如下硅 與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM,圓圈標(biāo)的地方是硅 嗎?如果不是還請(qǐng)大佬指點(diǎn)一下,那些位置是硅 ?
2024-03-12 08:53:37
負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會(huì)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟(SIG)近日發(fā)布了中文版市場(chǎng)研究報(bào)告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng):一種新型藍(lán)牙物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備》,深入分析了這種新型物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。
2024-03-11 15:08:54 284 實(shí)驗(yàn)名稱:功率放大器在合成射流高效摻混機(jī)理 研究 中 的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:合成射流是一種新型主動(dòng)流動(dòng)控制技術(shù),其主要工作原理是利用振動(dòng)薄膜或活塞周期性地吹/吸流體,在孔口外形成渦環(huán),這些渦環(huán)在自誘導(dǎo)
2024-03-08 17:47:25
該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報(bào)告 預(yù)測(cè)了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì) ? 北京, 2024 年 3 月 6 日 ——負(fù)責(zé)監(jiān)管藍(lán)牙技術(shù)的行業(yè)協(xié)會(huì)藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟(SIG)近日發(fā)布了中文版市場(chǎng)研究報(bào)告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng):一種
2024-03-06 11:07:24 87 。以下是半導(dǎo)體制造中氣體
混合 的一些常見(jiàn)用途和相關(guān)操作。 1、清洗:氣體
混合 用于制備清洗氣體,例如氫氣和氮?dú)獾?b class="flag-6" style="color: red">混合物,以去除制造設(shè)備和器件上的雜質(zhì)和殘留物,確保器件的純度。 2、退火:氣體
混合物 ,通常是氫氣和氮?dú)獾幕?/div>
2024-03-05 14:23:08 96 ,開(kāi)發(fā)了以F、H、C元素組成的化合物 ,即HFCs制冷劑,如HFC-134a、HFC-32、HFC-152a、HFC-143a和HFC-125等及其混合物 R407C和R410A等。
2.以元素周期表中
2024-03-02 17:52:13
根據(jù)已公開(kāi)的研究報(bào)告 ,東京電子的新式蝕刻 機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻 的能力。據(jù)悉,該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻 工作。此外,設(shè)備使用了新開(kāi)發(fā)的激光氣體,搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22 109 蝕刻 時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究 的目的是確定蝕刻 ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻 ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的過(guò)氧化氫(H2O2
2024-02-02 17:56:45 306 佐思汽研發(fā)布《2023-2024年全球和中國(guó)混合 動(dòng)力汽車(chē)研究報(bào)告 》。
2024-01-25 13:54:50 1270 材料 去除的影響。重點(diǎn)綜述了傳統(tǒng)化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)中的游離磨料和固結(jié)磨料工藝以及化學(xué) 機(jī)械拋光的輔助增效工藝。同時(shí)從工藝條件、加工效果、加工特點(diǎn)及去除機(jī)理 4 個(gè)方面歸納了不同形式的化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù),最后對(duì)碳化硅的化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向進(jìn)行了展望,并對(duì)今后研究 的側(cè)重點(diǎn)提出了相關(guān)思路。
2024-01-24 09:16:36 431 有人能分享更改 DMU_HF _CONFIRM0 以更新目標(biāo) TC3 x7 所需的 BMHD 的步驟嗎
2024-01-24 08:19:01
轉(zhuǎn)自:存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日, 存 儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究 院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲(chǔ)研究報(bào)告 (2023)》,詳細(xì)闡釋分布式融合存儲(chǔ)概念和技術(shù)要求
2023-12-21 18:05:01 270 這份報(bào)告 由業(yè)內(nèi)知名研究 機(jī)構(gòu)——MicroLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會(huì)公布。事實(shí)上,早在2000年,業(yè)界便開(kāi)始關(guān)注MicroLED技術(shù)。該技術(shù)以其出色的亮度、豐富的色彩展現(xiàn)力以及超長(zhǎng)的使用壽命引起了轟動(dòng)。
2023-12-20 14:35:07 333 世界各國(guó)不僅把6G作為構(gòu)筑未來(lái)數(shù)字經(jīng)濟(jì)與社會(huì)發(fā)展的重要基石,也將其視為國(guó)家間前沿科技競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)。全球主要國(guó)家的多。個(gè)研究 機(jī)構(gòu)和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術(shù)趨勢(shì)、網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等方面的白皮書(shū)和研究報(bào)告 ,陳述各國(guó)發(fā)展6G的宏偉愿景與技術(shù)思考。
