公司發展,掌握國際領先的第三代半導體碳化硅功率器件技術。薩科微產品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等集成電路三大系列,可以替換英飛凌、安森美、意法半導體、富士、三菱、科銳cree等品牌的產品
2024-03-18 11:39:25
隨著5G技術的迅猛發展和廣泛應用,紫光展銳作為通信行業的領軍企業,不斷加大對5G垂直行業的投入與研發,引領著5G標準從R15到R16,再到R17的演進。紫光展銳攜手眾多生態合作伙伴,共同推出了一系列創新性解決方案,特別是在5G RedCap和5G新通話等領域取得了顯著的新突破。
2024-03-11 09:44:34106 FPGA,即現場可編程門陣列,作為可重構電路芯片,已經成為行業“萬能芯片”,在通信系統、數字信息處理、視頻圖像處理、高速接口設計等方面都有不俗的表現。近幾年,隨著國家戰略支持和產業發展,國產FPGA
2024-03-01 19:02:59
FPGA,即現場可編程門陣列,作為可重構電路芯片,已經成為行業“萬能芯片”,在通信系統、數字信息處理、視頻圖像處理、高速接口設計等方面都有不俗的表現。近幾年,隨著國家戰略支持和產業發展,國產
2024-03-01 15:16:13
**一、微弧氧化脈沖電源技術原理**微弧氧化脈沖電源技術是一種基于電化學原理的電源技術。其工作原理是利用脈沖電流在電解質中產生的電化學反應,使金屬表面形成一層致密的氧化膜,從而提高金屬表面的耐磨性
2024-02-25 17:57:30
有限公司,技術骨干來自清華大學和韓國延世大學,掌握國際領先的碳化硅器件技術,slkor愿景是成為“半導體行業領導者”。產品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等三大系列,發展成為集成電路設計研發、生產
2024-02-02 09:52:12
請問紫光同創FPGA有哪些型號?分別用于什么場景?
2024-01-24 10:48:12
紫光同創是紫光集團旗下紫光國微的子公司,成立于2013年,有十余年可編程邏輯器件研發經歷,布局覆蓋高中低端FPGA產品。
早在2015年,紫光同創就成功推出國內第一款實現千萬門級規模的全自主知識產權
2024-01-24 10:45:40
近期,紫光展銳憑借在技術和產品創新領域的實力和成果,接連斬獲多項行業重要榮譽。
2024-01-20 17:21:00909 的行列中,推出相關產品。
國內規模比較大的有華潤微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產品,而更多的初創企業也在進入車規SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發的1200V/80m
2024-01-19 14:53:16
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路,采樣的全隔離的驅動方案,但是現在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高,不知道為啥?是因為驅動芯片的原因嗎?上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的功率半導體器件,具有很多優點和一些缺點。以下是關于氮化鎵芯片的詳細介紹。 優點: 1.高頻率特性:GaN芯片具有優秀的高頻特性,可以實現高頻率工作,適合用于射頻和微波
2024-01-10 10:16:52467 氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的半導體材料,由氮化鎵制成。它具有許多優越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多領域有著廣泛應用的潛力。以下是幾個氮化鎵芯片的應用領域
2024-01-10 10:13:19436 氮化鎵作為材料,而硅芯片則采用硅作為材料。氮化鎵具有優秀的物理特性,包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等,這些特性使得氮化鎵芯片在高功率、高頻率和高溫環境下表現出較好的性能。
2024-01-10 10:08:14512 ,并對目前市場上的幾種主要氮化鎵芯片進行比較分析,幫助讀者了解不同型號芯片的特點和適用場景。 一、氮化鎵芯片的基本原理 氮化鎵(GaN)是一種硅基半導體材料,具有較高的載流子遷移率和較大的擊穿電場強度,使其具備優秀的高
2024-01-10 09:25:57354 ,22年獲得優勝獎后,連續第三年參加該項競賽并獲表彰。
深圳市福田區2023年職工“五小”創新與質量技術成果競賽是一項旨在鼓勵和促進員工積極參與創新和質量改進活動的競賽。該競賽活動涵蓋各類組織的員工
2024-01-04 12:01:23
。 在同期舉辦的2023電源行業配套品牌頒獎晚會上,宏微科技憑借先進的技術實力和創新的產品能力,榮獲“ 國產功率器件行業卓越獎 ”、 “ 功率器件-IGBT行業優秀獎 ” 雙料大獎。 世紀電源網是電源行業有影響力的技術交流 平 臺,此次評選通過
2023-12-26 20:00:02304 瑞芯微RK2606USB驅動軟件求分享!
謝謝大師們!
