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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>關(guān)于HF與HNO3混合物中硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理研究報(bào)告

關(guān)于HF與HNO3混合物中硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理研究報(bào)告

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該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報(bào)告預(yù)測(cè)了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì) ? 北京, 2024 年 3 月 6 日 ——負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會(huì)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟(SIG)近日發(fā)布了中文版市場(chǎng)研究報(bào)告《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng):一種
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半導(dǎo)體制造中混合氣體需精確控制

。以下是半導(dǎo)體制造中氣體混合的一些常見(jiàn)用途和相關(guān)操作。 1、清洗:氣體混合用于制備清洗氣體,例如氫氣和氮?dú)獾?b class="flag-6" style="color: red">混合物,以去除制造設(shè)備和器件上的雜質(zhì)和殘留物,確保器件的純度。 2、退火:氣體混合物,通常是氫氣和氮?dú)獾幕?/div>
2024-03-05 14:23:0896

制冷劑的發(fā)展歷程與發(fā)展趨勢(shì)

,開(kāi)發(fā)了以F、H、C元素組成的化合,即HFCs制冷劑,如HFC-134a、HFC-32、HFC-152a、HFC-143a和HFC-125等及其混合物R407C和R410A等。 2.以元素周期表
2024-03-02 17:52:13

東京電子新型蝕刻機(jī)研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團(tuán)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

根據(jù)已公開(kāi)的研究報(bào)告,東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉,該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外,設(shè)備使用了新開(kāi)發(fā)的激光氣體,搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109

半導(dǎo)體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學(xué)蝕刻的 MOCVD GaN

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混合動(dòng)力汽車(chē)研究:電動(dòng)化計(jì)劃推遲 PHEV&增程式占比將抬升至40%

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碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究

材料 去除的影響。重點(diǎn)綜述了傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)中的游離磨料和固結(jié)磨料工藝以及化學(xué)機(jī)械拋光的輔助增效工藝。同時(shí)從工藝條件、加工效果、加工特點(diǎn)及去除機(jī)理 4 個(gè)方面歸納了不同形式的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù),最后對(duì)碳化硅的化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向進(jìn)行了展望,并對(duì)今后研究的側(cè)重點(diǎn)提出了相關(guān)思路。
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一圖讀懂《分布式融合存儲(chǔ)研究報(bào)告(2023)》

轉(zhuǎn)自:存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日, 存 儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲(chǔ)研究報(bào)告(2023)》,詳細(xì)闡釋分布式融合存儲(chǔ)概念和技術(shù)要求
2023-12-21 18:05:01270

微型發(fā)光二極管(MicroLED)技術(shù)普及研究報(bào)告

這份報(bào)告由業(yè)內(nèi)知名研究機(jī)構(gòu)——MicroLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會(huì)公布。事實(shí)上,早在2000年,業(yè)界便開(kāi)始關(guān)注MicroLED技術(shù)。該技術(shù)以其出色的亮度、豐富的色彩展現(xiàn)力以及超長(zhǎng)的使用壽命引起了轟動(dòng)。
2023-12-20 14:35:07333

6G總體愿景、技術(shù)趨勢(shì)、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)研究報(bào)告

世界各國(guó)不僅把6G作為構(gòu)筑未來(lái)數(shù)字經(jīng)濟(jì)與社會(huì)發(fā)展的重要基石,也將其視為國(guó)家間前沿科技競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)。全球主要國(guó)家的多。個(gè)研究機(jī)構(gòu)和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術(shù)趨勢(shì)、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等方面的白皮書(shū)和研究報(bào)告,陳述各國(guó)發(fā)展6G的宏偉愿景與技術(shù)思考。
2023-12-19 11:23:36151

揭秘***與蝕刻機(jī)的神秘面紗

在微電子制造領(lǐng)域,光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們?cè)谥圃彀雽?dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而,盡管它們?cè)诠δ苌嫌兴嗨疲诩夹g(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對(duì)光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371

針對(duì)氧氣(O2)和三氯化硼(BCl3)等離子體進(jìn)行原子層蝕刻研究

基于GaN的高電子遷移率,晶體管,憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度,應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開(kāi)關(guān)中。就器件制造而言,GaN的相關(guān)材料,如AlGaN,憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性,為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294