2023-12-19 11:23:36 151 在微電子制造領(lǐng)域,光刻機(jī)和蝕刻 機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們?cè)谥圃彀雽?dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而,盡管它們?cè)诠δ苌嫌兴嗨疲诩夹g(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對(duì)光刻機(jī)和蝕刻 機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09 371 基于GaN的高電子遷移率,晶體管,憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度,應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開(kāi)關(guān)中。就器件制造而言,GaN的相關(guān)材料,如AlGaN,憑借其物理和化學(xué) 穩(wěn)定性,為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24 294 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究 。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻 方法,大部分GaN刻蝕是通過(guò)等離子體刻蝕來(lái)完成
2023-12-01 17:02:39 259 存儲(chǔ)研究報(bào)告 》(以下簡(jiǎn)稱:《報(bào)告 》)正式發(fā)布。《報(bào)告 》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲(chǔ)的概念、技術(shù)架構(gòu)和應(yīng)用場(chǎng)景,為融合存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究 院領(lǐng)導(dǎo)表示,“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素,數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01 172 目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻 完成的。干法蝕刻 有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻 側(cè)壁。干法蝕刻 產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30 241 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報(bào)告 .pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 14:29:13 0 蝕刻 設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻 液都會(huì)對(duì)蝕刻 因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響,或者用樂(lè)觀的話來(lái)說(shuō),可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué) 成分一般屬于商業(yè)秘密,各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻 設(shè)備的結(jié)構(gòu)問(wèn)題,后面的章節(jié)將專門(mén)討論。
2023-11-14 15:23:10 217 Electro-Photonics的Q3 XG-1088R耦合器是款3 dB 90度SMT混合 耦合器。使用中小型封裝形式,具備較低插損和高功率性能。專門(mén)針對(duì)挑選的電路板布置進(jìn)行全面優(yōu)化
2023-11-13 14:08:14
自動(dòng)蝕刻 機(jī)是利用電解作用或化學(xué) 反應(yīng)對(duì)金屬板進(jìn)行處理,以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動(dòng)化設(shè)備,廣泛應(yīng)用于芯片、數(shù)碼、航空、機(jī)械、標(biāo)牌等領(lǐng)域中。 現(xiàn)有一家蝕刻 機(jī)設(shè)備制造商,要求對(duì)全國(guó)各地
2023-11-08 13:59:52
艾瑞咨詢:2023年中國(guó)家用智能照明行業(yè)研究報(bào)告
2023-11-07 16:37:39 0 中國(guó)鎳基超導(dǎo)體機(jī)理 研究 重大突破 超導(dǎo)體這門(mén)前沿科技具有重要的科學(xué)和應(yīng)用價(jià)值,超導(dǎo)材料在所有涉及電和磁的領(lǐng)域都有用武之地,包括電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、科學(xué)工程、交通運(yùn)輸、電力等領(lǐng)域。 據(jù)央視新聞報(bào)道,此前
2023-11-03 16:00:08 526 在精細(xì)印制電路制作過(guò)程中,噴淋蝕刻 是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一。現(xiàn)有很多的文章對(duì)精細(xì)線路的蝕刻 做了大量的研究 ,但是大多數(shù)都只停留在表象的研究 中,并沒(méi)有從本質(zhì)上認(rèn)識(shí)噴淋蝕刻 中出現(xiàn)的問(wèn)題。
2023-10-17 15:15:35 164 蝕刻 液的化學(xué) 成分的組成:蝕刻 液的化學(xué) 組分不同,其蝕刻 速率就不相同,蝕刻 系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻 液的蝕刻 系數(shù)通常是&;堿性氯化銅蝕刻 液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻 液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕問(wèn)題,蝕刻 后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35 553 由于碳纖維表面沒(méi)有催化活性,通常在鍍銀前要進(jìn)行敏化、活化處理。傳統(tǒng)的敏化活化工藝一般要用到氯化亞錫、氯化鋰等試劑,這些試劑不僅價(jià)格昂貴,還會(huì)產(chǎn)生含有重金屬離子的廢液。
