負責監(jiān)管藍牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會藍牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種新型藍牙物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備》，深入分析了這種新型物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。
2024-03-11 15:08:54 284 該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報告 預(yù)測了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場增長趨勢 ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負責監(jiān)管藍牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會藍牙技術(shù)聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種
2024-03-06 11:07:24 87 根據(jù)已公開的研究報告 ，東京電子的新式蝕刻 機具備在極低溫環(huán)境下進行高速蝕刻 的能力。據(jù)悉，該機器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻 工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22 109 蝕刻 時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究 的目的是確定蝕刻 ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻 ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45 306 佐思汽研發(fā)布《2023-2024年全球和中國混合動力汽車研究報告 》。
2024-01-25 13:54:50 1270 為實現(xiàn)碳化硅晶片 的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對現(xiàn)有的碳化硅化學 機械拋光 技術(shù)進行了總結(jié)和研究 。針對碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微觀晶格結(jié)構(gòu)特點，簡述了化學 機械拋光技術(shù)對碳化硅
2024-01-24 09:16:36 431 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵 (GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷 化 鎵
2024-01-19 09:27:13
CGHV40180是款氮化鎵 (GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷 化 鎵 相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
轉(zhuǎn)自：存儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日， 存 儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國電子技術(shù)標準化研究 院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲研究報告 （2023）》，詳細闡釋分布式融合存儲概念和技術(shù)要求
2023-12-21 18:05:01 270 這份報告 由業(yè)內(nèi)知名研究 機構(gòu)——MicroLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會公布。事實上，早在2000年，業(yè)界便開始關(guān)注MicroLED技術(shù)。該技術(shù)以其出色的亮度、豐富的色彩展現(xiàn)力以及超長的使用壽命引起了轟動。
2023-12-20 14:35:07 333 FLK017XP型號簡介Sumitomo的FLK017XP芯片是一種功率砷 化 鎵 場效應(yīng)管，設(shè)計用于Ku頻段的通用應(yīng)用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴格的質(zhì)量保證計劃確保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
FSX027X型號簡介Sumitomo的FSX027X是一種通用砷 化 鎵 場效應(yīng)管，設(shè)計用于介質(zhì)高達12GHz的電源應(yīng)用。這些設(shè)備具有廣泛的動態(tài)適用于中功率、寬帶、線性驅(qū)動放大器或振蕩器。Eudyna
2023-12-19 11:48:16
世界各國不僅把6G作為構(gòu)筑未來數(shù)字經(jīng)濟與社會發(fā)展的重要基石，也將其視為國家間前沿科技競爭的制高點。全球主要國家的多。個研究 機構(gòu)和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術(shù)趨勢、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等方面的白皮書和研究報告 ，陳述各國發(fā)展6G的宏偉愿景與技術(shù)思考。
2023-12-19 11:23:36 151 CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵 (GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷 化 鎵 相比
2023-12-13 10:10:57
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學 穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24 294 了前所未有的靈活性和精確度，使其成為電池材料研究 的重要貢獻。通過LabVIEW實現(xiàn)的程序化 邏輯，加上硬件的簡單性，使得這個系統(tǒng)不僅為現(xiàn)有測試提供了新的可能性，也為創(chuàng)新的電化學 方法論的發(fā)展打開了新的大門
2023-12-10 21:00:05
液晶顯示薄膜恒溫恒濕 試驗箱試驗溫度:持續(xù)時間不能試驗的化學 品系統(tǒng)組成需注意的幾個問題，溫濕度箱的選擇，本機專門測試各種材料耐熱、耐寒、耐干、耐濕 的性能。本機可選擇中文或英文液晶顯示觸控式屏幕畫面
2023-12-07 14:27:01
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究 。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻 方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39 259 存儲研究報告 》（以下簡稱：《報告 》）正式發(fā)布。《報告 》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲的概念、技術(shù)架構(gòu)和應(yīng)用場景，為融合存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國電子技術(shù)標準化研究 院領(lǐng)導表示，“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素，數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01 172 目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻 完成的。干法蝕刻 有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻 側(cè)壁。干法蝕刻 產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30 241 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報告 .pdf》資料免費下載
2023-11-16 14:29:13 0 蝕刻 設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻 液都會對蝕刻 因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學 成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻 設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10 217 艾瑞咨詢：2023年中國家用智能照明行業(yè)研究報告
