《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

編號(hào)：JFKJ-21-206

作者：炬豐科技

摘要

采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷和晶格完善性。一個(gè)正六邊形的蝕刻坑密度約為4000厘米在AlN的鋁表面上觀察文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁到單晶。?EPD沿纖鋅礦結(jié)構(gòu)滑移方向呈線陣分布，表明其規(guī)模相當(dāng)大晶體在生長過程中所產(chǎn)生的熱應(yīng)力。?XRD全寬半最大值(FWHM)晶體為35弧秒，表明晶格完美。這些吸收可能與雜質(zhì)O、C、Si有關(guān)以及它們在AlN單晶中的配合物。 ?

關(guān)鍵詞:AlN;?PVT;?蝕刻;?缺陷 ?

介紹 ?

AlN是一種半導(dǎo)體間隙，具有高熱穩(wěn)定性和導(dǎo)電性。?近年來，作為iii -氮化物材料als的代表，GaN和AlGaN在光電子制造中得到了廣泛的應(yīng)用以及新的大功率電子設(shè)備。?然而，由于其與傳統(tǒng)襯底的熱和晶格不匹配，外延材料含有較大的位錯(cuò)密度，這些缺陷限制了器件的壽命和性能。?因?yàn)?a href="http://www.xsypw.cn/tags/氮化鎵/" target="_blank">氮化鎵和富氮化鎵配合良好，所以氮化鎵及其衍生物的理想襯底三元化合物[。?在這種情況下，低缺陷密度和良好的氮化鋁單晶晶格完整性是制備高質(zhì)量氮化鋁的先決條件。?因此,它是研究AlN單晶缺陷及其形成機(jī)理的必要手段。

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蝕刻(15030) 蝕刻(15030)

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2023-08-08 14:56:29

半導(dǎo)體封裝的作用、工藝和演變

電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1（如半導(dǎo)體）和無源元件2（如電阻器和電容器3）。因此，電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣，可分為0級(jí)封裝到3級(jí)封裝等四個(gè)不同等級(jí)。圖1展示了半導(dǎo)體封裝工藝的整個(gè)流程。

2023-08-01 16:45:03

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半導(dǎo)體制造中的清洗工藝技術(shù)改進(jìn)方法

隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對(duì)半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來越高。

2023-08-01 10:01:56

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刻蝕工藝流程和步驟酸性蝕刻和堿性蝕刻的區(qū)別

刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。

2023-07-28 15:16:59

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半導(dǎo)體激光焊接技術(shù)的工藝應(yīng)用

半導(dǎo)體激光焊接機(jī)通過光纖輸出焊接，實(shí)現(xiàn)非接觸遠(yuǎn)距離操作，方便與自動(dòng)化生產(chǎn)線集成；激光器有電流反饋閉環(huán)控制，實(shí)時(shí)監(jiān)測調(diào)節(jié)輸出激光，保證輸出激光的穩(wěn)定；光束能量分布均勻，光斑較大，焊接金屬時(shí)，焊縫表面光滑美觀。下面來看看半導(dǎo)體激光焊接技術(shù)的工藝應(yīng)用。

2023-07-26 16:08:24

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半導(dǎo)體后端工藝：了解半導(dǎo)體測試（上）

半導(dǎo)體制作工藝可分為前端和后端：前端主要是晶圓制作和光刻（在晶圓上繪制電路）；后端主要是芯片的封裝。

2023-07-24 15:46:05

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半導(dǎo)體后封裝工藝及設(shè)備

半導(dǎo)體后封裝工藝及設(shè)備介紹

2023-07-13 11:43:20

半導(dǎo)體材料知識(shí)介紹

2023-07-13 10:55:48

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華林科納攜濕法垂直領(lǐng)域平臺(tái)與您相見SEMICON China 2023

國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會(huì)將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案，并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺(tái)亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進(jìn)行一對(duì)一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到

2023-07-04 17:01:30

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半導(dǎo)體工藝之金屬互連工藝

半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在

2023-07-03 10:21:57

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半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。

2023-06-29 16:56:17

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漲知識(shí)！半導(dǎo)體材料的分類

根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。

2023-06-27 14:34:38

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半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。

2023-06-26 09:20:10

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7.5 新型直拉硅單晶生長工藝

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:19:57

7.3 直拉硅單晶生長的基本工藝（下）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:18:16

7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（中）

單晶

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7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（上）_clip002

單晶

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7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（上）_clip001

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:15:28

Atonarp 質(zhì)譜儀通過數(shù)字分子分析推進(jìn)半導(dǎo)體過程控制

上海伯東日本 Atonarp Aston? Impact 和 Aston? Plasma 是超緊湊型質(zhì)譜儀, 適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析.