2023-10-12 16:56:46 482 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué) 蝕刻 結(jié)果有限,因此人們投入了大量精力來(lái)開(kāi)發(fā)干法蝕刻 工藝。干法蝕刻 開(kāi)發(fā)一開(kāi)始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu),其中需要高蝕刻 速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻 。
2023-10-07 15:43:56 319 香港上市公司ESG表現(xiàn)積極 ?但仍需持續(xù)改進(jìn) 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務(wù)繼2021年以來(lái),于2023年9月19日,連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報(bào)告 。通過(guò)對(duì)上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58 265 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻 工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻 工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中,在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層,保留在板外層,即電路的圖形部分,然后是其余的銅箔被化學(xué) 方法腐蝕,稱為蝕刻 。
2023-09-18 11:06:30 669 好消息再次傳來(lái)! 統(tǒng)信UOS又雙叒叕獲得認(rèn)可! 第一新聲發(fā)布 《2023年中國(guó)信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告 》 我們分別入選: 中國(guó)最佳信創(chuàng)廠商TOP50 中國(guó)最佳信創(chuàng)操作系統(tǒng)廠商 中國(guó)最佳信創(chuàng)廠商優(yōu)秀
2023-09-13 17:02:17 376 要注意的是,蝕刻 時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻 工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻 掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12 474 近日,中國(guó)信息通信研究 院在“2023 SecGo云和軟件安全大會(huì)”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報(bào)告 (2023年)》 (以下簡(jiǎn)稱“報(bào)告 ”),全面介紹了在數(shù)字化轉(zhuǎn)型深化背景下,零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01 488 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻 工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻 。
2023-09-06 09:36:57 811 ,極易出現(xiàn)失效問(wèn)題。因此,深入研究 SBD失效機(jī)理 ,對(duì)于促進(jìn)SBD的性能和壽命提高,具有重要的意義。 SBD失效機(jī)理 可以從電學(xué)和物理兩個(gè)方面討論。首先,SBD失效機(jī)理 包括電學(xué)性失效和物理性失效。 電學(xué)性失效: 1.反向擊穿失效 SBD在反向電場(chǎng)下受到電子滲出現(xiàn)象(即逆向電子穿透
2023-08-29 16:35:08 971 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《評(píng)估報(bào)告 :支持Microsoft聯(lián)想S3200混合 陣列的交換.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 09:29:55 0 的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅 晶體管有兩種類型的損耗:傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。 功率晶體管是開(kāi)關(guān)電源中 功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失,GaN 晶體管(取代舊的硅 技術(shù))的開(kāi)發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18
、化學(xué) 、建材、研究 所、大學(xué)等行業(yè)單位品管檢測(cè)之用。-70℃可程式恒溫恒濕 試驗(yàn)箱主要技術(shù)參數(shù):型號(hào):TH-80/120/150/225/408/800/1000H(M、
2023-08-21 15:13:32
半導(dǎo)體蝕刻 設(shè)備是半導(dǎo)體製造過(guò)程中使用的設(shè)備。 化學(xué) 溶液通過(guò)將晶片浸入化學(xué) 溶液(蝕刻 劑)中來(lái)選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域,化學(xué) 溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58 319 諧振器,可對(duì)兩種液體的混合物 進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)。雙頻帶微波諧振器是一種雙開(kāi)口互補(bǔ)環(huán)縫諧振器(DC-SRR),蝕刻 在微帶傳輸線(microstrip line)的接地平面上。混合 器的輸出通道在諧振器近場(chǎng)的接地平面下方。 通過(guò)電磁和流體動(dòng)力學(xué)模擬,研究 人員為該部分設(shè)計(jì)了最佳通道配置,以提