不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法,大部分GaN刻蝕是通過(guò)等離子體刻蝕來(lái)完成
2023-12-01 17:02:39259

業(yè)界首個(gè)《分布式融合存儲(chǔ)研究報(bào)告》發(fā)布,探索智算時(shí)代新存儲(chǔ)底座

存儲(chǔ)研究報(bào)告》(以下簡(jiǎn)稱:《報(bào)告》)正式發(fā)布。《報(bào)告》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲(chǔ)的概念、技術(shù)架構(gòu)和應(yīng)用場(chǎng)景,為融合存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院領(lǐng)導(dǎo)表示,“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素,數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01172

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻

目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241

工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報(bào)告

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報(bào)告.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 14:29:130

PCB加工之蝕刻質(zhì)量及先期問(wèn)題分析

蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響,或者用樂(lè)觀的話來(lái)說(shuō),可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密,各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問(wèn)題,后面的章節(jié)將專門(mén)討論。
2023-11-14 15:23:10217

Q3XG-1088R SMT 混合耦合器Electro-Photonics

Electro-Photonics的Q3XG-1088R耦合器是款3dB 90度SMT混合耦合器。使用中小型封裝形式,具備較低插損和高功率性能。專門(mén)針對(duì)挑選的電路板布置進(jìn)行全面優(yōu)化
2023-11-13 14:08:14

自動(dòng)蝕刻機(jī)聯(lián)網(wǎng)助力監(jiān)控運(yùn)維更加高效

自動(dòng)蝕刻機(jī)是利用電解作用或化學(xué)反應(yīng)對(duì)金屬板進(jìn)行處理,以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動(dòng)化設(shè)備,廣泛應(yīng)用于芯片、數(shù)碼、航空、機(jī)械、標(biāo)牌等領(lǐng)域中。 現(xiàn)有一家蝕刻機(jī)設(shè)備制造商,要求對(duì)全國(guó)各地
2023-11-08 13:59:52

2023年中國(guó)家用智能照明行業(yè)研究報(bào)告

艾瑞咨詢:2023年中國(guó)家用智能照明行業(yè)研究報(bào)告
2023-11-07 16:37:390

中國(guó)鎳基超導(dǎo)體機(jī)理研究重大突破

中國(guó)鎳基超導(dǎo)體機(jī)理研究重大突破 超導(dǎo)體這門(mén)前沿科技具有重要的科學(xué)和應(yīng)用價(jià)值,超導(dǎo)材料在所有涉及電和磁的領(lǐng)域都有用武之地,包括電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、科學(xué)工程、交通運(yùn)輸、電力等領(lǐng)域。 據(jù)央視新聞報(bào)道,此前
2023-11-03 16:00:08526

印制電路噴淋蝕刻精細(xì)線路流體力學(xué)模型分析

在精細(xì)印制電路制作過(guò)程中,噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一。現(xiàn)有很多的文章對(duì)精細(xì)線路的蝕刻做了大量的研究,但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中,并沒(méi)有從本質(zhì)上認(rèn)識(shí)噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問(wèn)題。
2023-10-17 15:15:35164

PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素

蝕刻液的化學(xué)成分的組成:蝕刻液的化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不相同,蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&;堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕問(wèn)題,蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553

碳纖維無(wú)耙化學(xué)鍍銀工藝研究報(bào)告

由于碳纖維表面沒(méi)有催化活性,通常在鍍銀前要進(jìn)行敏化、活化處理。傳統(tǒng)的敏化活化工藝一般要用到氯化亞錫、氯化鋰等試劑,這些試劑不僅價(jià)格昂貴,還會(huì)產(chǎn)生含有重金屬離子的廢液。
2023-10-12 16:56:46482

關(guān)于氮化鎵的干蝕刻綜述

GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限,因此人們投入了大量精力來(lái)開(kāi)發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開(kāi)發(fā)一開(kāi)始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu),其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻
2023-10-07 15:43:56319

方圓企業(yè)服務(wù)集團(tuán)發(fā)布《2023年度ESG 研究報(bào)告

香港上市公司ESG表現(xiàn)積極 ?但仍需持續(xù)改進(jìn) 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務(wù)繼2021年以來(lái),于2023年9月19日,連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報(bào)告。通過(guò)對(duì)上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58265

PCB線路板的蝕刻工藝需要注意哪些細(xì)節(jié)問(wèn)題

一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中,在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層,保留在板外層,即電路的圖形部分,然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕,稱為蝕刻
2023-09-18 11:06:30669

2023年中國(guó)信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告:統(tǒng)信UOS斬獲四項(xiàng)最佳!