2023-11-07 16:37:39 0 電阻器是電子電路中常見的被動元件，用于限制電流、調(diào)整電壓和執(zhí)行其他電阻性功能。在電阻器的制造中，有兩種常見的類型：厚膜晶片 電阻和薄膜晶片 電阻。這兩種類型的電阻器在結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用方面都有一些顯著的區(qū)別。本文將介紹厚膜晶片 電阻和薄膜晶片 電阻的區(qū)別，以幫助讀者更好地理解它們的特性和用途。
2023-10-23 09:00:17 840 在精細印制電路制作過程中，噴淋蝕刻 是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一。現(xiàn)有很多的文章對精細線路的蝕刻 做了大量的研究 ，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究 中，并沒有從本質(zhì)上認識噴淋蝕刻 中出現(xiàn)的問題。
2023-10-17 15:15:35 164 移動式 恒溫恒濕 試驗箱商品名稱：商品規(guī)格：TH系列商品簡述：移動式 恒溫恒濕 試驗箱現(xiàn)貨急售，價格便宜，質(zhì)量保證，全新機型內(nèi)尺寸：寬1米+高1.6米*深1米；溫度范圍：-40~150度，如需咨詢敬請隨時
2023-10-17 11:15:20
蝕刻 液的化學 成分的組成：蝕刻 液的化學 組分不同，其蝕刻 速率就不相同，蝕刻 系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻 液的蝕刻 系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻 液系數(shù)可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻 液可以達到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻 后的導線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35 553 由于碳纖維表面沒有催化活性,通常在鍍銀前要進行敏化、活化處理。傳統(tǒng)的敏化活化工藝一般要用到氯化亞錫、氯化鋰等試劑，這些試劑不僅價格昂貴，還會產(chǎn)生含有重金屬離子的廢液。
2023-10-12 16:56:46 482 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學 蝕刻 結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻 工藝。干法蝕刻 開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻 速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻 。
2023-10-07 15:43:56 319 香港上市公司ESG表現(xiàn)積極 ?但仍需持續(xù)改進 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務(wù)繼2021年以來，于2023年9月19日，連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報告 。通過對上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58 265 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻 工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻 工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學 方法腐蝕，稱為蝕刻 。
2023-09-18 11:06:30 669 好消息再次傳來！ 統(tǒng)信UOS又雙叒叕獲得認可！ 第一新聲發(fā)布 《2023年中國信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)研究報告 》 我們分別入選： 中國最佳信創(chuàng)廠商TOP50 中國最佳信創(chuàng)操作系統(tǒng)廠商 中國最佳信創(chuàng)廠商優(yōu)秀
2023-09-13 17:02:17 376 要注意的是，蝕刻 時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻 工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻 掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12 474 近日，中國信息通信研究 院在“2023 SecGo云和軟件安全大會”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報告 （2023年）》 （以下簡稱“報告 ”），全面介紹了在數(shù)字化轉(zhuǎn)型深化背景下，零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01 488 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻 工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻 。
2023-09-06 09:36:57 811 BSP_CMSIS_V3.02.000SampleCodeStdDriverUSBD_HID_TransferKEIL
裡頭的檔案燒錄進NANO130KE3BN晶片
并且想要使用內(nèi)附的Window Tool觀察資料的傳輸
但是我利用Visual C++ compile出Window
2023-08-24 06:13:50
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式 產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵 （GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
、化學 、建材、研究 所、大學等行業(yè)單位品管檢測之用。-70℃可程式恒溫恒濕 試驗箱主要技術(shù)參數(shù)：型號：TH-80/120/150/225/408/800/1000H（M、
2023-08-21 15:13:32
半導體蝕刻 設(shè)備是半導體製造過程中使用的設(shè)備。 化學 溶液通過將晶片 浸入化學 溶液（蝕刻 劑）中來選擇性地去除半導體晶片 的特定層或區(qū)域，化學 溶液溶解并去除晶片 表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58 319 PCB蝕刻 工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻 質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:43 1013 佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車車內(nèi)通信及網(wǎng)絡(luò)接口芯片行業(yè)研究報告 》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同，汽車通信應(yīng)用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:43 1401 預(yù)登記展會領(lǐng)取門票還可以獲得由AIoT星圖研究 院出品2023行業(yè)報告 之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場跟蹤調(diào)研報告 》、《中國光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報告 》、《2023中國智慧工地行業(yè)市場研究報告
2023-07-31 11:14:32 525 刻蝕和蝕刻 實質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學 或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:59 4140 自己的模板
研究 報告 《 容、感、阻被動元器件市場
報告 》，如需領(lǐng)取
報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? 元器件? 即可領(lǐng)取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-17 17:15:04 246 前不久，國家無線電監(jiān)測中心與全球移動通信系統(tǒng)協(xié)會（GSMA）共同發(fā)布了關(guān)于 未來寬帶移動通信與頻譜高效利用的合作研究報告 。
2023-07-17 09:56:00 976 蝕刻 是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片 表面，蝕刻 的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32 183 、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報告 》。報告 結(jié)果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過程的可持續(xù)性和透明度不
