行業背景 隨著工業技術的不斷發展，物聯網作為新興生產力正在改變許多行業的工作方式。在半導體芯片行業，自動蝕刻機的物聯網應用正在助力企業達到監控設備更加便利、故障運維更加高效、數據分析更加精準等等
2024-03-20 17:52:39
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。下面來看看藍光激光焊接技術在焊接銅合金的工藝優點。 藍光激光焊接技術在焊接銅合金的工藝優點： 1.高能量密度：激光焊接機能夠提供高能量密度的激光束，這使得它能夠快速熔化金屬，尤其在焊接銅合金時表現出色。由于熔
2024-02-21 11:25:05169 
根據已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環境下進行高速蝕刻的能力。據悉，該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫外線下的干膜阻滯劑的化學作用硬化，隨后的顯影過程將在下一工序中沖走無硬襯底的干膜
2024-01-17 15:33:35163 智程半導體自2009年起致力于半導體濕法工藝設備研究、生產與銷售事業，10余載研發歷程，使得其已成為全球頂尖的半導體濕法設備供應商。業務范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設備，廣泛應用于各種高尖端產品領域。
2024-01-12 14:55:23636 過程中起著重要的作用。這種制造過程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實現精確的圖案轉移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對SiGe選擇性的RIE技術尚未被發現。幸運的是
2023-12-28 10:39:51131 
光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
在微電子制造領域，光刻機和蝕刻機是兩種不可或缺的重要設備。它們在制造半導體芯片、集成電路等微小器件的過程中發揮著關鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術原理、應用場景等方面卻存在著明顯的區別。本文將對光刻機和蝕刻機的差異進行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
技術提供了典型應用。蝕刻工藝對器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相關合金由于其優異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發展的關鍵問題。專用于三元結構的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質結構。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
刻蝕的機制，按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個刻蝕，包含反應物接近、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部分。
2023-12-11 10:24:18250 
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經成功地用于實現藍-綠光發光二極管和藍光激光二極管。由于它們優異的化學和熱穩定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
在半導體芯片等器件工藝中，后道制程中的金屬連接是經過金屬薄膜沉積，圖形化和蝕刻工藝，最后在器件元件之間得到導電連接。
2023-11-29 09:15:31434 
目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
隨著汽車行業的不斷壯大，純電動汽車和燃料電池汽車將共同主導中國新能源汽車市場的未來發展。電動車輕量化和燃料電池的大量使用，必然涉及到越來越多的鋁合金焊接工藝。3系鋁合金是防銹鋁合金，具有優秀的防銹
2023-11-15 14:39:20218 
蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 自動蝕刻機是利用電解作用或化學反應對金屬板進行處理，以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動化設備，廣泛應用于芯片、數碼、航空、機械、標牌等領域中。現有一家蝕刻機設備制造商，要求對全國各地的蝕刻機設
2023-11-08 13:59:52146 
近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統上，化學機械拋光(CMP)方法用于制備銅細線。除了復雜的工藝步驟之外，該方法的一個顯著缺點是需要許多對環境不友好的化學品，例如表面活性劑和強氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
。
特別說明
1、目前鍍厚金采用金鈷合金，此工藝一般用于PCB插頭或者接觸焊盤開關；
2、對于全板鍍厚金，需要評估厚金位置是否有SMT或BGA的表面貼裝焊盤，如果有，需要和客戶說明存在可焊性不良的隱患
2023-10-27 11:25:48
設計；
⑥ 采用手撕引線或者修引線工藝制作。
● 特別說明
1、目前鍍厚金采用金鈷合金，此工藝一般用于PCB插頭或者接觸焊盤開關；
2、對于全板鍍厚金，需要評估厚金位置是否有SMT或BGA的表面貼裝焊盤，如果有
2023-10-24 18:49:18
眾所周知，微尺度和納米尺度的地形結構對真核細胞和原核細胞的行為都有顯著的影響。例如，具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開發這種結構提供了一種無藥物的方法來對抗感染，這被認為是一種替代釋放抗菌劑的常見抗菌表面的替代品。
2023-10-23 09:43:16136 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態構成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關鍵尺寸，均勻性，終點探測。