好消息再次傳來(lái)! 統(tǒng)信UOS又雙叒叕獲得認(rèn)可! 第一新聲發(fā)布 《2023年中國(guó)信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告》 我們分別入選: 中國(guó)最佳信創(chuàng)廠商TOP50 中國(guó)最佳信創(chuàng)操作系統(tǒng)廠商 中國(guó)最佳信創(chuàng)廠商優(yōu)秀
2023-09-13 17:02:17376

淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問(wèn)題

要注意的是,蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474

《零信任發(fā)展研究報(bào)告(2023年)》發(fā)布丨零信任蓬勃發(fā)展,多場(chǎng)景加速落地

近日,中國(guó)信息通信研究院在“2023 SecGo云和軟件安全大會(huì)”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報(bào)告(2023年)》 (以下簡(jiǎn)稱“報(bào)告”),全面介紹了在數(shù)字化轉(zhuǎn)型深化背景下,零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01488

pcb蝕刻是什么意思

 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻
2023-09-06 09:36:57811

肖特基二極管失效機(jī)理

,極易出現(xiàn)失效問(wèn)題。因此,深入研究SBD失效機(jī)理,對(duì)于促進(jìn)SBD的性能和壽命提高,具有重要的意義。 SBD失效機(jī)理可以從電學(xué)和物理兩個(gè)方面討論。首先,SBD失效機(jī)理包括電學(xué)性失效和物理性失效。 電學(xué)性失效: 1.反向擊穿失效 SBD在反向電場(chǎng)下受到電子滲出現(xiàn)象(即逆向電子穿透
2023-08-29 16:35:08971

評(píng)估報(bào)告:支持Microsoft聯(lián)想S3200混合陣列的交換

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《評(píng)估報(bào)告:支持Microsoft聯(lián)想S3200混合陣列的交換.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 09:29:550

氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代芯片嗎?

的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)晶體管有兩種類型的損耗:傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。 功率晶體管是開(kāi)關(guān)電源功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失,GaN 晶體管(取代舊的技術(shù))的開(kāi)發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18

-70℃可程式恒溫恒試驗(yàn)箱

化學(xué)、建材、研究所、大學(xué)等行業(yè)單位品管檢測(cè)之用。-70℃可程式恒溫恒試驗(yàn)箱主要技術(shù)參數(shù):型號(hào):TH-80/120/150/225/408/800/1000H(M、
2023-08-21 15:13:32

半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)到2028年的120億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為2.5%

半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過(guò)程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過(guò)將晶片浸入化學(xué)溶液(蝕刻劑)中來(lái)選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域,化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319

電磁和流體動(dòng)力學(xué)模擬多物理設(shè)計(jì)過(guò)程

諧振器,可對(duì)兩種液體的混合物進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)。雙頻帶微波諧振器是一種雙開(kāi)口互補(bǔ)環(huán)縫諧振器(DC-SRR),蝕刻在微帶傳輸線(microstrip line)的接地平面上。混合器的輸出通道在諧振器近場(chǎng)的接地平面下方。 通過(guò)電磁和流體動(dòng)力學(xué)模擬,研究人員為該部分設(shè)計(jì)了最佳通道配置,以提
2023-08-15 09:22:25361

如何實(shí)現(xiàn)PCB蝕刻工藝中的均勻性呢?有哪些方法?

PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象,通常發(fā)生在頂部,這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013

2023年汽車(chē)車(chē)內(nèi)通信及網(wǎng)絡(luò)接口芯片行業(yè)研究報(bào)告

佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車(chē)車(chē)內(nèi)通信及網(wǎng)絡(luò)接口芯片行業(yè)研究報(bào)告》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同,汽車(chē)通信應(yīng)用分為無(wú)線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:431401

展會(huì)活動(dòng) | 限時(shí)預(yù)登記領(lǐng)取AIoT行業(yè)研究報(bào)告,還有機(jī)會(huì)領(lǐng)取京東卡!

預(yù)登記展會(huì)領(lǐng)取門(mén)票還可以獲得由AIoT星圖研究院出品2023行業(yè)報(bào)告之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場(chǎng)跟蹤調(diào)研報(bào)告》、《中國(guó)光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告》、《2023中國(guó)智慧工地行業(yè)市場(chǎng)研究報(bào)告
2023-07-31 11:14:32525

刻蝕工藝流程和步驟 酸性蝕刻和堿性蝕刻的區(qū)別

刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱呼,常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中,這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594140

研究報(bào)告丨容、感、阻被動(dòng)元器件市場(chǎng)報(bào)告

自己的模板 研究 報(bào)告《 容、感、阻被動(dòng)元器件市場(chǎng)報(bào)告》,如需領(lǐng)取報(bào)告,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? 元器件? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ,請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-07-17 17:15:04246

國(guó)內(nèi)無(wú)線頻譜分析:電磁波及無(wú)線電波段劃分

前不久,國(guó)家無(wú)線電監(jiān)測(cè)中心與全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)(GSMA)共同發(fā)布了關(guān)于未來(lái)寬帶移動(dòng)通信與頻譜高效利用的合作研究報(bào)告
2023-07-17 09:56:00976

深度解讀硅微納技術(shù)之的蝕刻技術(shù)

蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183

斑馬技術(shù)2023年《汽車(chē)生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告》顯示:亞太地區(qū)八成千禧一代期望汽車(chē)制造業(yè)更具透明度

、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商,斑馬技術(shù)公司(納斯達(dá)克股票代碼:ZBRA)今日發(fā)布2023年《汽車(chē)生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告》。報(bào)告結(jié)果表明,汽車(chē)制造商正面對(duì)著來(lái)自各方面的壓力,他們需要滿足消費(fèi)者對(duì)整體制造過(guò)程的可持續(xù)性和透明度不
2023-07-12 13:09:55287

深度解讀硅微納技術(shù)之蝕刻技術(shù)

蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190

斑馬技術(shù)發(fā)布2023年汽車(chē)生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告

年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商,斑馬技術(shù)公司(納斯達(dá)克股票代碼:ZBRA)今日發(fā)布2023年《汽車(chē)生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告》。報(bào)告結(jié)果表明,汽車(chē)制造商正面對(duì)著來(lái)自各方面的壓力,他們需要滿足消費(fèi)者對(duì)整體制造過(guò)
2023-07-07 16:07:24321

研究報(bào)告丨虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場(chǎng)前景報(bào)告

自己的模板 研究 報(bào)告《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場(chǎng)前景報(bào)告》,如需領(lǐng)取報(bào)告,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? 虛擬人? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ,請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-07-03 17:25:02283

用于酶催化反應(yīng)的液滴微流控研究進(jìn)展綜述

在過(guò)去的三十年里,微流控平臺(tái)的出現(xiàn)改變了傳統(tǒng)化學(xué)、化工、生物學(xué)和材料學(xué)的研究范式,已被廣泛用于生物化學(xué)反應(yīng)、快速混合和微粒合成等。
2023-06-30 09:08:14476

鋁等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻,我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓,但大多數(shù)鋁蝕刻研究
2023-06-27 13:24:11318

化學(xué)研究領(lǐng)域巨人鋰離子電池之父、諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)得主約翰·B·古迪納夫逝世

化學(xué)研究領(lǐng)域巨人鋰離子電池之父、諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)得主約翰·B·古迪納夫逝世 2023年6月26日,電化學(xué)研究領(lǐng)域巨人鋰離子電池之父、諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)得主約翰·古迪納夫逝世;哀默! 在1997年,75
2023-06-27 12:00:58735

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術(shù),允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜,在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用,但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF蝕刻時(shí),這就成了問(wèn)題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低,濕法化學(xué)也會(huì)有問(wèn)題。
2023-06-26 13:32:441053

麥肯錫重磅報(bào)告:AI對(duì)哪些行業(yè)沖擊最大?

