端0001-0101依次輸入數據0001，0010，0011，0100，0101后，把存儲器設置成“讀出”狀態就可以看到輸出端
2023-10-07 08:39:25
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
與此同時，富士通還積極投身到全球各項可持續發展及碳中和行動項目當中。就在本月，富士通宣布通過參與世界可持續發展工商理事會(WBCSD)的碳足跡數據共享倡議行動(PACT)，成功實現了整個供應鏈中二氧化碳排放量的可視化。
2023-09-22 17:12:49653 對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說，在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
RAM中的一部分通常被用作緩存，用于存儲CPU經常訪問的數據和指令，以提高計算機的性能。緩存能夠以較高的速度提供對這些數據的訪問，減少了對較慢的主存儲器（如硬盤）的訪問次數，從而加快了計算機系統的響應速度。
2023-09-21 15:35:032396 存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
7個可獨立配置的DMA通道每個通道都支持硬件和軟件觸發 軟件可配置7個DMA通道的優先級非常高 / 高 / 中等 / 低 (在相同優先級的情況下由硬件決定) 數據源和數據傳輸寬度(字節/半字/字
2023-09-13 08:06:16
點擊上方“ 富士通中國 ”關注我們 2023年中國國際服務貿易交易會（服貿會）近日在北京開幕。富士通（中國）信息系統有限公司（以下簡稱“富士通”）副總裁汪波先生受邀出席本次服貿會，并在9月3日舉行
2023-09-06 17:10:02230 
新能源汽車的核心技術是大家熟知的動力電池、電池管理系統和整車控制單元。車載電子控制系統對于存取各類傳感器資料的需求持續增加，因此對于高性能非易失性存儲技術的需求也越來越高，因為當系統在進行資料分析
2023-09-01 10:04:52
樣機卻不能保存經過修改后的參數。
2、經過排查程序后，我們在程序中設置ISPCON的APUEN位為1后，3臺樣機均能正確保存經過修改后的參數。
所以在此想問一問，這個是不是NANO100芯片內部的BUG呢? 為何在沒有設置ISPCON的APUEN位為1的情況下也能擦出和并寫入FLASH存儲器呢？
2023-08-24 08:20:58
富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產品。目前已實現量產產品。 在不斷變化的環境中，隨著傳感器信息數據量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032205 一個可隨時存取數據的存儲器，即可讀(取)或寫(存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數據。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統掉電的情況下仍可保留所存數據，但因其技術都源于R
2023-07-25 10:31:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內核時鐘周期。片內集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內同時集成4 kB非易失性Flash/EE數據存儲器、256字節RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
點擊上方“ 富士通中國 ”關注我們 富士通近日發布了《2023富士通全球可持續轉型調查報告》。該報告對來自全球9個國家的1,800名企業高管及決策者進行了調查， 闡述了可持續轉型(SX)的現狀以及
2023-07-12 17:10:01270 
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業
2023-06-29 09:39:03382 ，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數據仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態。主要分為兩種類型：靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，Fairchild發明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數據信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數據會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存儲的數據在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數據將會丟失。
2023-06-20 16:38:442016 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
RAID控制卡的日志存儲器存放重要數據，如日志和數據寫入完成、奇偶校驗寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢日志內存，以了解從哪里開始恢復。
2023-06-12 17:11:11323 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
點擊上方“ 富士通中國 ”關注我們 富士通株式會社（以下簡稱“富士通”）與微軟公司（以下簡稱“微軟”）宣布簽署為期五年的戰略合作協議，進一步擴大雙方現有合作。該協議將涉及兩家公司的投資，以推動富士通
2023-06-05 19:45:01379 我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
? 富士通將利用在不同行業的先進技術、技能和知識提供以人為本的數字服務、數據驅動的應變能力和互聯互通的生態系統，以推動可持續轉型?！?b class="flag-6" style="color: red">富士通（中國）信息系統有限公司副總裁 汪波 近日，以“智行天下
2023-05-26 10:58:24495 上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數據之后也需要補充電荷，這個就叫動態刷新，所以稱其為動態隨機存儲器
2023-05-19 15:59:37
是易失性存儲介質，在系統停電或故障的情況下，它們無法維護存儲的數據。
在為嵌入式應用程序選擇存儲設備時，不僅要考慮存儲介質的類型，還要考慮存儲容量、速度、耐用性（壽命）和成本。每種存儲技術都有其獨特
2023-05-18 14:13:37
在F407板載uart用完的情況下，怎么和PC交互？能主動收發數據
2023-05-12 15:41:12
單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數據區不寫入數據，請告知
2023-04-23 07:19:24
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 51單片機外擴數據存儲器最大的容量是多少？可以達到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
內部引導模式。當我們嘗試通過串行下載程序對熔絲進行編程時，出現錯誤，提示未找到外部存儲器。我們如何在不讀取 boot_cfc2[2:0] 并連接到外部存儲器的情況下對保險絲進行編程？
2023-04-03 07:03:34
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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