2023-08-15 09:22:25 361 PCB蝕刻 工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象,通常發(fā)生在頂部,這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻 質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:43 1013 佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車(chē)車(chē)內(nèi)通信及網(wǎng)絡(luò)接口芯片行業(yè)研究報(bào)告 》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同,汽車(chē)通信應(yīng)用分為無(wú)線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:43 1401 預(yù)登記展會(huì)領(lǐng)取門(mén)票還可以獲得由AIoT星圖研究 院出品2023行業(yè)報(bào)告 之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場(chǎng)跟蹤調(diào)研報(bào)告 》、《中國(guó)光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告 》、《2023中國(guó)智慧工地行業(yè)市場(chǎng)研究報(bào)告
2023-07-31 11:14:32 525 刻蝕和蝕刻 實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱呼,常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué) 或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中,這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:59 4140 自己的模板
研究 報(bào)告 《 容、感、阻被動(dòng)元器件市場(chǎng)
報(bào)告 》,如需領(lǐng)取
報(bào)告 ,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? 元器件? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ,請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-07-17 17:15:04 246 前不久,國(guó)家無(wú)線電監(jiān)測(cè)中心與全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)(GSMA)共同發(fā)布了關(guān)于 未來(lái)寬帶移動(dòng)通信與頻譜高效利用的合作研究報(bào)告 。
2023-07-17 09:56:00 976 蝕刻 是一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面,蝕刻 的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32 183 、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商,斑馬技術(shù)公司(納斯達(dá)克股票代碼:ZBRA)今日發(fā)布2023年《汽車(chē)生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告 》。報(bào)告 結(jié)果表明,汽車(chē)制造商正面對(duì)著來(lái)自各方面的壓力,他們需要滿足消費(fèi)者對(duì)整體制造過(guò)程的可持續(xù)性和透明度不
2023-07-12 13:09:55 287 蝕刻 是一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面,蝕刻 的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03 190 年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商,斑馬技術(shù)公司(納斯達(dá)克股票代碼:ZBRA)今日發(fā)布2023年《汽車(chē)生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告 》。報(bào)告 結(jié)果表明,汽車(chē)制造商正面對(duì)著來(lái)自各方面的壓力,他們需要滿足消費(fèi)者對(duì)整體制造過(guò)
2023-07-07 16:07:24 321 自己的模板
研究 報(bào)告 《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場(chǎng)前景
報(bào)告 》,如需領(lǐng)取
報(bào)告 ,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? 虛擬人? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ,請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-07-03 17:25:02 283 在過(guò)去的三十年里,微流控平臺(tái)的出現(xiàn)改變了傳統(tǒng)化學(xué) 、化工、生物學(xué)和材料學(xué)的研究 范式,已被廣泛用于生物化學(xué) 反應(yīng)、快速混合 和微粒合成等。
2023-06-30 09:08:14 476 隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,鋁和鋁合金的等離子體蝕刻 變得更有必要。為了防止蝕刻 掩模下的橫向蝕刻 ,我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓,但大多數(shù)鋁蝕刻 的研究
2023-06-27 13:24:11 318 電化學(xué) 研究 領(lǐng)域巨人鋰離子電池之父、諾貝爾化學(xué) 獎(jiǎng)得主約翰·B·古迪納夫逝世 2023年6月26日,電化學(xué) 研究 領(lǐng)域巨人鋰離子電池之父、諾貝爾化學(xué) 獎(jiǎng)得主約翰·古迪納夫逝世;哀默! 在1997年,75
2023-06-27 12:00:58 735 CMOS和MEMS制造技術(shù),允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜,在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué) 性質(zhì)非常有用,但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF 中蝕刻 時(shí),這就成了問(wèn)題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻 速率以及橫向或分層膜的蝕刻 速率降低,濕法化學(xué) 也會(huì)有問(wèn)題。
