發展到以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代以及以氧化鎵、氮化鋁為代表的第四代半導體。目前以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體器件正發展得如火如荼，在商業化道路上高歌猛進。 ? 與此同時，第四代半導體材料的研究也頻頻取得
2023-04-02 01:53:36
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在大沖擊電流的作用下,ZnO非線性電阻具有動態伏安特性,作用在閥片上的實時電壓值不僅和實時電流值有關,而且和波頭時間有關，并導致沖擊電壓和沖擊電流不是同時而是電樂先于電流達到峰值。圖2.23所示為
2024-03-22 08:00:53
的那樣，半導體行業第四個時代的主旨就是合作。讓我們來仔細看看這個演講的內容。
半導體的第一個時代——IDM
最初，晶體管是在貝爾實驗室發明的，緊接著，德州儀器 (TI)做出了第一個集成電路。當仙童
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
State Switch，簡稱TSS。它是一種用于快速開關高電壓、高電流的半導體器件。TSS最早由美國貝爾實驗室的研究人員于20世紀60年代初期發明，并在隨后的幾十年中得到了廣泛的應用和發展。目前
2024-03-06 10:07:51
、高電流的半導體器件。TSS最早由美國貝爾實驗室的研究人員于20世紀60年代初期發明，并在隨后的幾十年中得到了廣泛的應用和發展。目前，TSS已經成為電子領域中的重要組成部分，被廣泛應用于電力電子、通訊
2024-03-06 10:03:11
共讀好書 張鎏 苑明星 楊小渝 （重慶市聲光電有限公司） 摘 要： 對半導體封裝工藝的研究，先探析半導體工藝概述，能對其工作原理有一定的了解與掌握；再考慮半導體封裝工藝流程，目的是在作業階段嚴謹
2024-02-25 11:58:10275 
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產品是根據ARINC 429總線規范設計的硅柵互補式金屬氧化物半導體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
該HI-8585 and HI-8586 是互補式金屬氧化物半導體集成電路，設計用于在8引腳封裝中直接驅動ARINC 429總線，兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、鍺（Ge）等。其中，硅是最為常見和廣泛應用的半導體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一，它具有較高的化學穩定性、熱穩定性和機械性能，因此硅材料具有廣泛的應用前景。硅晶體的晶體結構為鉆
2024-02-04 09:46:07456 蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在半導體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現，有著千絲萬縷的聯系，這一節介紹半導體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
半導體材料是指在溫度較低且電流較小的條件下，電阻率介于導體和絕緣體之間的材料。半導體材料在電子器件中具有廣泛的應用，如集成電路、太陽能電池、發光二極管等。其中，硅和二氧化硅是半導體材料中最常見的兩種
2024-01-17 15:25:12508 智程半導體自2009年起致力于半導體濕法工藝設備研究、生產與銷售事業，10余載研發歷程，使得其已成為全球頂尖的半導體濕法設備供應商。業務范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設備，廣泛應用于各種高尖端產品領域。
2024-01-12 14:55:23636 半導體設備主要應用于集成電路的制造和封測環節，可細分為晶圓制造設備(前道設備）和封裝、測試設備（后道設備)。其中，前道設備主要有光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備、離子注入機、CMP設備、清洗機、前道檢測設備和氧化退火設備，后道設備主要分為測試設備和封裝設備。
2023-12-27 10:57:48281 
電力安全是至關重要的。為了確保電力系統的穩定運行，氧化鋅避雷器發揮著重要的作用。 氧化鋅避雷器是一種用于電力系統的過電壓保護設備。它采用高性能的氧化鋅電阻片，能夠在雷電或操作過電壓等情況下，迅速
2023-12-14 10:26:59177 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
，半導體器件在制造和組裝過程中會發生靜電感應，當導線接地時，內部電場將發生巨大變化，放電電流將流過電路，從而導致靜電擊穿。
對于這種靜電損壞的半導體器件非常嚴重，請確保在釋放電流之前，清除這些靜電荷
2023-12-12 17:18:54
在當今半導體制造領域，氧化鋁陶瓷片作為一種高性能、高可靠性的材料，被廣泛應用于各種電子設備中。而半導體劃片機的出現，則為氧化鋁陶瓷片的切割提供了新的解決方案，實現了科技與工藝的完美結合。氧化鋁陶瓷
2023-12-06 19:09:55189 
該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應的半導體工藝設備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應，避免產生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 關于半導體存儲的最強入門科普
2023-11-30 17:16:46372 
[半導體前端工藝：第二篇] 半導體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
氧化鋅的靈敏度、成本效益、環境兼容性、穩定性和集成能力，使其成為監測并降低二氧化碳排放的高效氣體傳感系統不可或缺的材料。
2023-11-21 12:31:43265 
