手冊說L9369的PROM不是非易失存儲，那么如果芯片掉電（VBP），PROM中的數據是否會全部丟失？
EPB應用是否要求VBP掛KL30上
2024-03-21 07:19:54
專用集成芯片（ASIC，Application Specific Integrated Circuit）指的是為特定應用而定制的集成電路。與通用芯片相比，ASIC針對特定的應用需求進行優化和設計，從而實現更高的性能、更低的功耗和更小的體積。
2024-03-20 17:10:20
113 MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態硬盤（SSD）可延長壽命
2024-03-18 10:24:3648 
嵌入式鐵電存儲器可實現超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理，是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
一次性透析導管滑動性能測試儀產品簡介PMT-CSP02導管滑動性能測試儀根據《YY/T 1536-2017 非血管內導管表面滑動性能評價用標準試驗模型》 、《T CAMDI 021
2024-02-26 16:09:10
產品簡述
MS1242/MS1243 是一款高精度、寬動態范圍、 ?-Σ 模數轉
換芯片，其工作電壓為 2.7V 至 5.25V ，可以達到 24bit 無失碼轉
換，有效精度可達 21bit
2024-02-19 16:22:51
MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
臺積電近日宣布，與工研院合作開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術的1%。這一創新技術為次世代存儲器領域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 據報道，全球領先的半導體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關技術方面取得了重大進展。該公司成功開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創新的運算架構，使其功耗僅為其他類似技術的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺積電在MRAM技術方面已經取得了顯著進展，成功研發了22納米、16/12納米工藝的MRAM產品線，并積累了大量內存和車用市場訂單。
2024-01-18 16:44:044838 血管內導管流量測試儀 2024/濟南三泉智能科技有限公司適用于測試一次性血管內導管、非血管內導管、輸液器、直腸導管、導尿管、輸血管、透析管等醫療器械在靜水壓下液體流量測試。，廣泛應用于醫療器械檢驗機
2024-01-10 14:26:09
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。
2024-01-09 14:24:03212 
MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
最近，Imec公布的超大規模自旋軌道轉移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實現創紀錄的性能，每比特開關能量低于100飛焦耳，耐用性超過10的15次方。
2024-01-05 11:47:18430 
RAM來維持它的運行和使用，只有在保存相關文件時才會轉存到 microSD 卡。
正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶，RAM 是掉電不保存，而 microSD 卡則是掉電保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
±150mil。
3、數據組內以DQ[0]為基準，等長控制在25mil以內。
4、各數據組之間，以時鐘線為基準，等長差范圍設置為0-500mil。
DDR芯片的PCB可制造性設計
1、阻抗
在制造過程中
2023-12-25 14:02:58
±150mil。
3、數據組內以DQ[0]為基準，等長控制在25mil以內。
4、各數據組之間，以時鐘線為基準，等長差范圍設置為0-500mil。
DDR芯片的PCB可制造性設計
1、阻抗
在制造過程中
2023-12-25 13:58:55
MU-K1005醫用口罩合成血液穿透試驗儀主要用途 ：MU-K1005醫用口罩合成血液穿透試驗儀用于測定醫用防護口罩在不同試驗壓力下對于合成血液穿透的抵抗能力，也可用來測定其它涂層材料的耐血液穿透性
2023-12-06 15:45:36
異構專用AI芯片的黃金時代
2023-12-04 16:42:26225 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
單片機的一個重要組成部分，用于存儲非易失性數據。在本篇文章中，我們將深入探討PADAUK PGS152單片機EEPROM芯片的特點、應用和使用注意事項。第
2023-11-23 21:16:37
目前三星仍然是全球專利第一，2002年三星宣布研發MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發逐漸走向低調。
2023-11-22 14:43:53213 
電子發燒友網站提供《透析中國三大激光產業集群.doc》資料免費下載
2023-10-31 11:14:52
0 在食品包裝領域，腸衣膜作為一種重要的包裝材料，廣泛應用于各類食品的包裝和保護。然而，腸衣膜的質量和耐久性對于保護食品的完整性和安全性至關重要。為了評估腸衣膜的耐久性，腸衣膜抗撕裂性試驗機應運而生
2023-10-26 16:37:32
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么實現一個非阻塞性的串口屏收發
