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電子發燒友網>今日頭條>為什么高帶寬內存(HBM)能做到如此強大

為什么高帶寬內存(HBM)能做到如此強大

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美光搶灘市場,HBM3E量產掀起技術浪潮

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三星在技術上采用了最新的熱壓力傳導性膜(TC NCF)技術,成功維持了12層產品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現有的HBM封裝要求。
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AMD MI300加速器將支持HBM3E內存

據手機資訊網站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內存模塊,并面向HBM3E進行了重新設計。另外,該公司在供應鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲器供應商建立了穩固的聯系,同時也與如臺積電等重要的基板供應商以及OSAT社區保持著緊密的合作關系。
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三星發布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存HBM3E)產品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品,其性能也實現了質的飛躍。
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三星電子成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:00250

三星發布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達1280GB/s,容量達36G

“隨著AI行業對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產品HBM3E 12H應運而生,”三星電子內存規劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術、以及創新堆疊技術的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25203

AMD發布HBM3e AI加速器升級版,2025年推新款Instinct MI

目前,只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內存。與現有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個平臺可以達到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠實現5TB/s的傳輸速率,內存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:42121

SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現已提前調整產量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
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SK海力士擬在美國建廠生產HBM芯片

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2024-02-06 16:10:29663

SK海力士加大高帶寬內存生產投入

SK海力士近日宣布,將進一步擴大高帶寬內存生產設施的投資,以滿足高性能AI產品市場的不斷增長需求。
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三星加大投資提升HBM產能,與SK海力士競爭加劇

近日,據報道,三星電子正計劃大規模擴大其HBM(高帶寬內存)產能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:09271

Nvidia 正在利用迄今為止最強大的芯片 H200 推動人工智能革命

ABSTRACT摘要Nvidia表示,H200TensorCoreGPU具有更大的內存容量和帶寬,可加快生成AI和HPC工作負載的速度。NvidiaH200是首款提供HBM3e的GPU,HBM
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深度解析HBM內存技術

HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,打破內存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊,并與GPU一同進行封裝,形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131323

英偉達斥資預購HBM3內存,為H200及超級芯片儲備產能

據最新傳聞,英偉達正在籌劃發布兩款搭載HBM3E內存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進一步說明了對于HBM內存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04231

英偉達大量訂購HBM3E內存,搶占市場先機

英偉達(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內存,為其AI領域的下一代產品做準備。也預示著內存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:50584

谷歌最強大的定制設計人工智能加速器—TPU v5p芯片

谷歌正迅速成為 BFF Nvidia 的強大對手——為其超級計算機提供動力的 TPU v5p AI 芯片速度更快,內存帶寬比以往任何時候都多,甚至擊敗了強大的 H100
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HBM如何改變電子設備的性能格局?

隨著信息技術的飛速發展,數據存儲和處理能力成為科技進步的關鍵。在這種背景下,高帶寬內存(High-Bandwidth Memory,簡稱HBM)應運而生,以其超高的數據傳輸速率和卓越的能效,在多個領域展現出了廣闊的應用前景。
2023-12-21 09:52:28193

AI大模型不斷拉高上限,內存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來

數據量、復雜度在增加,HBM內存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內存十分適合于AI訓練場景。最近,內存芯片廠商已經不約而同地切入HBM3E競爭當中。內存控制器IP廠商Rambus也率先發布HBM3內存
2023-12-13 15:33:48885

HBM搶單大戰,才剛剛拉開帷幕

市場非常吃香的 HBM 內存。 ? AI 芯片帶來的 HBM 熱潮 ? 在 AI 芯片的設計中,除了需要先進工藝和先進封裝在有限的面積下提供足夠的算力和擴展性外,被提及最多的一個問題就是內存墻。過去內存墻的問題在AI 計算還不盛行的時代并不突出,而且 HBM 當時還被視作高
2023-12-13 01:27:001179

大模型時代必備存儲之HBM進入汽車領域

大模型時代AI芯片必備HBM內存已是業內共識,存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關健指標,甚至某些場合超越算力,是最關鍵的性能指標,而汽車行業也開始出現HBM內存
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Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能

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下一代HBM技術路線選擇對行業有何影響?

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2023-12-06 10:40:49136

關于AD9122輸出帶寬滾降問題

你好,我現在的設計使用AD9122,希望AD9122的輸出帶寬(60M),設計要求帶外滾降1M -20dB,可我設置AD9122,發現其帶外滾降只能做到5M -20DB,請問是否有特殊方法,達到帶外1m-20DB的要求。謝謝
2023-12-06 06:32:09

大算力芯片里的HBM,你了解多少?