2023-12-21 10:46:16
泛海微Fhchip-OC6700 升壓恒流芯片泛海微Fhchip-OC6700是一款專為LED照明應用設計的升壓恒流芯片。它集成了最新的功率MOSFET和PWM控制技術,具有高效率、高可靠性、高精度
2023-12-20 21:54:50
、高可靠性、高穩定性等特點,為LED照明和背光應用提供了優秀的解決方案。一、高效穩定泛海微Fhchip-OC3002采用最新的芯片技術,具有高效率、高穩定性的特點。它采用
2023-12-20 21:52:41
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統、衛星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛星通信
2023-12-15 17:43:45
年會千峰之夜頒獎晚宴上,在一百余位產業互聯網企業決策人、投資人及業界人士的共同見證下,2023產業互聯網千峰獎正式揭曉。華秋憑借其卓越的數字化實力和創新能力,在眾多優秀的候選者中脫穎而出,榮獲了
2023-12-15 09:57:04
年會千峰之夜頒獎晚宴上,在一百余位產業互聯網企業決策人、投資人及業界人士的共同見證下,2023產業互聯網千峰獎正式揭曉。華秋憑借其卓越的數字化實力和創新能力,在眾多優秀的候選者中脫穎而出,榮獲了
2023-12-15 09:53:36
項“杰出二等獎” 和 26項“優秀三等獎”。 此次 活動旨推進ICT應用基礎研究,突出 關鍵核心技術 、為城市或行業ICT深度應用尋找“中國樣本”,助推經濟社會數字化轉型和高質量發展。 5項“卓越一等獎” ??? ?引領ICT技術創新? ? ? 基于中興通訊GoldenDB分布式數
2023-12-11 18:05:02206 深圳市三佛科技有限公司供應FT838NB1-RT輝芒微SOP8電源管理芯片,原裝現貨FT838NB1-RT輝芒微SOP8電源管理芯片產品介紹:FT838NB1/NB2是一種先進的國產集成芯片,由
2023-11-30 15:48:30
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性,適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件,將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件,具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優點,被廣泛應用于通信、醫療、工業等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151100 鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為17
2023-11-24 11:05:11822 在測量微電流時,由于電流的正負都可能出現,進行I-V轉換后,電壓也是正負都可能出現,我的芯片是ADUCM360,它的內置AD只能測量正電壓,怎樣才能測量正負微電流呢?我運放 用的是AD8605,求測量正負電流的電路圖
2023-11-22 06:25:31
基于瑞芯微RK3588芯片平臺設計的多功能行業應用板LKD3588是基于瑞芯微RK3588芯片平臺精心設計的一款多功能行業應用板,其由LCB3588核心模塊與底板組成。核心模塊與底板采用B2B連接器
2023-11-21 18:51:36
氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片,它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域,如通信、雷達、衛星通信、微波射頻等領域。與傳統的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 【法國,巴黎,2023年11月16日】在2023年華為全聯接大會巴黎站的第二天,華為表示其業界領先的ICT創新技術將助力歐洲千行百業加速實現綠色和數字化轉型。 ICT創新助力全行業數字化轉型 華為
2023-11-17 20:55:02319 近日,2023中國眼谷眼視光創新創業全球挑戰賽總決賽落下帷幕,經過多輪激烈又精彩的角逐,靈犀微光從眾多的全球前沿眼健康科技項目中脫穎而出,榮獲本次大賽優秀獎。
2023-11-15 17:30:36273 ",“雙目路面預瞄(魔毯)系統”榮獲“2023第八屆鈴軒獎-量產-智能駕駛類優秀獎”。此次獲獎,體現了行業評委會對保隆科技ADAS系統方案的認可,也凸顯了保隆科技自身過硬的綜合開發實力和市場競爭力!
2023-11-13 16:46:18988 芯片T97-315E 憑借領先的技術優勢 和 市場表現 獲頒第八屆鈴軒獎-量產·集成電路類·優秀獎。 量產實力,權威認可 紫光汽車芯方案獲行業大獎 作為 中國汽車零部件年度貢獻獎——鈴軒獎 ,自2016年創立以來,已經發展成為 中國最具權威的汽車供應鏈企業產品和技術評價
2023-11-12 19:10:01482 獲獎的團隊作品涌現出很多創新亮點,充分體現了開源生態蓬勃共建的良好勢頭和巨大潛力。
一等獎花落選擇行業使能賽隊的華中科技大學“名稱暫定隊”賽隊,他們提交的病床巡檢終端作品,能夠更快速、方便地獲取病床
2023-11-07 17:10:05
微能量MF9006,+V13715153786,是一款微光下能發電給設備供電的芯片,對便攜式,低功耗設備,具有增加設備續航能力,微光下永不停電,綠色環保
2023-11-06 20:11:36
氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發,結合實際使用場景,選擇最合適的氮化鎵芯片,以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景,如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同,因此在選擇氮化鎵芯片時,要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:18412 近日,國家知識產權局發布《國家知識產權局關于第二十四屆中國專利獎授獎的決定》,其中和芯星通發明專利《一種基于GNSS接收機的授時方法及GNSS接收機》(專利號:201910039569.1)獲得第二十四屆中國專利優秀獎。
2023-10-25 16:14:18327 將單片機接入到微信上是如何實現的?