2023-10-24 08:15:33
隨著工業4.0的出現，工廠的智能化和互聯性正在日益提高。智能工廠中的機械設備就能夠采用所連接的無線傳感器節點的實時數據，提前預測可能發生的故障，并通知控制系統采取糾正措施，以避免意外的系統停機。累積
2023-10-19 11:27:37
怎么利用單片機io口實現非均勻采樣？
2023-10-19 07:47:46
如何捕捉并重現稍縱即失的瞬時信號？
2023-10-18 06:26:54
IAR能否支持對兆易的GD32進行編程開發
2023-10-11 07:30:23
ST 的 8 位微控制器平臺基于高性能 8 位內核，配有先進的成套外設。 該平臺采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存儲器專有技術。STM8 通過增強型堆棧指針運算、先進的尋址模式和新指令實現快速、安全的開發。S
2023-10-10 08:05:14
51單片機P3口的wr非口有什么作用，接c0832 芯片時，芯片中的wr非口有什么作用，這個不太懂，有沒有關于p3口功能的文檔？
2023-10-08 08:03:33
概述:
YB5096是一款電子點煙器專用芯片，集成涓流、恒流、恒壓三段式充電管理，符合鋰電池充電規范。充電輸入可直接從USB口取電，充電電流默認 250mA，無需外部電阻可配置電流。集成低阻抗放電
2023-10-06 11:20:56
ST 的 8 位微控制器平臺基于高性能 8 位內核，配有先進的成套外設。 該平臺采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存儲器專有技術。STM8 通過增強型堆棧指針運算、先進的尋址模式和新指令實現快速、安全的開發。
2023-09-28 08:05:11
當腎臟接近衰竭或完全永久性衰竭時，患者代謝所產生的廢物和多余的水分開始在血液中積聚，該階段稱為終末期腎?。‥SRD）或腎衰竭。一般情況下，終末期腎臟病需要血液凈化治療，利用透析儀器可以將患者血液
2023-09-15 18:34:19302 
寬壓輸入降壓恒流小封裝SOT23-6外圍簡單外圍簡單小體積寬壓輸入LED驅動芯片小恒流方案寬壓LED降壓恒流驅動芯片寬壓霧燈日行燈小燈專用驅動芯片寬壓霧燈日行燈小燈專用驅動芯片AP5216 是一款
2023-09-14 09:33:23
據麥姆斯咨詢報道，總部位于比利時的初創公司Axithra主要開發基于芯片的拉曼光譜技術來監測患者血液中的藥物濃度，近期已籌集了1000萬歐元的種子資金。
2023-09-14 09:28:491207 飛思卡爾的Kinetis設備提供FlexMemory技術，該技術為靈活的內存使用提供了多功能和強大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
單霍爾\"地暖扇\"BLDC應用專用芯片(MDRH40)
[url=https://www.bilibili.com/video/BV1oh4y1T7Md/][/url
2023-08-31 17:14:42
作為一種磁性技術，MRAM本質上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎，而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大，在內存領域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 寬壓霧燈日行燈小燈專用驅動方案專用芯片外圍簡單小體積寬壓輸入LED驅動芯片
小恒流方案寬壓LED降壓恒流驅動芯片
寬壓霧燈日行燈小燈專用驅動芯片
寬壓霧燈日行燈小燈專用驅動芯片
AP5216 優點
2023-08-18 11:16:14
芯圣電子煙專用芯片系列分為專用MCU系列和ASIC系列，專用MCU系列簡化了電子煙方案的設計開發、壓縮開發周期與生產成本。ASIC系列，規格齊全，有多種電壓輸出模式、電壓輸出大小可選。專用MCU系列
2023-08-03 15:05:162297 
nvSRAM使用傳統的捕獲電荷技術進行非易失性存儲。由于溫度和過多的寫入周期會導致數據損耗，因此數據可能會泄漏。
2023-07-25 15:36:04244 DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內核時鐘周期。片內集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內同時集成4 kB非易失性Flash/EE數據存儲器、256字節RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數量的引腳來快速存儲、檢索數據和程序的應用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 多功能便捷式血液分析儀是醫院臨床檢驗應用非常廣泛的儀器之一，在各醫院臨床檢驗實驗室日益普及，特別是多參數、五分類血液分析儀的應用，其快捷、準確的測試結果，為臨床提供更多的實驗指標，縮短了醫療等待結果的時間，提高了工作效率。
2023-06-29 09:47:15238 
芯片檢測中的非破壞分析有哪些？
2023-06-27 15:20:08
MRAM在數據記錄應用中，數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。可以記錄系統內外部發生的事件；使用歷史；環境參數 ；機器狀態；用于分析目的的其他數據。因需要持續、反復地保存數據，內存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 流水線，高性能1. 56DMIPS-多檔系統主頻，最低32KHz-特有高速的中斷響應機制●512K字節非易失存儲FlashROM:- 448KB 用戶應用程序存儲區CodeFlash- 32KB用戶非
