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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>什么時(shí)候使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET

什么時(shí)候使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET

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2023-09-05 14:56:291587

人工智能什么時(shí)候普及

人工智能什么時(shí)候普及 隨著科技的不斷進(jìn)步,人工智能已經(jīng)融入了我們的生活。不管是在工業(yè)領(lǐng)域還是在日常生活中,人工智能的應(yīng)用已經(jīng)變得越來(lái)越普遍。那么,人工智能什么時(shí)候會(huì)普及呢? 人工智能目前的應(yīng)用場(chǎng)
2023-08-12 17:26:47610

RK3588 ubuntu什么時(shí)候能支持mpi

目前的測(cè)試buildroot下mpi例子可以工作,debian和ubuntu下運(yùn)行報(bào)egl錯(cuò)誤,請(qǐng)問(wèn)ubuntu下預(yù)計(jì)什么時(shí)候能支持。
2023-08-11 16:53:05

如何搭載一個(gè)負(fù)載開(kāi)關(guān)電路load switch?

在很多電路中,一個(gè)電源可能對(duì)應(yīng)多個(gè)負(fù)載,有時(shí)候要切換負(fù)載的供電,有時(shí)候要對(duì)負(fù)載進(jìn)行限流,通常的方法可以用PMIC去操作不同的負(fù)載,也可以使用負(fù)載開(kāi)關(guān)去操作。
2023-08-02 15:24:28947

MOSFET開(kāi)關(guān):電源變換器基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開(kāi)關(guān)或用于放大電信號(hào)。MOSFET的控制是通過(guò)向柵極施加特定的電壓來(lái)進(jìn)行
2023-08-02 14:13:11344

蘋(píng)果手機(jī)iphone15什么時(shí)候上市 a17芯片和a16芯片區(qū)別

蘋(píng)果手機(jī)iphone15什么時(shí)候上市 2023年9月。
2023-07-28 16:45:0114181

森國(guó)科推出大功率IGBT分立器件

森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355

負(fù)載開(kāi)關(guān)原理,負(fù)載開(kāi)關(guān)怎么判斷好壞

負(fù)載開(kāi)關(guān)(LoadSwitch)是一種電子元器件,其主要功能是在電路中控制負(fù)載開(kāi)關(guān)狀態(tài),可以將電路的負(fù)載連接或斷開(kāi)。負(fù)載開(kāi)關(guān)廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、汽車(chē)電子、通信設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。接下來(lái),我們將介紹負(fù)載開(kāi)關(guān)的原理以及如何判斷好壞。
2023-07-14 14:13:221258

負(fù)載開(kāi)關(guān)有什么作用,負(fù)載開(kāi)關(guān)有沒(méi)有掛鎖功能?

負(fù)載開(kāi)關(guān)是一種電器開(kāi)關(guān),主要用于控制電路中的負(fù)載(電器或燈泡等)。它的作用是能夠方便地控制和切換電路中的負(fù)載,從而實(shí)現(xiàn)電路開(kāi)關(guān)負(fù)載控制的目的。它通常應(yīng)用在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)和家庭電器等領(lǐng)域。負(fù)載
2023-07-14 11:29:031599

SpringBoot的嵌入式Web容器是什么時(shí)候加載的?

背景:最近有位開(kāi)發(fā)同學(xué)說(shuō)面試被問(wèn)到Spring Boot 的啟動(dòng)流程,以及被問(wèn)到Spring Boot 的嵌入式Web容器是什么時(shí)候加載的。如何加載的。是怎么無(wú)縫切換的。
2023-07-11 10:10:59304

Littelfuse的≥2 kVHV分立MOSFET器件介紹

在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域,高壓(HV)分立功率半導(dǎo)體器件變得越來(lái)越重要,Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿(mǎn)足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483

求助,什么時(shí)候用RTOS?

本菜鳥(niǎo)一直是用的裸機(jī)開(kāi)發(fā),也學(xué)習(xí)過(guò)操作系統(tǒng),但是一直沒(méi)明白什么時(shí)候用RTOS,感覺(jué)用裸 機(jī)開(kāi)發(fā)一點(diǎn)問(wèn)題沒(méi)有啊,什么情況下用RTOS呢
2023-06-28 06:54:51

如何使用分立元件構(gòu)建雙向開(kāi)關(guān)

現(xiàn)在,讓我們了解如何使用分立元件構(gòu)建雙向開(kāi)關(guān),以實(shí)現(xiàn)預(yù)期的雙向開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2023-06-27 17:26:35676

簡(jiǎn)單電路斷開(kāi)負(fù)載

本應(yīng)用筆記展示了外部功率MOSFET如何充當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)開(kāi)關(guān),并允許開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器在重負(fù)載和低輸入電壓下啟動(dòng)。負(fù)載斷開(kāi)電路將單個(gè)NiMH電池輸出升壓至3.3V,并提供600mA輸出電流。設(shè)計(jì)采用MAX1703升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2023-06-26 09:28:39464

電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇

DC/DC 開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以?xún)?nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中,這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。
2023-06-09 09:12:22296

電機(jī)什么時(shí)候星接,什么時(shí)候角接

電機(jī)電工技術(shù)
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-08 21:08:35

如何用單PMOS設(shè)計(jì)分立負(fù)載開(kāi)關(guān)

在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前,我們先來(lái)看看不同類(lèi)型的負(fù)載開(kāi)關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)負(fù)載與電源連接或斷開(kāi),由外部啟用信號(hào)控制開(kāi)關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載
2023-06-07 16:12:171363

如何用雙MOS設(shè)計(jì)分立負(fù)載開(kāi)關(guān)

