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用于微系統的先進光刻膠技術

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買完ASML***,又“國有化”光刻膠龍頭,日本的野心藏不住了

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)根據外媒的最新報道,日本政府支持的投資公司JIC(產業革新投資機構)計劃斥資64億美元(約合9093億日元)收購日本光刻膠龍頭JSR。據悉,JIC計劃在12月下旬發起
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關于光刻膠的關鍵參數介紹

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2024-03-08 10:42:3788

一文解析半導體設計電路的“光刻工藝”

利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發生性質變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。
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2023年中國光刻膠行業市場前景及投資研究報告

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光刻膠分類與市場結構

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全球光刻膠市場預計收入下滑,2024年有望反彈

所謂的“光刻膠”,即是在紫外線、電子束等輻射下,其溶解度會產生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關鍵要素,廣泛應用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多,此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠,將成為各廠商關注的焦點。
2023-12-28 11:14:34379

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結構圖

光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中,k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度,ASML認為其物理極限在0.25,k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326

詳解***結構及工作原理

到硅片上。光刻機主要由光源、凸透鏡、光刻膠和控制系統等組成,其中光源發出紫外線或可見光,凸透鏡將光線聚焦到光刻膠上,而控制系統則控制光刻膠的曝光時間和光線的強度等參數。 光刻機的工作原理是基于光學投影技術的。它利用光學系統將電路設計的圖案
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晶圓級封裝(WLP)的各項材料及其作用

本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項材料,從光刻膠中的樹脂,到晶圓承載系統(WSS)中的粘合劑,這些材料均在晶圓級封裝中發揮著重要作用。
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勻膠速度影響光刻膠的哪些性質?

勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數,那么我們在勻膠時,是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質?
2023-12-15 09:35:56442

光刻膠價格上漲,韓國半導體公司壓力增大

光刻膠類別的多樣化,此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品,也是未來各地廠家的競爭焦點。當前市場中,光刻膠主要由東京大賀工業、杜邦、JSR、信越化學、住友化學及東進半導體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408

萬潤股份在半導體制造材料領域穩步推進,涉足光刻膠單體、PI等業務

近期,萬潤股份在接受機構調研時透露,其“年產65噸半導體用光刻膠樹脂系列”項目已經順利投入運營。該項目旨在為客戶提供專業的半導體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328

半導體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發生性質變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
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數字后端先進工藝知識科普

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韓國SKMP開發出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

據報道,韓國SK集團于2020年斥資400億韓元收購當地錦湖石化的電子材料業務,收購后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已開發出一種高厚度KrF光刻膠,并通過了SK海力士的性能驗證,這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術開發。
2023-11-29 17:01:56433

光刻膠國內市場及國產化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。
2023-11-29 10:28:50283

韓國SKMP開發出高厚度KrF光刻膠,可助力3D NAND閃存制造

 據悉,skmp開發的新型KrF光刻膠的厚度為14至15米,與東進半導體(DONGJIN SEMICHEM)向三星提供的產品相似。日本jsr公司的類似產品厚度只有10微米。
2023-11-29 10:02:52258

不僅需要***,更需要光刻膠

為了生產高純度、高質量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹脂,溶劑PGMEA…此外,生產過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監測也是至關重要的控制環節。例如,2019年,某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:48550

全球主要晶圓廠制程節點技術路線圖

雕刻電路圖案的核心制造設備是光刻機,它的精度決定了制程的精度。光刻機的運作原理是先把設計好的芯片圖案印在掩膜上,用激光穿過掩膜和光學鏡片,將芯片圖案曝光在帶有光刻膠涂層的硅片上,涂層被激光照到之處則溶解,沒有被照到之處保持不變,掩膜上的圖案就被雕刻到芯片光刻膠涂層上。
2023-11-24 12:27:061287

西隴科學9天8板,回應稱“未生產、銷售光刻膠

 20日,西隴科學(株)發布公告稱,該公司沒有生產銷售礦產品。公司生產及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠,占公司營業收入的比例,是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315

金屬Cr詳解

光刻過程中,鉻被用作掩膜版的關鍵材料。鉻在紫外光下表現出高光學密度,可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻,在其上涂覆一層光刻膠,再使用電子束光刻,顯影,在光刻膠上做出預期的圖形,之后進行Cr的刻蝕,最后去除光刻膠,即可得到掩膜版。
2023-11-20 17:07:57836

光刻膠黏度如何測量?光刻膠需要稀釋嗎?