2023-06-20 15:59:05
W79E823/824/825 單片機沒有量產專用燒寫工具嗎？通用編程器經常報錯，難道新唐自己沒有編程器？
2023-06-15 07:37:25
氣泡檢測在輸液泵、血液透析和血流監測等應用中，AD-101氣泡傳感器用于以非侵入式的方法持續監控流體并檢測其中的氣泡。利用超聲波能夠積極識別任何類型液體中是否存在流動中斷。
2023-06-03 10:26:33793 
。 這些泵用于定期以非常精確的量輸送液體、藥物或營養物質（直接進入胃中）。 輸液泵的類型包括移動泵、腸內營養泵、腎透析機和便攜式泵。
2023-06-01 10:42:12196 
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
多通道血液分離杯氣密性檢測儀主要應用于血液分離杯的生產和質量控制過程中。這種設備能夠快速、準確地檢測血液分離杯的氣密性，確保其在使用過程中不會發生泄漏。 血液分離杯是醫療和科研實驗中常用的消耗品
2023-05-29 17:41:23277 
色壞易折安瓿折斷力測試儀安瓿瓶折斷力測試儀是一種用于測試安瓿瓶的機械強度、可靠性和安全性能的專用試驗設備，通常由液壓系統、數據采集系統、測試夾具等主要組成部分。在測試過程中，將待測安瓿瓶放置在測試
2023-05-23 16:42:10
的導管流量測試儀檢驗。導管流量測試儀是專門用于檢測導管類醫療器械流量的專用設備。適用于測試一次性血管內導管、非血管內導管、輸液器、直腸導管、導尿管、輸血管、透析管等醫
2023-05-22 14:59:21
一種便攜式存儲設備，當插入計算機時，被解析為內置硬盤設備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。
5、RAM
RAM是一個易失性內存選項。一旦設備
2023-05-18 14:13:37
高速吹風筒無刷電機驅動方案，高速風筒專用電機驅動芯片是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。高速風筒專用電機驅動芯片采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動
2023-05-10 10:49:35848 
高速風筒專用電機驅動芯片是一款高壓、高速功率
MOSFET 高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參
考輸出通道。高速風筒專用電機驅動芯片采用高低壓
兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成
2023-05-10 10:05:20
targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用戶指南中的說明使用 CAAM 可信純密鑰加密/解密非易失性存儲上的數據，但 bsp 不包括使用 CAAM 標記密鑰加密所需
2023-05-09 08:45:33
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執行)性能和基于硬件/軟件的數據保護系統?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴展選項。
2023-04-27 17:33:44420 檢驗。導管流量測試儀是專門用于檢測導管類醫療器械流量的專用設備。適用于測試一次性血管內導管、非血管內導管、輸液器、直腸導管、導尿管、輸血管、透析管等醫療器械在靜水
2023-04-27 13:54:42
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462547 中的波形，我發現 iMX RT1024 SRAM 操作存在一個問題。MR5A16A MRAM 聲明地址線必須在芯片啟用變低時有效iMX RT1024 參考手冊指出，芯片啟用在地址有效之前變為低電平
2023-04-17 07:52:33
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執行）功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數據信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩定的制造業供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲中，分為用戶應用程序存儲區CodeFlash，用戶非易失數據存儲區DataFlash,系統引導程序存儲區Bootloader，系統非易失配置信息存儲區InfoFlash。一般在使用時
2023-04-07 11:46:50
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
USB充電數據線專用升壓恒壓驅動芯片一般說明輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓ICAP8660是一種電流模式升壓DC-DC轉換器。內置0.25Ω的PWM電路功率MOSFET使該調
2023-04-04 10:00:30
在PLC(可編程邏輯控制器)產品中，MRAM芯片的應用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應用于PLC產品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
紅外熱釋電專用芯片
2023-03-28 15:12:32
請教一下大神伺服電機失步時是怎樣得到補償的？
2023-03-23 15:34:44
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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