基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">負(fù)載開(kāi)關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流,由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管,如果存在反向電流,它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管
2023-06-07 16:09:252212

如何用單NMOS設(shè)計(jì)分立負(fù)載開(kāi)關(guān)

需要通過(guò)負(fù)載開(kāi)關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開(kāi)有幾個(gè)原因,一個(gè)非常簡(jiǎn)單和常見(jiàn)的原因是,它有助于節(jié)省電力。
2023-06-07 15:35:32877

基于MOSFET的固態(tài)繼電器電路

SSR 或固態(tài)繼電器是高功率電氣開(kāi)關(guān),無(wú)需機(jī)械觸點(diǎn)即可工作,而是使用 MOSFET 等固態(tài)半導(dǎo)體來(lái)切換電氣負(fù)載
2023-06-03 15:44:112556

MOSFET對(duì)使單刀雙擲開(kāi)關(guān)變得簡(jiǎn)單

借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET,您可以輕松地實(shí)現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開(kāi)關(guān),以隔離電路的一部分,并在電路其余部分關(guān)閉時(shí)從次級(jí)電源為其供電,以便待機(jī)工作 (圖1 )。通過(guò)使用互補(bǔ)對(duì),您可
2023-05-31 17:49:243200

2023年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售將達(dá)到4,428億元?

于消費(fèi)類(lèi)電子、安防、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子等領(lǐng)域,是電源、充電器、電池保護(hù)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等不可或缺的器件。 從產(chǎn)品類(lèi)型看,場(chǎng)效應(yīng)管有平面型 MOSFET、溝槽型 MOSFET、屏蔽柵型MOSFET、超結(jié)型
2023-05-26 14:24:29

看完這篇,4個(gè)步驟快速完成MOSFET選型

為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,應(yīng)采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173

MOSFET(MOS管)中的“開(kāi)關(guān)”時(shí)間可以改變電壓?jiǎn)幔?/a>

發(fā)送AT指令后resp中的緩存在什么時(shí)候會(huì)清除?

發(fā)送AT指令后,resp中的緩存在什么時(shí)候會(huì)清除?
2023-05-12 15:49:37

RTT Studio什么時(shí)候可以實(shí)現(xiàn)DAP下載調(diào)試呢?

RTT Studio什么時(shí)候可以實(shí)現(xiàn)DAP下載調(diào)試呢?手上只有一個(gè)DAP的仿真器,大概什么時(shí)候能用上呀?多謝。。。。。
2023-05-11 09:47:59

開(kāi)關(guān)電源如何選擇合適的MOSFET

DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以?xún)?nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中,這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。
2023-05-04 17:29:49575

放大電路什么時(shí)候會(huì)產(chǎn)生輕微振蕩?

放大電路什么時(shí)候會(huì)產(chǎn)生輕微振蕩?產(chǎn)生輕微振蕩的原理是什么?為什么沒(méi)有自激振蕩變成穩(wěn)定的正弦波?
2023-04-26 15:10:14

什么是負(fù)載開(kāi)關(guān)

負(fù)載開(kāi)關(guān)是節(jié)省空間的集成式電源開(kāi)關(guān)。這些開(kāi)關(guān)可用來(lái)“斷開(kāi)”耗電量大的子系統(tǒng)(當(dāng)處于待機(jī)模式時(shí)),或用于負(fù)載點(diǎn)控制以方便電源排序。智能手機(jī)得到普及之后,人們創(chuàng)建了負(fù)載開(kāi)關(guān);由于手機(jī)添加了更多的功能
2023-04-17 10:25:171263

何時(shí)使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET

像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式,其四周?chē)@著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管(BJT)/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管)圍繞的功率MOSFET)。但在多數(shù)情況下,使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 09:17:39512

請(qǐng)問(wèn)什么時(shí)候可以買(mǎi)到HXS320F280025CPTT樣品?

請(qǐng)問(wèn)什么時(shí)候可以買(mǎi)到或者申請(qǐng)到HXS320F280025CPTT樣品?
2023-04-13 09:59:00

usb_serial_jtag.h什么時(shí)候可以添加到編程指南中?

usb_serial_jtag_ 函數(shù),它們不會(huì)出現(xiàn)。我可以在示例中找到 usb_serial_jtag_ 函數(shù)并計(jì)算出其中的大部分內(nèi)容,但是什么時(shí)候將它添加到編程指南中?
2023-04-13 08:08:50

求分享UCODE 7芯片中的MOSFET數(shù)據(jù)?

您好,我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性,該 MOSFET 開(kāi)關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎?非常感謝~
2023-03-31 07:53:20

基于分立元件的觸摸延時(shí)開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)

【任務(wù)】多層住宅的樓道的照明燈通常會(huì)使用延時(shí)開(kāi)關(guān)控制,即過(guò)客觸摸一下開(kāi)關(guān),燈會(huì)亮一段時(shí)間,隨后自動(dòng)關(guān)閉。這種設(shè)計(jì)一方面方便行人在合理的時(shí)間內(nèi)安全通過(guò)樓道,另一方面可節(jié)約能源。下面嘗試使用分立器件設(shè)計(jì)這個(gè)觸摸延時(shí)開(kāi)關(guān)電路。
2023-03-29 11:50:031070

S32K3作為SPI slave,什么時(shí)候執(zhí)行第一次傳輸API?

實(shí)現(xiàn)的,之后會(huì)在SPI回調(diào)函數(shù)中進(jìn)行傳輸。我想知道如果另一個(gè)芯片作為master,我應(yīng)該什么時(shí)候執(zhí)行第一次傳輸API?我無(wú)法預(yù)測(cè)master什么時(shí)候發(fā)送數(shù)據(jù)。
2023-03-27 06:52:10

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