2023-06-21 10:21:08

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半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會(huì)撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對(duì)

2023-06-20 09:48:56

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利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。

2023-06-15 11:05:05

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揭秘半導(dǎo)體制程：8寸晶圓與5nm工藝的魅力與挑戰(zhàn)

在探討半導(dǎo)體行業(yè)時(shí)，我們經(jīng)常會(huì)聽到兩個(gè)概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個(gè)重要的概念。

2023-06-06 10:44:00

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半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

第三代半導(dǎo)體設(shè)備第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設(shè)備等。

2023-06-03 09:57:01

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詳解半導(dǎo)體封裝測試工藝

詳解半導(dǎo)體封裝測試工藝

2023-05-31 09:42:18

997

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個(gè)階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。

2023-05-30 15:14:11

1071

半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散爐）、離子注入（離子注入機(jī)）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。

2023-05-30 10:47:12

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石墨烯/硅異質(zhì)結(jié)光電探測器的制備工藝與其伏安特性的關(guān)系

通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對(duì)二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。

2023-05-26 10:57:21

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半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢

摘要：針對(duì)半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點(diǎn)介紹集成電路工藝設(shè)備、分立器件工藝設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展態(tài)勢和主要技術(shù)挑戰(zhàn)。

2023-05-23 15:23:47

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SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源

半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。

2023-05-19 15:39:04

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如何在蝕刻工藝中實(shí)施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。

2023-05-19 10:27:31

575

半導(dǎo)體工藝之氣相外延介紹

在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。

2023-05-19 09:06:46

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高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。

2023-05-18 09:13:12

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硅晶片的酸基蝕刻：傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。

2023-05-16 10:03:00

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半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐，全自動(dòng)直拉單晶生長爐，是一種在惰性氣體（氮?dú)狻⒑鉃橹鳎┉h(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。

2023-05-16 09:48:51

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金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；

2023-04-28 10:04:52

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半導(dǎo)體工藝之金屬布線工藝介紹

本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過程中，會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。

2023-04-25 10:38:49

986

工業(yè)泵在半導(dǎo)體濕法腐蝕清洗設(shè)備中的應(yīng)用

【摘要】在半導(dǎo)體濕法工藝中，后道清洗因使用有機(jī)藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進(jìn)行對(duì)比研究，論述不同藥液與機(jī)臺(tái)的清洗原理，清洗特點(diǎn)與清洗局限性。【關(guān)鍵詞

2023-04-20 11:45:00

823

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》金屬氧化物半導(dǎo)體的制造

半導(dǎo)體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機(jī) ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機(jī)身 ? 逆變器掩模組晶體管

2023-04-20 11:16:00

247

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》III-V的光子學(xué)特性

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V的光子學(xué)特性編號(hào)：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技摘要 ? ???III-V型半導(dǎo)體納米線已顯示出巨大的潛力光學(xué)、光電和電子器件的構(gòu)建

2023-04-19 10:03:00

光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應(yīng)離子蝕刻

反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。

2023-04-14 14:26:16

1253

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長

技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間較大。從中長期看，國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)

2023-04-14 13:46:39

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）

2023-04-12 14:54:33

1004

從頭到尾的半導(dǎo)體技術(shù)

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高

2023-04-10 17:26:10

453

濕式半導(dǎo)體工藝中的案例研究

半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會(huì)排放有害廢氣。對(duì)于使用非常活潑的氣體的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見的做法。相比之下，對(duì)于濕法化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)

2023-04-06 09:26:48

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氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻

清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機(jī)、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。

2023-03-31 10:56:19

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