使用濕化學物質去除光刻膠和殘留物

摘要

在未來幾代器件中，去除光刻膠和殘留物變得非常關鍵。在前端線后離子注入（源極/漏極、擴展），使用PR來阻斷部分電路導致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線（BEOL）蝕刻中，除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰性。

介紹

光致抗蝕劑用于保護晶片的某些區域免受干蝕刻化學物質、離子注入等影響。工藝完成后，需要選擇性去除光刻膠并清潔表面，確保表面無殘留物和顆粒。使用濕化學物質，如熱 SPM、有機溶劑或使用干等離子體“ 灰化”，原則上可以去除抗蝕劑。然而，抗蝕劑在干法蝕刻或注入處理期間被化學改性，并且適種改性可以顯著降低剝離速率。

使用濕化學物質去除光刻膠和殘留物

當前的方法

為了達到足夠，從而達到可接受的低周期時間，以及良好的殘留去除，腐蝕等離子體str ip化學與晶片加熱結合使用。這些典型的inyolye等離子體是基于高度氧化的自由基。為了增強結殼帶，在等離子體中加入含f的物質。然而，這些傾向于攻擊暴露的氧化硅襯底。為了解決這個問題，通常采用兩步工藝:含f的結殼帶和無f的散裝帶。

使用濕化學物質去除光刻膠和殘留物

　　審核編輯：湯梓紅

閱讀全文

電路(169073) 電路(169073)
光刻(29860) 光刻(29860)
器件(27558) 器件(27558)

芯片制造工藝：光學光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數工藝區域要求100級（空氣中每立方米內直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數不超過約3500）潔凈室，在光刻區域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 12:36:00

關于光刻膠的關鍵參數介紹

與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。

2024-03-20 11:36:50

197

環氧助焊劑助力倒裝芯片封裝工藝

倒裝芯片組裝過程通常包括焊接、去除助焊劑殘留物和底部填充。由于芯片不斷向微型化方向發展，倒裝芯片與基板之間的間隙不斷減小，因此去除助焊劑殘留物的難度不斷增加。這不可避免地會導致清洗成本增加

2024-03-15 09:21:28

107

淺談不同階段光刻機工作方式

在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1，分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復接觸和分離，隨著曝光次數的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。

2024-03-08 10:42:37

一文解析半導體設計電路的“光刻工藝”

利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。

2024-03-06 14:28:50

光刻膠和光刻機的區別

光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。

2024-03-04 17:19:18

399

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。

2024-03-04 10:49:16

131

基于SEM的電子束光刻技術開發及研究

電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設計圖形相符的微納結構。

2024-03-04 10:19:28

206

不同材料在晶圓級封裝中的作用

）：由感光劑、樹脂和溶劑構成，用于形成電路圖案和阻擋層 光刻膠是由可溶性聚合物和光敏材料組成的化合物，當其暴露在光線下時，會在溶劑中發生降解或融合等化學反應。在運用于晶圓級封裝的光刻（Photolithography）工藝過程中時，光刻膠可用于創建電路圖案，還

2024-02-18 18:16:31

277

PCB是聚氯化二苯( Polychlorinated Biphenyls)的英文縮寫，是一類具有有機氯化物的有機化合物。PCB在20世紀50年代至70年代廣泛被制造和使用，主要用于電力設備、變壓器、電容器、潤滑油等工業領域。然而，隨著人們對環境和健康的關注不斷增強，PCB被發現對人體和環境有極高的毒性和持久性，因此從20世紀70年代初至80年代末，PCB的生產和使用逐漸被禁止。 PCB的結構由兩個苯環通過碳碳單鍵連接而成，同時其中的氯原子被取代。氯原子的取代數量可以影響P

2024-02-04 10:53:35

468

瑞紅集成電路高端光刻膠總部落戶吳中

據吳中發布的最新消息，簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目，該項投資高達15億元，旨在新建半導體光刻膠及其配套試劑的生產基地。

2024-01-26 09:18:43

207

2023年中國光刻膠行業市場前景及投資研究報告

光刻膠產業鏈轉移。01光刻膠定義光刻膠，也被稱為“光致抗蝕劑”，是一種用于光刻的載體介質，它可以利用光化學反應將光信息在光刻系統中經過衍射和過濾后轉化為化學能，從而

2024-01-19 08:31:24

340

PCBA板的清洗標準及方法

在SMT貼片加工過程中，錫膏和助焊劑會產生殘留物質，殘留物中包含有有機酸和可分解的電離子，其中有機酸具有腐蝕作用，電離子殘留在焊盤還會引起短路，而且這些殘留物在PCBA板上是非常臟的，而且不符合顧客對產品清潔度的要求。所以，對PCBA板進行清洗是非常有必要的。