》的研究報(bào)告,在報(bào)告中,分析師們通過(guò)對(duì)47個(gè)國(guó)家及地區(qū)的850種職業(yè)(全球80%以上勞動(dòng)人口)的研究,探討了在AI成指數(shù)級(jí)發(fā)展背后,對(duì)全球經(jīng)濟(jì)將帶來(lái)的影響,哪些行業(yè)沖
2023-06-21 10:10:39254

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái),原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù),它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù),允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526

電鍍對(duì)印制PCB電路板的重要性有哪些?

用。該技術(shù)的缺點(diǎn)是在進(jìn)行蝕刻之前電路圖形需要鍍上錫/鉛或一種電泳阻劑材料,在應(yīng)用焊接阻劑之前再將其除去。這就增加了復(fù)雜性,額外增加了一套化學(xué)溶液處理工藝。 2、全板鍍銅 在該過(guò)程全部的表面區(qū)域和鉆孔都
2023-06-09 14:19:07

清華大學(xué)AIGC發(fā)展研究報(bào)告1.0版震撼發(fā)布!192頁(yè)P(yáng)PT

研究報(bào)告1.0版》,總計(jì)192頁(yè),分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測(cè)篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來(lái)篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章,對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)進(jìn)行了詳盡研究和分析
2023-06-09 10:32:36550

清華大學(xué)AIGC發(fā)展研究報(bào)告1.0版震撼發(fā)布!192頁(yè)P(yáng)PT

發(fā)展研究報(bào)告1.0版》,總計(jì)192頁(yè),分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測(cè)篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來(lái)篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章,對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)進(jìn)行了詳盡研究和分析。 以下為報(bào)告內(nèi)容 受篇幅限制,以上僅為部分報(bào)告預(yù)覽 后臺(tái)回復(fù)【 AIG
2023-06-04 16:15:01503

載體晶圓對(duì)蝕刻速率、選擇性、形貌的影響

等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟,然而,載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵(GaN)設(shè)備,通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中,英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452

淺談蝕刻工藝開(kāi)發(fā)的三個(gè)階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

研究報(bào)告丨汽車(chē)電子2023車(chē)載充電機(jī)(OBC)市場(chǎng)分析

自己的模板 研究 報(bào)告《 汽車(chē)電子2023車(chē)載充電機(jī)(OBC)市場(chǎng)分析》,如需領(lǐng)取報(bào)告,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? OBC? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需
2023-05-29 17:55:02896

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程,測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù),提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來(lái)獲得獨(dú)特的性質(zhì),特別是,當(dāng)用紫外光、可見(jiàn)光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí),金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而,用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的,并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此,英思特開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)濕化學(xué)蝕刻硅襯底來(lái)制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846

如何在蝕刻工藝中實(shí)施控制?

蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝,因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定,蝕刻率就會(huì)變化,因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué),以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575

PCB常見(jiàn)的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917

基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)

混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使得IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。
2023-05-18 12:36:50177

高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽(yáng)能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700

硅晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(pán)(晶片),然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程,包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584

研究報(bào)告丨工業(yè)視覺(jué)產(chǎn)業(yè)與工業(yè)圖像傳感器技術(shù)趨勢(shì)分析

自己的模板 研究 報(bào)告《 工業(yè)視覺(jué)產(chǎn)業(yè)與工業(yè)圖像傳感器技術(shù)趨勢(shì)分析》,如需領(lǐng)取報(bào)告,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? 工業(yè) ? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交
2023-05-11 20:16:37145