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11571

關于數字處理技術部分的路線圖介紹

EUV 超薄 (≤10nm)尺度的光刻膠:隨著特征尺寸的縮小,光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構成光刻膠的分子必須是單組分、小的構建塊,以防止聚集和分離。新的設計結構將需要超薄光刻膠和底層組合。
2023-11-06 11:23:15402

晶瑞電材子公司引入戰投中石化資本,定增募資8.5億元加碼光刻膠項目

股,募集資金人民幣850,000,002.24元,用于瑞紅蘇州先進制程工藝半導體光刻膠及配套試劑業務的研發、采購、生產和銷售及相關投資。
2023-11-02 10:59:26555

半導體關鍵材料光刻膠市場格局發展現狀

生產光刻膠的原料包括光引發劑(光增感劑、光致產酸劑幫助其更好發揮作用)、樹脂、溶劑和其他添加劑等,我國由于資金和技術的差距,如感光劑、樹脂等被外企壟斷,所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138

什么是先進封裝?先進封裝技術包括哪些技術

半導體產品在由二維向三維發展,從技術發展方向半導體產品出現了系統級封裝(SiP)等新的封裝方式,從技術實現方法出現了倒裝(FlipChip),凸塊(Bumping),晶圓級封裝(Waferlevelpackage),2.5D封裝(interposer,RDL等),3D封裝(TSV)等先進封裝技術
2023-10-31 09:16:29836

半導體制造領域光刻膠的作用和意義

光刻是半導體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠光刻環節關鍵耗材,其質量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關。
2023-10-26 15:10:24359

具有獨特底部輪廓的剝離光刻膠的開發

金屬圖案的剝離方法已廣泛應用于各種電子器件的制造過程中,如半導體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統的金屬刻蝕方法不同的是,采用剝離法的優點是節省成本和工藝簡化。在剝離過程中,經過涂層、曝光和開發過程后,光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05185

光學光刻技術有哪些分類 光刻技術的原理

光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規模集成電路器件的結構圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發生化學反應,從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統能獲得的分辨率直接相關,而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271

PCB激光投影光刻照明系統的設計

電子發燒友網站提供《PCB激光投影光刻照明系統的設計.pdf》資料免費下載
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光刻區為什么選黃光燈?為什么不使用紅光或綠光?

黃光的波長遠離UV范圍,因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線,從而保護光敏材料免受不必要的曝光。
2023-10-11 15:14:33747

半導體制造之光刻原理、工藝流程

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2023-10-09 14:34:491674

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線路板的光刻技術
2023-09-21 10:20:34607

EUV薄膜容錯成本高 成芯片良率的關鍵

近20年來,EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術挑戰。
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芯片封裝為什么要用到*** 封裝***與芯片***的區別

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2023-09-12 14:34:372325

EUV光刻膠開發面臨哪些挑戰?

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光刻膠產業大會在邳舉行,上達電子等與會!

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光刻技術概述及其分類

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2023-08-07 17:52:531480

EUV光刻市場高速增長,復合年增長率21.8%

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先進封裝關鍵技術之TSV框架研究

)、凸塊制作(Bumping)及硅通孔(TSV)等工藝技術,涉及與晶圓制造相似的光刻、顯影、刻蝕、剝離等工序步驟。
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深紫外光刻復雜照明光學系統設計

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2023-06-08 10:52:353320

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統是當今使用的最先進光刻系統。本文將介紹這項重要但復雜的技術
2023-06-06 11:23:54688

知識分享---光刻模塊標準步驟

通常,光刻是作為特性良好的模塊的一部分執行的,其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準、曝光、顯影和適當的抗蝕劑調節。光刻工藝步驟需要按順序進行表征,以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像,并具有所需的側壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418

光刻膠產業天價離婚案!分割市值高達140億元

來源:每日經濟新聞,記者:程雅 編輯:張海妮,謝謝 編輯:感知芯視界 5月24日晚,國產光刻膠大廠彤程新材發布公告稱,于近日收到實控人Zhang Ning與Liu Dong Sheng的通知,二人
2023-05-29 09:33:44187

逆向光刻的原理及其優勢

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解,本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優化》研討課。
2023-05-26 14:59:17528

化學放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發生溶解速度改變所需的最小能量,感光速度越快,單位時間內芯片制造的產出越高,經濟效益越好,另-方面,過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小,影響工藝制程的穩定性。
2023-05-25 09:46:09561

光刻技術:光學關鍵尺寸測量(OCD)原理

  集成電路芯片持續朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發展,其中最為關鍵的一個參數就是柵極線條寬度。任何經過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條寬度與設計尺寸的偏離都會直接影響最終器件的性能
2023-05-24 09:25:193491

EUV光刻技術優勢及挑戰

EUV光刻技術仍被認為是實現半導體行業持續創新的關鍵途徑。隨著技術的不斷發展和成熟,預計EUV光刻將在未來繼續推動芯片制程的進步。
2023-05-18 15:49:041790

用于***照明均勻化的微柱面鏡陣列設計

在投影光刻機照明系統中,均勻照明是保證加工出的線條線寬均勻一致的一項重要技術。通常,用于光刻機照明系統的勻光元件有積分棒、衍射光學元件和微透鏡陣列。積分棒勻光的缺點是,限制了照明最大孔徑角
2023-05-17 14:52:061061