2023-07-12 13:09:55 287 蝕刻 是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片 表面，蝕刻 的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03 190 年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報告 》。報告 結(jié)果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過
2023-07-07 16:07:24 321 自己的模板
研究 報告 《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場前景
報告 》，如需領(lǐng)取
報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? 虛擬人? 即可領(lǐng)取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-03 17:25:02 283 隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻 變得更有必要。為了防止蝕刻 掩模下的橫向蝕刻 ，我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻 的研究
2023-06-27 13:24:11 318 CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學 性質(zhì)非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻 時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻 速率以及橫向或分層膜的蝕刻 速率降低，濕法化學 也會有問題。
2023-06-26 13:32:44 1053 氮化鎵 (GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于 氮化鎵 半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于 氮化鎵 技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵 充電器的制造商，公司具有標準無塵生產(chǎn)車間，為客戶進行一站式 服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵 充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
國產(chǎn)化 率認證報告 （摘錄2）
圖3 國產(chǎn)化 率認證報告 （摘錄3）
圖4 國產(chǎn)化 率認證報告 （摘錄4）
來自“中國賽寶實驗室”，很權(quán)威
工業(yè)和信息化 部電子第五研究 所（中國賽寶實驗室），又名
2023-06-15 16:56:01
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵 功率芯片實現(xiàn)氮化鎵 器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓撲結(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式 、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化 ，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵 功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
200℃。
1972年，基于氮化鎵 材質(zhì)的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來（使用摻有鎂的氮化鎵 ），。這是里程碑式 的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出藍
2023-06-15 15:50:54
% 化學 物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過 50% 的包裝材料，那氮化鎵 的環(huán)保優(yōu)勢，將遠遠大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵 ，由鎵 （原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵 的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
橋式 拓撲結(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵 的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動有源鉗位反激式 （ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化 。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵 電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵 功率芯片的學術(shù)研究 ，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵 功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵 (GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵 芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵 功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
研究報告 1.0版》，總計192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進行了詳盡研究 和分析
2023-06-09 10:32:36 550 步入式 恒溫恒濕 試驗房的用途:適用于塑膠、電子、食品、服裝、車輛、金屬、化學 、建材、航天等多種行業(yè)的溫濕變化產(chǎn)品可靠性檢測。是指能同時施加溫度、濕度應(yīng)力的試驗箱,由制冷系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、溫度
2023-06-09 10:30:45
可程式恒溫恒濕 試驗箱試驗溫度:持續(xù)時間不能試驗的化學 品系統(tǒng)組成需注意的幾個問題，溫濕度箱的選擇，本機專門測試各種材料耐熱、耐寒、耐干、耐濕 的性能。本機可選擇中文或英文液晶顯示觸控式屏幕畫面，操作簡單
2023-06-05 14:33:56
發(fā)展研究報告 1.0版》，總計192頁，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進行了詳盡研究 和分析。 以下為報告 內(nèi)容 受篇幅限制，以上僅為部分報告 預(yù)覽 后臺回復(fù)【 AIG
2023-06-04 16:15:01 503 使用化學 機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片 進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片 吸附方式等工藝參數(shù)對晶片 表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片 。
2023-05-31 10:30:06 2215 用于電動摩托 砷 化 鎵 + Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產(chǎn)品概述：GS302SA-3通過磁場強度的變化，輸出等比例霍爾電勢，從而感知電流及線性位移，廣泛用于電流傳感器、線性馬達等。由于
2023-05-31 10:02:47
等離子體蝕刻 是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻 特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究 中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究 蝕刻 過程中蝕刻 速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54 452 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻 步驟包括虛擬柵極蝕刻 、各向異性柱蝕刻 、各向同性間隔蝕刻 和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻 是各向異性的，并使用氟化化學 。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻 （壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:11 1071 自己的模板 研究 報告 《 汽車電子2023車載充電機(OBC)市場分析》，如需領(lǐng)取報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? OBC? 即可領(lǐng)取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需