2023-10-18 09:53:19788 
在精細印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產品質量合格率重要的工序之一。現有很多的文章對精細線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數都只停留在表象的研究中，并沒有從本質上認識噴淋蝕刻中出現的問題。
2023-10-17 15:15:35164 
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 據悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數據的3d nand閃存。該公司開發了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
。下面來看看激光焊接機焊接鋁合金的工藝難點。 激光焊接機焊接鋁合金的工藝難點： 1、鋁合金表面對激光具有反射性。 因為鋁合金是一種有色金屬，對各種光線都具有很強烈的反射性，激光作為一種更加激烈的光束，在鋁合金的表
2023-09-21 14:19:32476 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 、核反應堆工程、噴氣發動機零件以及空間發電系統熱輻射屏和導管等。激光焊接技術是非接觸式的操作方法能夠達到潔凈、環保的要求。激光焊接技術可以用于鈮鎢合金的焊接成形，下面來看看激光焊接技術在焊接鈮鎢合金的工藝研究。
2023-09-11 15:51:22254 
要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術對聚合物抗蝕劑進行構圖，然后通過干法蝕刻技術用抗蝕劑作為掩模將圖案轉移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
鈦金屬具有較高的比強度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發形成的鈍化膜而具有優異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護內部活性鈦金屬免受侵蝕性介質的影響。二氧化鈦具有很寬的帶隙，因此鈦經常被用于各種應用，包括光催化劑、化學傳感器和醫療植入物。
2023-09-01 10:18:07187 
濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
各向異性刻蝕是一種減材微加工技術，旨在優先去除特定方向的材料以獲得復雜且通常平坦的形狀。濕法技術利用結構的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質
2023-08-22 16:32:01407 我們華林科納通過光學反射光譜半實時地原位監測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產生的各向同性蝕刻導致表面
2023-08-22 16:06:56239 
來源：《半導體芯科技》雜志 綠色目標。黃色解決方案。 憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經驗，Siconnex已成長為可持續濕法工藝設備的領先供應商。可持續發展和環境健康是我們的基因
2023-08-18 17:56:34320 
問題，而厚銅板也可以提高電路板的抗彎曲、抗拉扯、抗沖擊的能力，增強電路板的穩定性和可靠性。
在華秋官網下單時，可以在工藝信息欄目看到銅厚選項，其中四層板、六層板內外層銅厚最高可做到4oz。
制作厚銅
2023-08-18 10:08:02
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象，通常發生在頂部，這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013 刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594140 蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
第四代高性能鋁合金最關鍵的T77熱處理技術我國尚未工業應用。世界鋁合金熱處理工藝技術在發展的同時，我國應該以生產“大飛機”為契機，開發先進的熱處理工藝技術，提高鋁材的綜合性能，滿足國內航空航天工業對鋁合金性能的要求。
2023-06-29 10:03:04762 
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發展史。現在，讓我們繼續了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
在介紹日本電子公司研發的全新蝕刻技術之前，我們需要了解蝕刻技術的歷史。蝕刻技術是芯片制造基礎工藝之一，它是指對光刻技術制作的圖案進行蝕刻，得到具有一定幾何形狀和結構的微細孔洞和凹坑的工藝。
2023-06-26 15:58:18897 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
、2116、1080，下表為各種PP片、樹脂含量、厚度一覽表：
三、蝕刻制程的線路偏差
PCB線路制程，一般會經過貼膜-曝光-顯影-蝕刻-退膜這幾道工序，線路蝕刻工序則會影響最終的線寬，從而影響阻抗
2023-06-25 10:25:55
、2116、1080，下表為各種PP片、樹脂含量、厚度一覽表：
三、蝕刻制程的線路偏差
PCB線路制程，一般會經過貼膜-曝光-顯影-蝕刻-退膜這幾道工序，線路蝕刻工序則會影響最終的線寬，從而影響阻抗
2023-06-25 09:57:07
上海伯東日本 Aston? 質譜儀能夠進行準確且可操作的端點檢測, OA% 是傳統 OES 計量解決方案的一個數量級（1/10）. Aston? 質譜儀解決方案適用于具有高蝕刻吞吐量和大量重復相同
2023-06-20 17:28:31258 
在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。
2023-06-20 09:49:163689 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