關于半導體相關測試 半導體是一種常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電等眾多領域中都有應用，作為大部分電子產品核心單元需用到的材料，它的質量直接影響
2023-11-17 18:00:17207 
在當今的高壓電力系統中，氧化鋅避雷器扮演著至關重要的角色。它的實用性在于能夠有效地保護電力設備免受雷電過電壓和操作過電壓的損害，從而確保了電力系統的穩定運行。 氧化鋅避雷器是一種特殊的避雷器，它采用
2023-11-16 15:59:36167 
英思特研究了在低溫下用乙酸去除氧化銅。乙酸去除各種氧化銅，包括氧化亞銅、氧化銅和氫氧化銅，而不會侵蝕下面的銅膜。
2023-11-06 17:59:44239 
的雙重缺點。在自動拼接模塊下，只需要確定起點和終點，即可自動掃描，重建其超光滑的表面區域，不見一絲重疊縫隙。
白光干涉儀在半導體封裝中對彈坑的測量
同時，白光干涉儀還可以結合其他測量手段，如
2023-11-06 14:27:48
在電力系統中，氧化鋅避雷器是一種重要的保護設備，用于防止雷電和電力系統過電壓對設備造成的損害。然而，如果氧化鋅避雷器被擊穿，它還能繼續使用嗎？首先，我們要了解什么是氧化鋅避雷器。氧化鋅避雷器是一種
2023-11-01 16:51:44373 壓敏電阻是一種金屬氧化物陶瓷半導體電阻器。它以氧化鋅(ZnO)為基料，加入多種(一般5～10種)其它添加劑，經壓制成坯體，高溫燒結，成為具有晶界特性的多晶半導體陶瓷組件。氧化鋅壓敏電阻器的微觀結構如下圖1所示。
2023-10-26 11:15:55447 
，已得到廣泛應用 ;而以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石等寬禁帶為代表的第3代半導體材料，由于其較第1代、第2代材料具有明顯的優勢，近年來得到了快速發展。
2023-10-25 15:10:27278 
根據專利摘要，該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22734 在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環節。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
一、半導體有關概念 1、半導體 半導體是導電能力介于導體與絕緣體之間的一種物體。它內部運載電荷的粒子有電子載流子(帶負電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。硅、鍺、硒以及大多數金屬氧化
2023-09-26 11:00:331127 
本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導體受到世界各國科研和產業界的普遍關注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:44266 
熱敏電阻的種類繁多，常見的有氧化鋅、硒化鎘、鐵素體和硅等。其中，氧化鋅和硒化鎘是最常見的半導體材料，因其具有穩定性高、溫度敏感度大、響應快速、可靠性高和精度高等特點而廣泛應用于各個領域。 由于其電阻隨溫度變化，
2023-09-08 10:39:471077 機、氟弧焊機、脈沖焊機等，本文將介紹武漢芯源半導體CW32F030系列單片機在電弧焊機中的應用。
CW32F030系列MCU在電焊機的應用框圖
方案特色：
●可實現對電焊機的自動化控制，可以通過輸入
2023-09-06 09:14:04
半導體行業呈現垂直化分工格局，上游包括半導體材料、半導體制造設備等；中游為半導體生產，具體可劃分為芯片設計、晶圓制造、封裝測試；半導體產業下 游為各類終端應用。
2023-08-29 16:24:59761 
半導體技術一直是現代電子產業的核心。其中，硅（Si）作為最常用的半導體材料，有著不可替代的地位。但在制造芯片或其他半導體器件時，我們不僅僅使用純硅，而是要經過一系列復雜的工藝流程，其中一個關鍵步驟是對硅進行表面氧化處理，制得硅二氧化（SiO2）。為什么這一步驟如此重要？讓我們來深入探討。
2023-08-23 09:36:13878 
壓敏電阻器32D821k主要用于限制有害的大氣過電壓和操作過電壓，能有效地保護系統或設備：1.在電力工業中，常使用壓敏材料制成避雷器閥片。用氧化鋅壓敏材料制成高壓絕緣子，既有
2023-08-21 13:38:15
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優點。
2023-08-17 14:24:16412 
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 K 系列壓敏電阻器氧化鋅壓敏電阻器是以氧化鋅為主要材料制造的半導體無極性電子陶瓷元件。當施加在壓敏電 阻器兩端的電壓達到某一閥值時，壓敏電阻器的電阻值迅猛變小，從而在電子（電力）線路
2023-08-12 16:12:23
在半導體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩定性、擊穿場強等優勢，是國際半導體領域的研究熱點。
2023-08-09 16:14:42522 
在電力系統中，保護設備免受雷電沖擊和過電壓的影響至關重要。氧化鋅避雷器作為一種先進的過電壓保護設備，經歷了漫長的發展過程，并在不斷地進步和完善。 氧化鋅避雷器的發展可以追溯到19世紀末期，當時
2023-08-09 14:27:41301 一、產品簡介避雷器在線檢測儀用于氧化鋅[MOA]泄漏電流的測量分析。主要是用于測量阻性電流，3～7次諧波電流，從而分析氧化鋅老化和受潮的程度。是檢測氧化鋅避雷器運行中的各項交流電氣參數
2023-08-09 10:49:13
半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。
2023-08-09 10:41:56377 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
一、產品簡介HM6020氧化鋅避雷器測試儀是專門用于檢測10kV及以下電力系統用無間隙氧化鋅避雷器MOA閥電間接觸不良的內部缺陷，測量MOA的直流參考電壓（U1mA）和0.75 U1mA
2023-08-08 11:01:16
氧化鋅避雷器是一種用于保護電氣設備免受電壓過載損害的裝置。其工作原理是基于氧化鋅的電阻特性，在高壓下阻值迅速增加，從而限制電流，使電氣設備免受過度電壓的損害。以下將詳細介紹氧化鋅避雷器的用途
