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電子發燒友網>今日頭條>富士通的非易失性鐵電存儲器FRAM有著廣泛的應用

富士通的非易失性鐵電存儲器FRAM有著廣泛的應用

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2023-04-07 16:42:42

MRAM實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

具有,即使切斷電源,信息也不會丟失,而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05

FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優勢?

8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優點與富士通FRAM相比,升級到Everspin MRAM具有許多優勢:?更快的隨機訪問操作時間?高可靠和數
2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11

適合高級汽車市場ADAS應用的非易失性存儲器MB85RS2MLY介紹

隨著萬物智聯時代的到來,智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501

是否可以將FLASH用作輔助存儲器

我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50

我們常用存儲器知道有哪些嘛

存儲器存儲介質特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲器,一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看,易失性存儲器可以理解為內存,而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551

MB85RS128BPNF-G-JNERE1

存儲器FRAM 128K(16 K×8)位SPI
2023-03-29 21:29:57

MB85RS16PNF-G-JNERE1

存儲器FRAM 16 K(2 K x 8)位SPI
2023-03-29 21:29:57

MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

存儲器FRAM 64 K(8 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:56

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1

存儲器FRAM 16 K(2 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

存儲器FRAM 1M(128 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RC256VPNF-G-JNERE1

存儲器FRAM 256 K(32 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

存儲器FRAM 256 K(32 K×8)位SPI
2023-03-29 20:47:37

MB85RC64APNF-G-JNERE1

64 K(8 K×8)位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18

如何通過與隨機持久處理寄存進行異或來保護瞬態對稱密鑰?

我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理寄存(保證在重啟時歸零)對它們進行異或,我在重啟時將其設置為隨機數。(這與寄存
2023-03-23 07:07:21

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