采用光刻膠犧牲層技術改善薄膜電路制備工藝

改善之后的工藝與之前最大的區別在于使用光刻膠充當濺射的掩膜,在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來,不再進行濕法刻蝕,避免了側腐蝕對線條精度和膜基結合力的影響,同時,基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠,避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218

一文講透光刻膠及芯片制造關鍵技術

在集成電路制造領域,如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”,光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122

全面解讀光刻膠工藝制造流程

光刻膠可以通過光化學反應,經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩(掩模版)轉移到待加工基片上。依據使用場景,這里的待加工基片可以是集成電路材料,顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會在第一個轉移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應該減小。
2023-04-27 16:25:00689

開源鴻蒙OpenHarmony系統已成功用于納衛星

工作組) 組長、大連理工大學于曉洲教授在題為“納衛星技術與 OpenHarmony 實時操作系統”的主題報告中宣布, OpenHarmony 操作系統已經成功應用于中國科學院微小衛星創新研究院“電磁組裝試驗
2023-04-26 13:59:54

淺談光刻技術

在整個芯片制造過程中,幾乎每一道工序的實施都離不開光刻技術光刻技術也是制造芯片最關鍵的技術,占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033

光刻技術的種類介紹

根據維基百科的定義,光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質層,例如玻璃、SOS中的藍寶石。
2023-04-25 11:11:331243

光刻技術的詳細工序

清洗硅片(Wafer Clean) 清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷,提高光刻膠黏附性 基本步驟:化學清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859

光刻技術的原理及發展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發生性質變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260

什么是光刻技術

光刻技術簡單來講,就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程,是大規模集成電路的基礎。目前市場上主流技術是193nm沉浸式光刻技術,CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261

光刻技術簡述

光刻技術是將掩模中的幾何形狀的圖案轉移到覆蓋在半導體晶片表面的薄層輻射敏感材料(稱為抗蝕劑)上的過程
2023-04-25 09:55:131057

中國最先進的***是多少納米?

中國在芯片制造領域一直在追趕先進技術,雖然在一些關鍵技術方面還存在一定差距,但近年來中國在光刻機領域取得了一些進展,下面將詳細介紹中國目前最先進光刻機是多少納米。
2023-04-24 15:10:0159466

PCB制造過程分步指南

。  此步驟僅適用于兩層以上的電路板。簡單的兩層板可跳過鉆孔。多層板需要更多步驟。  步驟4:移除不需要的銅  去除光刻膠并用硬化的光刻膠覆蓋我們希望保留的銅之后,電路板將繼續進行下一階段:去除不需要
2023-04-21 15:55:18

光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發,必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰,imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164

一種用于先進封裝的圓臺硅通孔的刻蝕方法

在集成電路的制造階段延續摩爾定律變得越發困難,而在封裝階段利用三維空間可以視作 對摩爾定律的拓展。硅通孔是利用三維空間實現先進封裝的常用技術手段,現有技術中對于應用于 CMOS 圖像傳感器件封裝
2023-04-12 14:35:411569

高端光刻膠通過認證 已經用于50nm工藝

此前該公司指出,公司已建成年產5噸ArF干式光刻膠生產線、年產20噸ArF浸沒式光刻膠生產線及年產45噸的光刻膠配套高純試劑生產線,具備ArF光刻膠及配套關鍵組分材料的生產能力,目前公司送樣驗證的產品均由該自建產線產出。
2023-04-11 09:25:32920

音圈電機模組在主流光刻掩模臺系統中的應用

一樣。像上文提及的EUV光刻機則是用于生產芯片的光刻機,此外還有封裝芯片的光刻機以及用于LED制造領域的投影光刻機。 近幾年,我國本土企業在光刻機的研制方面正一步一個腳印地穩步前進,拿上海微電子裝備股份有限公司來說,近幾年,其先
2023-04-06 08:56:49679

JSM4435

該P溝道MOSFET采用先進的溝槽技術和設計,以低柵電荷提供優良的RDS(on),可用于多種應用。
2023-03-28 12:45:11

被卡脖子的半導體設備(萬字深度報告)

光刻是將設計好的電路圖從掩膜版轉印到晶圓表面的光刻膠上,通過曝光、顯影將目標圖形印刻到特定材料上的技術光刻工藝包括三個核心流程:涂膠、對準和曝光以及光刻膠顯影,整個過程涉及光刻機,涂膠顯影機、量測設備以及清洗設備等多種核心設備,其中價值量最大且技術壁壘最高的部分就是光刻機。
2023-03-25 09:32:394952

GTC 2023 NVIDIA將加速計算引入半導體光刻 計算光刻技術提速40倍

為2nm及更先進芯片的生產提供更強大的助力。 計算光刻是芯片設計和制造領域中最大的計算工作負載,每年消耗數百億CPU小時。而NVIDIA cuLitho計算光刻庫利用GPU技術實現計算光刻,可以極大的降低功耗、節省時間。 目前臺積電、光刻機制造商阿斯麥,以及EDA巨頭新思科技都已經導入
2023-03-23 18:55:377489

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