最近,隨著人工智能行業的高速崛起,大算力芯片業成為半導體行業為數不多的熱門領域HBM(高寬帶內存:High-bandwidthmemory)作為大算力芯片里不可或缺的組成部分,也因此走入了行業
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2023-11-27 15:03:57443

英偉達聯手SK海力士,嘗試將HBM內存3D堆疊到GPU核心上

hbm spot目前位于cpu或gpu旁邊的中間層,使用1024位接口連接邏輯芯片。sk hynix制定了將hbm4直接堆積在logic芯片上,完全消除中介層的目標。
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用AD8367為什么不能做音頻AGC?

最近在用AD8367做音頻AGC想達到的目的就是 不管電腦音量加大還是減小(也就是輸入) 輸出保持在一定值 照著手冊上面試了幾次都不能做到AGC只能做到輸入越大輸出越大相當于就是很普通的放大
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1.1TB HBM3e內存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無緣中國

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HBM的未來

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英偉達新一代人工智能(AI)芯片HGX H200

基于英偉達的“Hopper”架構的H200也是該公司第一款使用HBM3e內存的芯片,這種內存速度更快,容量更大,因此更適合大語言模型。英偉達稱:借助HBM3e,H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的內存,與A100相比,容量幾乎是其兩倍,帶寬增加了2.4倍。
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據預測,進入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導體業績明年將迅速恢復。部分人預測,三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。
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一文解析HBM技術原理及優勢

HBM技術是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計算、人工智能、數據中心等領域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM技術的原理、優勢、應用和發展趨勢。
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追趕SK海力士,三星、美光搶進HBM3E

3E共五代產品。對于HBM3E,SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品,2024年開始量產。8層堆疊,容量達24GB,帶寬為1.15TB/s。 ? 近日,三星電子也更新了HBM3E的進展。據韓媒報道
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HBM芯片市場前景可期,三星2023年訂單同比增長一倍以上

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SK海力士推全球最高性能HBM3E內存

HBM3E內存(也可以說是顯存)主要面向AI應用,是HBM3規范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優化。
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SK海力士開發出全球最高規格HBM3E,向英偉達提供樣品

該公司表示,HBM3E(HBM3的擴展版本)的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E,鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
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繼續加大產量,HBM內存廠商的新寵兒

電子發燒友網報道(文/周凱揚)隨著AI芯片逐漸成為半導體市場的香餑餑,與之相關的附屬產物也在不斷升值,被一并炒熱。就拿高帶寬內存HBM來說,無論是英偉達的GPU芯片,還是初創公司打造的AI芯片
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2023-08-10 09:37:12892

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英偉達的破綻

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Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內存,其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535

三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務;傳蘋果悄悄開發“Apple GPT” 或將挑戰OpenAI

與包括三星在內的潛在供應商進行交易談判。 目前,英偉達的A100、H100和其他AI GPU均使用臺積電進行晶圓制造和2.5封裝工作的前端工藝。英偉達AI GPU使用的HBM(高帶寬內存)芯片由SK海力士獨家提供。然而,臺積電沒有能力處理這些芯片所需的2.5D封裝的所有工作量。消息人士稱,英
2023-07-20 17:00:02404

詳解卡爾曼濾波原理

我不得不說說卡爾曼濾波,因為它能做到的事情簡直讓人驚嘆!意外的是很少有軟件工程師和科學家對對它有所了解,這讓我感到沮喪,因為卡爾曼濾波是一個如此強大的工具
2023-07-13 16:20:591690

HBM的崛起!

時任AMD CEO的蘇姿豐表示,HBM采用堆疊式設計實現存儲速度的提升,大幅改變了GPU邏輯結構設計,DRAM顆粒由“平房設計”改為“樓房設計”,所以HBM顯存能夠帶來遠遠超過當前GDDR5所能夠提供的帶寬上限,其將率先應用于高端PC市場,和英偉達(NVIDIA)展開新一輪的競爭。
2023-07-13 15:18:24497

AI加速存儲芯片反轉 HBM芯片崛起

HBM(High Bandwidth Memory)是一種創新的CPU/GPU內存芯片,它通過堆疊多個DDR芯片并與GPU封裝在一起,實現了高容量和高位寬的DDR組合陣列。
2023-07-13 14:53:051111

瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!

SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39684

大模型市場,不止帶火HBM

近日,HBM成為芯片行業的火熱話題。據TrendForce預測,2023年高帶寬內存HBM)比特量預計將達到2.9億GB,同比增長約60%,2024年預計將進一步增長30%。
2023-07-11 18:25:08702

競逐HBM,三星競爭力在下降?