2023-10-23 08:16:28
作為第三代半導體材料,氮化鎵具有高頻、高效率、低發熱等特點,是制作功率芯片的理想材料。如今,電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率,減少熱量的產生,并且縮小了充電器的體積,使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33414 總決賽,斬獲殊榮!
本篇優秀作品:2023集創賽全國總決賽紫光同創杯賽一等獎獲獎作品,來自東莞理工+BugMaker的內容分享。
獲獎作品:《基于紫光同創FPGA的圖像采集及AI加速》獲獎隊伍: 東莞
2023-09-22 16:24:14
賦能,載譽而歸。此次華大北斗斬獲“中國芯”優秀技術創新產品獎,再次體現了其在北斗GNSS衛星導航定位芯片領域收獲的行業認可。未來,公司將繼續通過核心產品研發創新和產業鏈持續布局,為推動北斗規模應用貢獻“中國芯”力量。
2023-09-22 14:46:30
2023年中國芯“優秀技術創新產品”獎 。 持續創新 又雙叒叕獲得業內權威肯定! “中國芯”活動由廣東省工業和信息化廳、中國半導體行業協會指導,中國電子信息產業發展研究院、珠海市人民政府和橫琴粵澳深度合作區執行委員會聯合主辦, 被譽為集成電路產品和技術
2023-09-22 11:55:02559 ,一板多用,滿足多方位的開發需求。
盤古22K開發板詳情
盤古22K開發板(MES22GP)是基于紫光同創40nm工藝的Logos系列PGL22G芯片的一套全新的國產FPGA開發套件。開發板電源采用
2023-09-21 18:16:52
脫穎而出,一路沖刺到全國總決賽,斬獲殊榮!
本篇優秀作品:2023集創賽全國總決賽紫光同創杯賽一等獎獲獎作品,來自北京郵電大學+逐日隊的內容分享。
獲獎作品:《多通道高性能視頻采集與加速系統》
獲獎
2023-09-21 17:34:51
伍提交作品
OpenHarmony創新賽特別設立“創新激勵獎”!
前100名按要求提交完整作品的參賽隊伍
即可獲得激勵獎——創新賽周邊限定禮包一份!
PS:按照提交代碼倉的時間排序前100位,
賽事結束
2023-09-21 15:32:17
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料,很多特性都強于傳統的硅基半導體。
2023-09-11 17:17:531560 納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術,創造了專有的AllGaN工藝設計套件(PDK),以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器,邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業
2023-09-01 14:46:04409 40nm工藝的Logos系列PGL22G芯片的一套全新的國產FPGA開發套件。開發板電源采用圣邦微SGM61032解決方案,HDMI 接口采用宏晶微 MS7200方案,更大程度實現國產化。預留 HDMI
2023-08-31 14:21:56
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-28 17:03:082027 、Qorvo、廣芯微、順絡電子、兆訊等全球嵌入式與AIoT行業廠商重磅亮相,呈現一場國內AI的饕餮盛宴!