2024-01-17 10:01:23

256

免洗錫膏之殘留物腐蝕性機理分析

層的作用，只會留下少量酸性離子殘留物。免洗錫膏的焊后殘留物雖少，但對于某些高精密器件仍不可忽視。因此，免洗錫膏的殘留物腐蝕性仍舊是熱議問題。

2024-01-08 09:04:56

143

光刻膠分類與市場結構

光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。

2024-01-03 18:12:21

346

助焊劑清洗不干凈問題的產生原因與解決方案

助焊劑清洗不干凈是指在焊接后，使用的助焊劑沒有完全清潔或去除干凈。這可能表現為在焊接區域或金屬表面上殘留有助焊劑的痕跡或殘留物。

2023-12-29 10:02:48

452

全球光刻膠市場預計收入下滑，2024年有望反彈

所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關鍵要素，廣泛應用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關注的焦點。

2023-12-28 11:14:34

379

HMDS與BARC一定要除去嗎？有哪幾種去除的方式？

HMDS，BARC是光刻工序中比較常用的化學品，但是它們并不能用顯影液除去，根據是什么？它們一定要除去嗎？有哪幾種去除的方式？

2023-12-22 10:29:55

414

PCBA板清洗的兩種方法介紹

在SMT貼片加工過程中，錫膏和助焊劑會產生殘留物質，殘留物中包含有有機酸和可分解的電離子，其中有機酸具有腐蝕作用，電離子殘留在焊盤還會引起短路，而且這些殘留物在PCBA板上是比較臟的，也不符合客戶對產品清潔度的要求。所以，對PCBA板進行清洗是非常有必要的,接下來為大家介紹手工清洗和自動清洗的方法。

2023-12-20 10:04:04

277

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結構圖

光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。

2023-12-18 10:53:05

326

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質？

勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質？

2023-12-15 09:35:56

442

光刻膠價格上漲，韓國半導體公司壓力增大

光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品，也是未來各地廠家的競爭焦點。當前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業、杜邦、JSR、信越化學、住友化學及東進半導體等大型制造商掌控。

2023-12-14 15:20:36

408

揭秘pcb是什么物質：你不知道的“化學戰士”

2023-12-14 10:27:30

302

萬潤股份在半導體制造材料領域穩步推進，涉足光刻膠單體、PI等業務

近期，萬潤股份在接受機構調研時透露，其“年產65噸半導體用光刻膠樹脂系列”項目已經順利投入運營。該項目旨在為客戶提供專業的半導體用光刻膠樹脂類材料。

2023-12-12 14:02:58

328

在濕臺工藝中使用RCA清洗技術

半導體制造業依賴復雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個過程是晶圓清洗，這個是去除硅晶圓表面不需要的顆粒或殘留物的過程，否則可能會損害產品質量或可靠性。RCA清洗技術能有效去除硅晶圓表面的有機和無機污染物，是一項標準的晶圓清洗工藝。

2023-12-07 13:19:14

235

半導體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用

2023-12-04 09:17:24

1334

韓國SKMP開發出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

據報道，韓國SK集團于2020年斥資400億韓元收購當地錦湖石化的電子材料業務，收購后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開發出一種高厚度KrF光刻膠，并通過了SK海力士的性能驗證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術開發。

2023-11-29 17:01:56

433

光刻膠國內市場及國產化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。

2023-11-29 10:28:50

283

韓國SKMP開發出高厚度KrF光刻膠，可助力3D NAND閃存制造

　據悉，skmp開發的新型KrF光刻膠的厚度為14至15米，與東進半導體（DONGJIN SEMICHEM）向三星提供的產品相似。日本jsr公司的類似產品厚度只有10微米。

2023-11-29 10:02:52

258

不僅需要*，更需要光刻膠**

為了生產高純度、高質量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監測也是至關重要的控制環節。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢

2023-11-27 17:15:48

550

西隴科學9天8板，回應稱“未生產、銷售光刻膠”

　20日，西隴科學（株）發布公告稱，該公司沒有生產銷售礦產品。公司生產及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。

2023-11-21 14:54:57

315

金屬Cr詳解

在光刻過程中，鉻被用作掩膜版的關鍵材料。鉻在紫外光下表現出高光學密度，可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻，在其上涂覆一層光刻膠，再使用電子束光刻，顯影，在光刻膠上做出預期的圖形，之后進行Cr的刻蝕，最后去除光刻膠，即可得到掩膜版。

2023-11-20 17:07:57

836

光刻膠黏度如何測量？光刻膠需要稀釋嗎？

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？

2023-11-13 18:14:11

571

PCBA表面污染的分類及處理方法

在PCBA生產過程中，錫膏和助焊劑會產生殘留物質，殘留物中包含的有機酸和電離子，前者易腐蝕PCBA，后者會造成焊盤間短路故障。且近年來，用戶對產品的清潔度要求越來越嚴格，PCBA清洗工藝逐漸被電子

2023-11-10 15:00:14

346

關于數字處理技術部分的路線圖介紹

EUV 超薄（≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構成光刻膠的分子必須是單組分、小的構建塊，以防止聚集和分離。新的設計結構將需要超薄光刻膠和底層組合。