7月5日,在三星每周三舉行的員工內部溝通活動期間,三星電子負責半導體業務的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示,“三星高帶寬內存 (HBM) 產品的市場份額仍超過 50%”,他駁斥了有關該公司內存競爭力正在下降的擔憂。
2023-07-10 10:56:03516

預計未來兩年HBM供應仍將緊張

據業內消息人士透露,隨著人工智能(AI)服務器需求的激增,高帶寬內存(HBM)的價格開始上漲。
2023-07-07 12:23:41387

HBM內存:韓國人的游戲

HBM技術之下,DRAM芯片從2D轉變為3D,可以在很小的物理空間里實現高容量、高帶寬、低延時與低功耗,因而HBM被業界視為新一代內存解決方案。
2023-06-30 16:31:33625

三星加速進軍HBM

據韓媒報道,韓國三星電子公司正在加緊努力,更深入地滲透到HBM3市場,由于其在整個內存芯片市場中所占的份額很小,因此相對于其他高性能芯片來說,該公司一直忽視了這一領域。
2023-06-27 17:13:03453

Rambus提升GDDR6帶寬,以應對邊緣計算挑戰

HBM(高帶寬內存)于 2013 年推出,是一種高性能 3D 堆疊 SDRAM架構。如其名稱所述,HBM最重要的是帶寬更高,盡管HBM內存都以相對較低的數據速率運行,但其通道數更多。例如,以3.6
2023-05-29 09:34:57312

HBM性能驗證變得簡單

HBM2E(高帶寬內存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(如內存子系統、互連總線和處理器)結構復雜,驗證內存的性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰。
2023-05-26 10:24:38437

HBM3:用于解決高密度和復雜計算問題的下一代內存標準

在這個技術革命的時代,人工智能應用程序、高端服務器和圖形等領域都在不斷發展。這些應用需要快速處理和高密度來存儲數據,其中高帶寬內存HBM) 提供了最可行的內存技術解決方案。
2023-05-25 16:39:333398

Rambus推出提升GDDR6內存接口性能的Rambus GDDR6

憑借Rambus GDDR6 PHY所實現的新一級性能,設計人員可以為帶寬要求極為苛刻的工作負載提供所需的帶寬。和我們領先的HBM3內存接口一樣,這項最新成就表明了我們不斷致力于開發最先進的內存性能,以滿足生成式AI等先進計算應用的需求。
2023-05-17 14:22:36554

為什么我fpga的io口輸出速率只能做到8mhz呢?

為什么我fpga的io口輸出速率只能做到8mhz呢?
2023-05-16 14:36:45

請問電子穿戴設備的充電正負極如何能做到單向充電?正負極短路不影響功能運行?

請問電子穿戴設備的充電正負極如何能做到單向充電?正負極短路不影響功能運行?
2023-05-10 12:00:33

為什么示波器采樣率相同,帶寬不同,根本原因是什么?

為什么同樣采樣率1GS/s的示波器,A廠帶寬是100MHz,B廠是200MHz? 既然采樣率都是1GS/s,是示波器哪個部分限制了帶寬呢? 既然A采樣率也能做到1GS/s,為啥不把帶寬做到200Mhz呢?
2023-04-26 14:12:08

示波器探頭的帶寬必須是示波器帶寬的三到五倍嗎?

示波器探頭是測量信號時的必備工具,它能夠接收并將被測信號轉換為示波器能夠識別和顯示的信號。在選擇示波器探頭時,用戶通常會關注探頭的帶寬和精度,以確保測量結果的準確性。關于示波器探頭的帶寬和示波器帶寬之間的關系,有人認為示波器探頭的帶寬必須是示波器帶寬的三到五倍。但事實真的如此嗎?
2023-04-17 10:58:291499

大算力模型,HBM、Chiplet和CPO等技術打破技術瓶頸

HBM 使用多根數據線實現高帶寬,完美解決傳統存儲效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣,但是 HBM 使用多根數據線實現了高帶寬HBM/HBM2 使用 1024 根數據線傳輸數據
2023-04-16 10:42:243537

AI算力發展如何解決內存墻和功耗墻問題

“存”“算”性能失配,內存墻導致訪存時延高,效率低。內存墻,指內存的容量或傳輸帶寬有限而嚴重限制 CPU 性能發揮的現象。內存的性能指標主要有“帶寬”(Bandwidth)和“等待時間”(Latency)。
2023-04-12 13:53:221005

S32DS IDE如何使用一些外部編程器查看內存地址是否存在有效數據?

)查看內存地址是否存在有效數據(與 hex 文件/ srec 文件中的數據相同)我正在使用 S32 DS IDE我怎樣才能做到這一點?
2023-04-04 08:11:30

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