2023-06-26 13:32:44 1053 》的研究報(bào)告 ,在報(bào)告 中,分析師們通過(guò)對(duì)47個(gè)國(guó)家及地區(qū)的850種職業(yè)(全球80%以上勞動(dòng)人口)的研究 ,探討了在AI成指數(shù)級(jí)發(fā)展背后,對(duì)全球經(jīng)濟(jì)將帶來(lái)的影響,哪些行業(yè)沖
2023-06-21 10:10:39 254 器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái),原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻 (ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù),它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻 技術(shù),允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05 526 用。該技術(shù)的缺點(diǎn)是在進(jìn)行蝕刻 之前電路圖形需要鍍上錫/鉛或一種電泳阻劑材料,在應(yīng)用焊接阻劑之前再將其除去。這就增加了復(fù)雜性,額外增加了一套濕 化學(xué) 溶液處理工藝。 2、全板鍍銅 在該過(guò)程中 全部的表面區(qū)域和鉆孔都
2023-06-09 14:19:07
研究報(bào)告 1.0版》,總計(jì)192頁(yè),分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測(cè)篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來(lái)篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章,對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)進(jìn)行了詳盡研究 和分析
2023-06-09 10:32:36 550 發(fā)展研究報(bào)告 1.0版》,總計(jì)192頁(yè),分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測(cè)篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來(lái)篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章,對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)進(jìn)行了詳盡研究 和分析。 以下為報(bào)告 內(nèi)容 受篇幅限制,以上僅為部分報(bào)告 預(yù)覽 后臺(tái)回復(fù)【 AIG
2023-06-04 16:15:01 503 等離子體蝕刻 是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟,然而,載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻 特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵(GaN)設(shè)備,通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究 中,英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究 蝕刻 過(guò)程中蝕刻 速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54 452 納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻 步驟包括虛擬柵極蝕刻 、各向異性柱蝕刻 、各向同性間隔蝕刻 和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻 是各向異性的,并使用氟化化學(xué) 。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻 (壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:11 1071 自己的模板 研究 報(bào)告 《 汽車(chē)電子2023車(chē)載充電機(jī)(OBC)市場(chǎng)分析》,如需領(lǐng)取報(bào)告 ,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? OBC? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需
2023-05-29 17:55:02 896 過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究 了硅的取向依賴蝕刻 ,這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻 劑,研究 了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻 過(guò)程,測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻 速率,用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻 面。英思特利用這些數(shù)據(jù),提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40 618 微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來(lái)獲得獨(dú)特的性質(zhì),特別是,當(dāng)用紫外光、可見(jiàn)光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí),金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而,用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的,并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此,英思特開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)濕化學(xué) 蝕刻 硅襯底來(lái)制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51 846 蝕刻 