均勻性（1 σ）達到 離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機的核心部件,?KRi? 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續反應。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
：線路電鍍和全板鍍銅，現敘述如下。 1、線路電鍍 該工藝中只在設計有電路圖形和通孔的地方接受銅層的生成和蝕刻阻劑金屬電鍍。在線路電鍍過程中，線路和焊墊每一側增加的寬度與電鍍表面增加的厚度大體相當，因此
2023-06-09 14:19:07
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。
2023-05-31 10:32:021587 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業人員。因此，英思特開發了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
微電子機械系統（MEMS）是將機械元件和電子電路集成在一個共同的基板上，通過使用微量制造技術來實現尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現有的表面加工技術，目前大多數的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
的。
PCB鋪銅的優點與缺點
優點
一、對于EMC（電磁兼容性）要求，大面積的地或電源需鋪銅，會起到屏蔽作用，有些特殊地，如PGND（保護地）起到防護作用。
二、對于PCB工藝制造要求，一般為了保證電鍍
2023-05-12 10:56:32
減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 其實不同顏色的PCB，它們的制造的材料、制造工序都是一樣的，包括敷銅層的位置也是一樣的，經過蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線，例如下圖這塊剛經過蝕刻工藝的PCB，敷銅走線就是原本的銅色，而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699 
的載流量和允許的工作溫度，可參考IPC-D-275第3.5條中的經驗曲線確定。
c）焊盤表面處理
注：一般有以下幾種：
1）一般采用噴錫鉛合金HASL工藝，錫層表面應該平整無露銅。只要確保6
2023-04-25 16:52:12
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 了一層薄薄的銅。從外層光致抗蝕劑臺的面板的暴露部分接受電鍍銅。在最初的鍍銅浴之后，通常會在面板上鍍錫，這樣可以清除板上預定要清除的所有銅。錫保護板的一部分，以便在下一個蝕刻階段保持被銅覆蓋。蝕刻去除
2023-04-21 15:55:18
導線及符號等。蝕刻劑有許多種類，常用的蝕刻溶液有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵等。 三氯化鐵（FeCl3）在電子學、印制電路、照相制版、金屬精飾等加工和生產中，被廣泛用作銅、銅合金、Ni-Fe合金
2023-04-20 15:25:28
【摘要】 在半導體濕法工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設備進行對比研究，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性。【關鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導體工業中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
將孔和線路銅層加鍍到一定的厚度（20-25um），以滿足最終PCB板成品銅厚的要求。并將板面沒有用的銅蝕刻掉，露出有用的線路圖形。
2023-04-13 15:18:491681 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
半導體行業的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非常活潑的氣體的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408 
了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節點。從45nm節點后，雙重圖形化技術已經應用在柵圖形化工藝中。隨著技術節點的繼續縮小，MOSFET柵極關鍵尺寸CD繼續縮小遇到了困難，IC設計人員開始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452 清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
經過多年的研發，隨著該行業在內存和邏輯方面面臨新的挑戰，一種稱為低溫蝕刻的技術正在重新出現，成為一種可能的生產選擇。
2023-03-29 10:14:41392 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導體的物理特性會根據其結構而變化，因此半導體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調整其電氣和光學特性以及連接性的結構。
2023-03-28 09:58:34251 
鍍銅覆蓋孔上樹脂層的做法，簡稱POFV工藝.，也有叫做VIPPO。盤中孔的工藝流程：先鉆盤中孔→鍍孔銅→塞樹脂→固化→打磨→減銅→去溢膠→鉆其它非盤中孔（通常是除指盤中孔以外的所有元件孔和工具孔）→鍍非
2023-03-27 14:33:01
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰性。
2023-03-27 10:17:49402 
一． 雙面板工藝流程：覆銅板（CCL）下料（Cut）→鉆孔（Drilling）→沉銅（PTH）→全板鍍銅（Panel Plating）→圖形轉移（Pattern）油墨或干膜→圖形電鍍（Pattern
2023-03-24 11:24:22
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