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電子發燒友網>今日頭條>富士通FRAM存儲器的詳細介紹

富士通FRAM存儲器的詳細介紹

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應用于電力監測儀中的存儲鐵電存儲器PB85RS2MC

PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元,對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛,無污染。
2023-04-20 11:29:57224

CH32V103基礎教程13-DMA(存儲器存儲器

本章教程講解DMA存儲器存儲器模式。存儲器存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態的源數據,存放在內部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上(內部SRAM),最后對比源數據和目標地址的數據,判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08

非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優缺點

存儲設備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電,即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42

FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優勢?

Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運行,但還允許系統設計人員利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理的系統最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲器,實時時鐘,低VDD復位,看門狗定時,非易失性事件計數,可鎖定的64位序列號區域以及
2023-04-07 16:23:11

適合高級汽車市場ADAS應用的非易失性存儲器MB85RS2MLY介紹

隨著萬物智聯時代的到來,智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501

是否可以將FLASH用作輔助存儲器

我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50

我們常用存儲器知道有哪些嘛

存儲器存儲介質特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲器,一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看,易失性存儲器可以理解為內存,而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551

MB85RS128BPNF-G-JNERE1

存儲器FRAM 128K(16 K×8)位SPI
2023-03-29 21:29:57

MB85RS16PNF-G-JNERE1

存儲器FRAM 16 K(2 K x 8)位SPI
2023-03-29 21:29:57

MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

存儲器FRAM 64 K(8 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:56

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1

存儲器FRAM 16 K(2 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

存儲器FRAM 1M(128 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RC256VPNF-G-JNERE1

存儲器FRAM 256 K(32 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

存儲器FRAM 256 K(32 K×8)位SPI
2023-03-29 20:47:37

MB85RC64APNF-G-JNERE1

64 K(8 K×8)位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18

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