可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝,因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻 速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定,蝕刻 率就會(huì)變化,因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻 化學(xué) ,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31 575 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻 圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:48 4917 混合 碳化硅分立器件BGH75N120HF 1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使得IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。
2023-05-18 12:36:50 177 蝕刻 是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻 和干法蝕刻 ,濕法蝕刻 進(jìn)一步細(xì)分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻 。硅濕法各向異性蝕刻 廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽(yáng)能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12 700 拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué) 工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(pán)(晶片),然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程,包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻 消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷,蝕刻 之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00 584 自己的模板 研究 報(bào)告 《 工業(yè)視覺(jué)產(chǎn)業(yè)與工業(yè)圖像傳感器技術(shù)趨勢(shì)分析》,如需領(lǐng)取報(bào)告 ,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? 工業(yè) ? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交
2023-05-11 20:16:37 145 】,不包括yole報(bào)告 ,可在感知芯視界首頁(yè)對(duì)話框回復(fù)“汽車(chē)電子”免費(fèi)下載。 5月9日消息,近期行業(yè)研究 機(jī)構(gòu)Yelo發(fā)布了關(guān)于 汽車(chē)半導(dǎo)體傳感器市場(chǎng)的研究報(bào)告 ,公布了2022年全球汽車(chē)半導(dǎo)體傳感器市場(chǎng)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)與廠商排名,并且預(yù)計(jì)隨著汽車(chē)電氣化和ADAS技術(shù)
2023-05-10 13:20:35 686 院知識(shí)產(chǎn)權(quán)與創(chuàng)新發(fā)展中心在2022年發(fā)布《全球5G專利活動(dòng)報(bào)告 (2022年)》的基礎(chǔ)上,編寫(xiě)了《全球5G標(biāo)準(zhǔn)必要專利及標(biāo)準(zhǔn)提案研究報(bào)告 (2023年)》。本報(bào)告 基于截至2022年12月31日ETSI專利數(shù)據(jù)庫(kù)中
2023-05-10 10:39:03
了整個(gè)非平衡超快動(dòng)力學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展。超快現(xiàn)象在物理、化學(xué) 和生物等領(lǐng)域備受關(guān)注,例如光致相變、光誘導(dǎo)退磁、高能離子碰撞和分子化學(xué) 反應(yīng)等。非平衡超快領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)研究 成果頗豐,已成為熱點(diǎn)。然而,實(shí)驗(yàn)不能給出原子尺度的原子
2023-05-09 15:23:24 260 3 rdPartyMcalIntegrationHelper v3.8.0.1該工具在選擇要集成的更新 RTD 包時(shí)報(bào)告 錯(cuò)誤。
仔細(xì)查看錯(cuò)誤日志后,發(fā)現(xiàn)該工具正在尋找 Base 文件夾中 的文件,根據(jù)作為 v3.0.0 版本的一部分引入的新目錄結(jié)構(gòu),該文
2023-05-05 12:43:17
摘 要:隨著低碳經(jīng)濟(jì)的快速推進(jìn),人造石墨技術(shù)得到飛速的發(fā)展。國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)人造石墨的包覆、石墨化、電化學(xué) 及儲(chǔ)鋰機(jī)理 進(jìn)行了大量的研究 ,取得了豐碩的成果,但對(duì)粒度大小對(duì)電化學(xué) 及儲(chǔ)鋰特性的影響研究 較少。針對(duì)
2023-04-23 14:31:00 1506 在本例中,我們將研究 混合 硅基光電探測(cè)器的各項(xiàng)性能。單行載流子(uni-traveling carrier,UTC)光電探測(cè)器(PD)由InP/InGaAs制成
2023-04-23 09:31:10 895 大量基于錫晶須生成的化學(xué) 和物理參數(shù)的研究 ,專家表明,錫合金會(huì)在高溫高濕 的作用下與其他金屬一起擴(kuò)散,這將有助于形成金屬間化合物 (IMC) 。在這種情況下,隨著錫層中 電壓應(yīng)力的快速增加,錫離子沿晶體邊界擴(kuò)散
2023-04-21 16:03:02
,確保焊接的準(zhǔn)確性,可在板面上加阻焊劑,使焊盤(pán)裸露,其他部位均在阻焊層下。 助焊劑在焊接過(guò)程中 ,能與基金屬表面及焊料表面的各種化合物 發(fā)生化學(xué) 反應(yīng),生成可溶(熔)性的化合物 。在這一過(guò)程中 ,助焊劑起到
2023-04-20 15:25:28