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當前,不論是汽車的電動化智能化,還是芯片技術在PPA道路上的演進,最終都是在應用端
2023-08-24 11:49:00
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
如下:
1)直接發送給小眼睛科技微信客服,在小眼睛科技微信公眾號“小眼睛FPGA”進行推文發表,優質文章將直接推薦在紫光同創官微發表;
2)自行在電子發燒友FPGA開發者技術社區發表,地址鏈接如下
2023-08-21 16:16:13
主控芯片_logos2系列 :PG2L100H-6IFBG676,板卡電源采用圣邦微(SGM61132)+ 艾諾(EZ8303)解決方案,HDMI 接口采用宏晶微MS7200和MS7210,更大程度實現
2023-08-11 11:40:32
控制系統》榮獲優秀獎。這已經是ZLG致遠電子連續四屆獲得此獎項了,再次證明了致遠電子在技術創新和行業貢獻方面的卓越地位。中國專利獎由國家知識產權局于1989年設立
2023-07-31 23:24:41352 相對于傳統的硅材料,氮化鎵電源在高功率工作時產生的熱量較少,因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下,氮化鎵電源相對于傳統的硅電源會產生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:233602 《基于嵌入式系統的外設控制系統》 榮獲優秀獎。這已經是ZLG致遠電子連續四屆獲得此獎項了,再次證明了致遠電子在技術創新和行業貢獻方面的卓越地位。 中國專利獎由國家知識產權局于1989年設立,是我國唯一的專門對授予專利權的發明創造給予獎勵的政
2023-07-24 17:40:02379 深圳市三佛科技有限公司供應PN8044芯朋微DIP8封裝18V300MA非隔離電源芯片,原裝,庫存現貨 PN8044芯朋微DIP8封裝18V300MA非隔離電源芯片 產品介紹:PN8044
2023-07-10 14:01:38
深圳市三佛科技有限公司供應PN8034芯朋微12V300MA DIP7非隔離電源芯片,原裝現貨 PN8034芯朋微12V300MA DIP7非隔離電源芯片概述
2023-07-10 11:39:04
深圳市三佛科技有限公司供應NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片,原裝,庫存現貨熱銷 NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片特性集成高壓啟動電路,帶停電檢測集成X2電容放電
2023-07-05 15:38:22
在2023 MWC上海期間,華為舉行產品與解決方案創新實踐發布會,發布ICT服務與軟件最新創新實踐,與全球運營商及行業客戶一起持續使能行業數智化轉型。 華為全球技術服務部副總裁荀速表示,基于創新
2023-07-04 15:40:52341 ? 紫光集團旗下核心企業紫光展銳,是世界領先的平臺型芯片設計公司,全球公開市場3家5G芯片企業之一。 紫光集團高度重視紫光展銳在通信領域的創新引領與持續增長,為進一步助力紫光展銳的高質量發展,加強
2023-06-27 09:12:12162 ,氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件,使得單片式電源系統可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設計。集成功率級諸如EPC23102為設計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能,有助消除死區時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
33μF400V。
另一顆規格為47μF400V。
差模電感采用磁環繞制,外套熱縮管絕緣。
橙果這款65W氮化鎵充電器內部采用兩路PI的電源芯片,對應兩顆不同大小的變壓器,組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50
電機逆變器功率開關的比較電機逆變器:三相拓撲?IGBT:行業“主力”開關速度慢,損耗低?MOSFET:更快的開關,更好?氮化鎵:幾乎沒有開關損耗
2023-06-16 11:31:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
超低的電阻和電容,開關速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力,電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后,氮化鎵充電器的開關頻率,已經從 65-100kHz,提高到
2023-06-15 15:53:16
鎵在自然界中不以元素形式存在。它通常是在鋁土礦加工成鋁的過程中,或閃鋅礦提煉為鋅的過程中產生的副產品。因此鎵的提取和精煉,碳足跡非常低。
鎵每年產量超過 300 噸,預計全世界的存儲量超過 100
2023-06-15 15:50:54
的設計和集成度,已經被證明可以成為充當下一代功率半導體,其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計,如果全球采用硅芯片器件的數據中心,都升級為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵,由鎵(原子序數 31)和氮(原子序數 7)結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產,則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
行業標準,成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵,是創造出接近“理想開關”的電路構件,即一個能將最小能量的數字信號,轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
。共計推薦98個項目晉級深創賽半決賽。在過往八屆賽事參賽項目,累計在中國創新創業大賽(國賽)項目路演評選中獲得1個二等獎,4個優秀獎。
全國科技工作者日,致敬硬創先鋒
時值5月30日全國科技工作者日
2023-06-01 13:47:41
的應用特點,開發的一套全新的國產FPGA開發套件。MES100P開發板采用紫光同創28nm工藝的FPGA 作為主控芯片(logos2系列:PG2L100H-6IFBG676),板卡電源采用圣邦微
2023-04-13 16:23:47
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件,它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優點。與傳統的半導體器件相比,合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術,將多個半導體器件集成在一個芯片上,使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 高性價比板卡。紫光盤古22K開發板聯系我們:公司官網:www.meyesemi.com微信/電話:***淘寶店鋪:https://shop372525434.taobao.comOr 搜索淘寶店鋪:小眼睛半導體微信公眾號:小眼睛FPGA
2023-04-11 16:25:46
常軍鋒先生、監事長朱小安先生分別進行了產業總結報告、深半協工作總結匯報。隨后,在現場的頒獎儀式上,華秋電子憑借專注的電子產業一站式服務能力,以及與深圳市半導體行業協會全方位、多領域的深度合作,榮獲優秀
2023-04-03 15:28:32
自氮化鎵進軍快充市場以來,不過短短幾年時間,其憑借著極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性,使得采用氮化鎵功率芯片的充電器, 能在體積和重量只有傳統硅器件充電器的一半的前提下,提升3倍的充電速度, 迅速
2023-03-28 13:58:021193 ,可直接用于驅動氮化鎵功率管;芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式,同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能;當負載降低時,芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率,空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓,可直接用于驅動氮化鎵功率管;芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式,同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能;當負載降低時,芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率,空載待機
2023-03-28 10:24:46
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