2023-05-29 17:55:02 896 過去利用堿氫氧化物水溶液研究 了硅的取向依賴蝕刻 ，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻 劑，研究 了單晶硅球和晶片 的各向異性蝕刻 過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻 速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻 面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40 618 微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學 蝕刻 硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51 846 蝕刻 可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻 速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻 率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻 化學 ，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31 575 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻 圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:48 4917 拋光硅晶片 是通過各種機械和化學 工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片 ），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片 。通過蝕刻 消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻 之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00 584 在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片 的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù)，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反復(fù)摩擦，硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38 489 自己的模板 研究 報告 《 工業(yè)視覺產(chǎn)業(yè)與工業(yè)圖像傳感器技術(shù)趨勢分析》，如需領(lǐng)取報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? 工業(yè) ? 即可領(lǐng)取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交
2023-05-11 20:16:37 145 減薄晶片 有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學 機械平面化，(3)濕法蝕刻 (4)等離子體干法化學 蝕刻 (ADP DCE)。四種晶片 減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻 。為了研磨晶片 ，將砂輪和水或化學 漿液結(jié)合起來與晶片 反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻 則使用化學 物質(zhì)來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06 979 [技術(shù)領(lǐng)域] 本實用新型涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種酸性化學 品供應(yīng)控制系 統(tǒng)。 由于半導體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對象是硅晶片 ，而能在硅晶片 上蝕刻 圖形 以及清洗硅晶片 上的雜質(zhì)、微粒子的化學
2023-04-20 13:57:00 74 SW-209-PIN砷 化 鎵 匹配 GaAs SPST 開關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關(guān)
2023-04-18 15:19:22
MA4AGSW2AlGaAs 反射式 MA4AGSW2 是一種鋁-鎵 -砷 、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型 AlGaAs 陽極，采用 MACOM
2023-04-18 12:00:04
MA4AGSW1MA4AGSW1AlGaAs 反射式 MACOM 的 MA4AGSW1 是一種鋁-鎵 -砷 、單刀、單擲 (SPST)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型 Al-GaAs 陽極，采用
2023-04-18 11:06:14
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研究 報告 《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
報告 》，如需領(lǐng)取
報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? MCU? 即可領(lǐng)取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-04-12 15:10:02 390 干法蝕刻 與濕法蝕刻 之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻 劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻 ）還是氣體（干法蝕刻 ）
2023-04-12 14:54:33 1004 計算機類競賽研究報告 》（下簡稱《研究報告 》），這是全國性大學生計算機類競賽研究報告 的首次發(fā)布。廣和通歷年重點參與的賽事：榜單內(nèi)賽事全國大學生嵌入式 芯片與系統(tǒng)設(shè)計競賽、全國大學生物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計競賽均被研究報告 專家工作組選取作為計算機類競賽研究報告 數(shù)據(jù)采集覆蓋的計算機類競賽項目之一。
2023-04-10 10:16:15
濟南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布了《中國工業(yè)邊緣市場分析》研究報告 （以下簡稱《報告 》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機器視覺等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30 540 清洗過程在半導體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟上都起著重要的作用。超薄晶片 表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19 314 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復(fù)雜的物理和化學 反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻 進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07 886 研究 表明，半導體的物理特性會根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻 成可調(diào)整其電氣和光學特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34 251 調(diào)溫調(diào)濕 箱全名“恒溫恒濕 試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領(lǐng)域必備的測試設(shè)備，用于測試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗
2023-03-28 09:02:36
自己的模板 研究 報告 《 國內(nèi)電源管理IC企業(yè)2022年業(yè)績分析》，如需領(lǐng)取報告 ，請關(guān)注公眾號，后臺回復(fù) ? 電源管理? 即可領(lǐng)取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交
2023-03-27 20:25:04 478 已全部加載完成
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