[技術(shù)領(lǐng)域] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō)是一種酸性化學(xué) 品供應(yīng)控制系 統(tǒng)。 由于半導(dǎo)體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對(duì)象是硅晶片,而能在硅晶片上蝕刻 圖形 以及清洗硅晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學(xué)
2023-04-20 13:57:00 74 失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn),所以研究 IGBT的失效模式和機(jī)理 對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:04 1117 書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:HQ2和HF 溶液循環(huán)處理 編號(hào):JFKJ-21-213 作者:炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究 了濕法化學(xué) 處理過(guò)程中的表面形貌。在SC-1清洗過(guò)程中,硅表面
2023-04-19 10:01:00 129 我的客戶將 MPC5746R MCAL 從 MPC5746R_MCAL4_0_RTM_1_0_3 遷移到 MPC5746R_MCAL4_0_RTM_HF1_1_0_3 。但他們遇到了 ADC 許可證
2023-04-17 07:02:36
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研究 報(bào)告 《 汽車(chē)MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
報(bào)告 》,如需領(lǐng)取
報(bào)告 ,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? MCU? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ,請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-04-12 15:10:02 390 干法蝕刻 與濕法蝕刻 之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻 劑來(lái)制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻 )還是氣體(干法蝕刻 )
2023-04-12 14:54:33 1004 全國(guó)普通高校大學(xué)生計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽研究報(bào)告 鏈接:https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計(jì)算機(jī)類競(jìng)賽中 的表現(xiàn)情況是評(píng)估相關(guān)高校計(jì)算機(jī)
2023-04-10 10:16:15
PCB制作中 干膜和濕 膜可能會(huì)帶來(lái)哪些品質(zhì)不良的問(wèn)題?以及問(wèn)題如何解決呢?
2023-04-06 15:51:01
傳感新品 【清華大學(xué):智能氣體傳感器研究 中取得新進(jìn)展,基于單氣體傳感器實(shí)現(xiàn)了混合物 多組分智能檢測(cè)】 混合物 中的多組分檢測(cè),在現(xiàn)代生物醫(yī)學(xué)及化學(xué) 研究 中有著不可或缺的重要地位。由于傳感單元響應(yīng)選擇性往往
2023-04-03 17:10:43 877 濟(jì)南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日,國(guó)際數(shù)據(jù)公司(IDC)發(fā)布了《中國(guó)工業(yè)邊緣市場(chǎng)分析》研究報(bào)告 (以下簡(jiǎn)稱《報(bào)告 》)。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機(jī)器視覺(jué)等特色解決方案布局,入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30 540 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué) 反應(yīng)的過(guò)程,本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻 進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07 886 研究 表明,半導(dǎo)體的物理特性會(huì)根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化,因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻 成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34 251 調(diào)溫調(diào)濕 箱全名“恒溫恒濕 試驗(yàn)箱”是航空、汽車(chē)、家電、科研等領(lǐng)域必備的測(cè)試設(shè)備,用于測(cè)試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗(yàn)的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能,它主要用于根據(jù)試驗(yàn)
2023-03-28 09:02:36
自己的模板 研究 報(bào)告 《 國(guó)內(nèi)電源管理IC企業(yè)2022年業(yè)績(jī)分析》,如需領(lǐng)取報(bào)告 ,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? 電源管理? 即可領(lǐng)取! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交
2023-03-27 20:25:04 478 。 因此,關(guān)于 負(fù)極衰減機(jī)理 研究 的多是關(guān)于 石墨材料的衰減機(jī)理 。 電池容量的衰減包括存儲(chǔ)及使用時(shí)的衰減,存儲(chǔ)時(shí)的衰減通常與電化學(xué) 性能參數(shù)變化(阻抗等)有關(guān),使用時(shí)除電化學(xué) 性能變化外, 還伴隨有結(jié)構(gòu)等機(jī)械應(yīng)力的變化、析鋰等現(xiàn)象。
2023-03-27 10:40:52 538
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