最新!Yole 發(fā)布全球汽車(chē)傳感器市場(chǎng)趨勢(shì)版圖【附130份報(bào)告

】,不包括yole報(bào)告,可在感知芯視界首頁(yè)對(duì)話框回復(fù)“汽車(chē)電子”免費(fèi)下載。 5月9日消息,近期行業(yè)研究機(jī)構(gòu)Yelo發(fā)布了關(guān)于汽車(chē)半導(dǎo)體傳感器市場(chǎng)的研究報(bào)告,公布了2022年全球汽車(chē)半導(dǎo)體傳感器市場(chǎng)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)與廠商排名,并且預(yù)計(jì)隨著汽車(chē)電氣化和ADAS技術(shù)
2023-05-10 13:20:35686

中國(guó)信通院公布 5G 標(biāo)準(zhǔn)必要專利全球最新排名:華為第一、小米首次進(jìn)入前十

院知識(shí)產(chǎn)權(quán)與創(chuàng)新發(fā)展中心在2022年發(fā)布《全球5G專利活動(dòng)報(bào)告(2022年)》的基礎(chǔ)上,編寫(xiě)了《全球5G標(biāo)準(zhǔn)必要專利及標(biāo)準(zhǔn)提案研究報(bào)告(2023年)》。本報(bào)告基于截至2022年12月31日ETSI專利數(shù)據(jù)庫(kù)
2023-05-10 10:39:03

半導(dǎo)體所在硅上In線的光致相變機(jī)理研究中獲進(jìn)展

了整個(gè)非平衡超快動(dòng)力學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展。超快現(xiàn)象在物理、化學(xué)和生物等領(lǐng)域備受關(guān)注,例如光致相變、光誘導(dǎo)退磁、高能離子碰撞和分子化學(xué)反應(yīng)等。非平衡超快領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)研究成果頗豐,已成為熱點(diǎn)。然而,實(shí)驗(yàn)不能給出原子尺度的原子
2023-05-09 15:23:24260

更新S32K3 RTD v3.0.0 P01 HF01時(shí)出錯(cuò)了的原因?怎么解決?

3rdPartyMcalIntegrationHelper v3.8.0.1該工具在選擇要集成的更新 RTD 包時(shí)報(bào)告錯(cuò)誤。 仔細(xì)查看錯(cuò)誤日志后,發(fā)現(xiàn)該工具正在尋找 Base 文件夾的文件,根據(jù)作為 v3.0.0 版本的一部分引入的新目錄結(jié)構(gòu),該文
2023-05-05 12:43:17

單顆粒人造石墨負(fù)極的制備及性能研究

摘 要:隨著低碳經(jīng)濟(jì)的快速推進(jìn),人造石墨技術(shù)得到飛速的發(fā)展。國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)人造石墨的包覆、石墨化、電化學(xué)及儲(chǔ)鋰機(jī)理進(jìn)行了大量的研究,取得了豐碩的成果,但對(duì)粒度大小對(duì)電化學(xué)及儲(chǔ)鋰特性的影響研究較少。針對(duì)
2023-04-23 14:31:001506

混合硅基光電探測(cè)器的各項(xiàng)性能研究

在本例中,我們將研究混合硅基光電探測(cè)器的各項(xiàng)性能。單行載流子(uni-traveling carrier,UTC)光電探測(cè)器(PD)由InP/InGaAs制成
2023-04-23 09:31:10895

討論污染對(duì)PCB點(diǎn)焊的影響以及有關(guān)清潔的一些問(wèn)題

大量基于錫晶須生成的化學(xué)和物理參數(shù)的研究,專家表明,錫合金會(huì)在高溫高的作用下與其他金屬一起擴(kuò)散,這將有助于形成金屬間化合(IMC) 。在這種情況下,隨著錫層電壓應(yīng)力的快速增加,錫離子沿晶體邊界擴(kuò)散
2023-04-21 16:03:02

印制電路板PCB的制作及檢驗(yàn)

,確保焊接的準(zhǔn)確性,可在板面上加阻焊劑,使焊盤(pán)裸露,其他部位均在阻焊層下。  助焊劑在焊接過(guò)程,能與基金屬表面及焊料表面的各種化合發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成可溶(熔)性的化合。在這一過(guò)程,助焊劑起到
2023-04-20 15:25:28

酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系統(tǒng)

[技術(shù)領(lǐng)域] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō)是一種酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系 統(tǒng)。 由于半導(dǎo)體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對(duì)象是硅晶片,而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學(xué)
2023-04-20 13:57:0074

壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機(jī)理

失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn),所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041117

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 HQ2和HF溶液循環(huán)處理 ?