2023-08-07 15:43:24723 一、產品簡介HM6010氧化鋅避雷器測試儀以先進的微型計算機為控制部件，全智能操作，具有抗干擾能力強，測量準確可靠,功能強大,操作方便等優點，是現場和實驗室檢測氧化鋅避雷器各項交流電
2023-08-07 11:25:59
三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發和銷售企業Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發高性能低損耗氧化鎵功率半導體，為實現低碳社會做出貢獻。
2023-08-02 10:38:18665 金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導體具有臨界擊穿場強高和可實現大尺寸單晶襯底等優勢， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
在半導體制造過程中，每個半導體元件的產品都需要經過數百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分，它關系到半導體芯片的基本結構和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術難點多，操作復雜。
2023-07-11 11:25:552897 
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉為干法刻蝕，因此所需的設備和工藝更加復雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數出現波動，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 根據中國集成電路產業人才白皮書數據來看，目前行業內從業人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國內半導體行業快速發展的當下，定位、搶奪優質人才是企業未來長期發展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會嚴重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
氧化鋅揮發窯是化工行業中廣泛應用的生產設備,作為一種高溫下運行的大型設備,保證設備安穩定全運行、節能減排十分重要。 通過傳感器與工業物聯網的結合，物通博聯推出一套氧化鋅揮發窯在線監測系統，可以連接
2023-05-22 10:40:28227 
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 本文以半導體封裝技術為研究對象，在論述半導體封裝技術及其重要作用的基礎上，探究了現階段半導體封裝技術的芯片保護、電氣功能實現、通用性、封裝界面標準化、散熱冷卻功能等諸多發展趨勢，深入研究了半導體前端
2023-05-16 10:06:00497 測量酸露點溫度的重要性原理跟應用
一、酸露點概述。
所謂酸露點溫度通俗易懂理解為煙氣中硫酸蒸汽的凝結溫度，也可簡單理解為測量煙氣中飽和水蒸氣的濃度。在石油煉化企業中，加熱爐、鍋爐一般使用天然氣、煉廠
2023-05-13 11:37:51
由于智能型手機消費者需求的增加，無線通訊市場目前是半導體應用中，成長擴大速度最快的一個領域。隨著智能型手機需求的增加，半導體產業散發著無限潛力。半導體的熱敏，光敏等特性也決定了半導體器件在不同溫
2023-04-29 16:16:22
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
經過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導體元件。半導體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
銻化物半導體激光器是目前能夠覆蓋中紅外波段的主要手段。銻化物半導體激光器經過多年的研究和發展，已經逐漸走向成熟。
2023-04-26 10:12:10836 
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術節點，高的產量、低的成本是與現有生產系統競爭的關鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統，從長遠來看，可以為客戶節省大量費用，有可能
2023-04-21 09:20:221349 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：金屬氧化物半導體的制造 編號：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設計規則 ? 互補金屬氧化
2023-04-20 11:16:00247 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：HQ2和HF溶液循環處理 編號：JFKJ-21-213 作者：炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究了濕法化學處理過程中的表面形貌。在SC-1清洗過程中，硅表面
2023-04-19 10:01:00129 
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 及前瞻產業研究院數據，預計2021年我國半導體分立器件市場規模將達到3,229億元。就國內市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其
2023-04-14 13:46:39
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 半導體行業的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408 
氧化鋅壓敏電阻以氧化鋅（ZnO）為基料，加入Bi2O3、Co2O3、MnCO3等多種金屬氧化物混合，經過高溫燒結、焊接、包封等多重工序制成的電阻器
2023-03-30 10:26:261973
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