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:HQ2和HF溶液循環(huán)處理 編號(hào):JFKJ-21-213 作者:炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究了濕法化學(xué)處理過(guò)程中的表面形貌。在SC-1清洗過(guò)程中,硅表面
2023-04-19 10:01:00129

關(guān)于MPC5746R_MCAL4_0_RTM_HF1_1_0_3的問(wèn)題求解

我的客戶將 MPC5746R MCAL 從 MPC5746R_MCAL4_0_RTM_1_0_3 遷移到 MPC5746R_MCAL4_0_RTM_HF1_1_0_3。但他們遇到了 ADC 許可證
2023-04-17 07:02:36

研究報(bào)告丨汽車(chē)MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告

自己的模板 研究 報(bào)告《 汽車(chē)MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告》,如需領(lǐng)取報(bào)告,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? MCU? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ,請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-04-12 15:10:02390

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:331004

【新聞】全國(guó)普通高校大學(xué)生計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽研究報(bào)告正式發(fā)布

全國(guó)普通高校大學(xué)生計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽研究報(bào)告鏈接:https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽的表現(xiàn)情況是評(píng)估相關(guān)高校計(jì)算機(jī)
2023-04-10 10:16:15

PCB制作干膜和膜可能會(huì)帶來(lái)哪些品質(zhì)不良的問(wèn)題?

PCB制作干膜和膜可能會(huì)帶來(lái)哪些品質(zhì)不良的問(wèn)題?以及問(wèn)題如何解決呢?
2023-04-06 15:51:01

清華大學(xué):智能氣體傳感器研究中取得新進(jìn)展,基于單氣體傳感器實(shí)現(xiàn)了混合物多組分智能檢測(cè)

傳感新品 【清華大學(xué):智能氣體傳感器研究中取得新進(jìn)展,基于單氣體傳感器實(shí)現(xiàn)了混合物多組分智能檢測(cè)】 混合物中的多組分檢測(cè),在現(xiàn)代生物醫(yī)學(xué)及化學(xué)研究中有著不可或缺的重要地位。由于傳感單元響應(yīng)選擇性往往
2023-04-03 17:10:43877

浪潮云洲入選IDC《中國(guó)工業(yè)邊緣市場(chǎng)分析》研究報(bào)告

濟(jì)南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日,國(guó)際數(shù)據(jù)公司(IDC)發(fā)布了《中國(guó)工業(yè)邊緣市場(chǎng)分析》研究報(bào)告(以下簡(jiǎn)稱《報(bào)告》)。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機(jī)器視覺(jué)等特色解決方案布局,入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30540

PCB加工的蝕刻工藝

印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

新技術(shù)使蝕刻半導(dǎo)體更容易

研究表明,半導(dǎo)體的物理特性會(huì)根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化,因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251

調(diào)溫調(diào)箱的特點(diǎn)介紹

調(diào)溫調(diào)箱全名“恒溫恒試驗(yàn)箱”是航空、汽車(chē)、家電、科研等領(lǐng)域必備的測(cè)試設(shè)備,用于測(cè)試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗(yàn)的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能,它主要用于根據(jù)試驗(yàn)
2023-03-28 09:02:36

研究報(bào)告丨國(guó)內(nèi)電源管理IC企業(yè)2022年業(yè)績(jī)分析

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2023-03-27 20:25:04478

鋰離子電池負(fù)極衰減機(jī)理研究進(jìn)展

。 因此,關(guān)于負(fù)極衰減機(jī)理研究的多是關(guān)于石墨材料的衰減機(jī)理。 電池容量的衰減包括存儲(chǔ)及使用時(shí)的衰減,存儲(chǔ)時(shí)的衰減通常與電化學(xué)性能參數(shù)變化(阻抗等)有關(guān),使用時(shí)除電化學(xué)性能變化外, 還伴隨有結(jié)構(gòu)等機(jī)械應(yīng)力的變化、析鋰等現(xiàn)象。
2023-03-27 10:40:52538

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