2023-11-06 11:23:15

402

晶瑞電材子公司引入戰投中石化資本，定增募資8.5億元加碼光刻膠項目

股，募集資金人民幣850,000,002.24元，用于瑞紅蘇州先進制程工藝半導體光刻膠及配套試劑業務的研發、采購、生產和銷售及相關投資。

2023-11-02 10:59:26

555

半導體關鍵材料光刻膠市場格局發展現狀

生產光刻膠的原料包括光引發劑（光增感劑、光致產酸劑幫助其更好發揮作用）、樹脂、溶劑和其他添加劑等，我國由于資金和技術的差距，如感光劑、樹脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。

2023-11-01 15:51:48

138

室溫下使用外部短路策略對廢舊的LiFePO4正極進行直接再生！

因為正極材料中的粘合劑和導電劑無法完全去除。從粉碎后的電池殘留物中獲得可接受的純度水平很復雜且能耗高。

2023-10-29 10:01:08

351

半導體制造領域光刻膠的作用和意義

光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環節關鍵耗材，其質量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關。

2023-10-26 15:10:24

359

具有獨特底部輪廓的剝離光刻膠的開發

金屬圖案的剝離方法已廣泛應用于各種電子器件的制造過程中，如半導體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優點是節省成本和工藝簡化。在剝離過程中，經過涂層、曝光和開發過程后，光刻膠會在晶片上形成圖案。

2023-10-25 10:40:05

185

光學光刻技術有哪些分類光刻技術的原理

光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規模集成電路器件的結構圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發生化學反應，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統能獲得的分辨率直接相關，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。

2023-10-24 11:43:15

271

光刻區為什么選黃光燈？為什么不使用紅光或綠光？

黃光的波長遠離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護光敏材料免受不必要的曝光。

2023-10-11 15:14:33

747

半導體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產業的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應，經曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，是用于微細加工技術的關鍵性電子化學品。

2023-10-09 14:34:49

1674

PCBA殘留物的影響及清洗，助焊劑殘留物怎么樣清除

發現PCBA 上的殘留物對PCBA 的可靠性水平影響極大，而在殘留物中，無機殘留物會減小絕緣電阻，增加焊點或導線間的漏電流，在潮濕空氣條件下，還會使金屬表面腐蝕；有機殘留物(如松香、油脂等)會形成絕緣膜，從而影響連接器、開關和繼電器等元器件表面之

2023-09-22 11:05:22

1122

化學機械拋光(CMP) 技術的發展應用及存在問題

隨著半導體工業沿著摩爾定律的曲線急速下降 ,驅使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時鐘頻率和更多的互聯層轉移。由于器件尺寸的縮小、光學光刻設備焦深的減小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度達到

2023-09-19 07:23:03

EUV薄膜容錯成本高成芯片良率的關鍵

近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術挑戰。

2023-09-14 09:45:12

562

化學品酸堿輸送供應管道為什么要選擇華林科納PFA管？

：華林科納PFA管具有出色的化學惰性，對許多酸堿化學品都具有極高的耐腐蝕性。它能夠抵御強酸、強堿、有機溶劑以及各種腐蝕性化學物質的侵蝕，因此非常適合用于輸送化學品。 2、耐高溫性：華林科納PFA管能夠在高溫環境下工作，通常可耐受溫

2023-09-13 17:29:48

266

LPS33HW特性功能應用

LPS33HW代表了最新一代高性能MEMS氣壓傳感器，它專為可穿戴設備而設計，也適用于工業設備和電表。LPS33HW也可以耐受氯、溴和鹽水等化學物質，非常適合在泳池和海水中游泳時使用。它還可以耐受

2023-09-13 06:19:07

EUV光刻膠開發面臨哪些挑戰？

EUV光刻膠材料是光敏物質，當受到EUV光子照射時會發生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰方面發揮著關鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩定性。

2023-09-11 11:58:42

349

濕法去膠液的種類有哪些？去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

光刻技術通過光刻膠將圖案成功轉移到硅片上，但是在相關制程結束后就需要完全除去光刻膠，那么這個時候去膠液就發揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

2023-09-06 10:25:01

1152

如何簡化光刻膠圖形化過程呢？

摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩定性也不盡相同，還與物質的具體結構有關，舉個例子來說，NiPtSi，比NiSi要穩定。

2023-08-27 09:18:27

645

年產千噸電子級光刻膠原材料，微芯新材生產基地簽約湖州

湖州國資消息，寧波微芯新材料科技有限公司的半導體材料生產基地項目總投資3.5億元人民幣，用地35畝，年產1000噸的電子級光刻膠原材料（光刻膠樹脂、高等級單體等核心材料）基地建設。”全部達到，預計年產值可達到約5億元。

2023-08-21 11:18:26

942

光刻膠產業大會在邳舉行，上達電子等與會！

會上，經開區分別同4家企業就功率器件IC封測項目、超級功率電池及鋰電池PACK產線項目、氫能產業集群項目、高性能電池項目進項現場簽約。會議還舉行了《2023勢銀光刻膠產業發展藍皮書》發布儀式。

2023-08-16 15:30:38

483

覆銅板生產工藝流程圖覆銅板制作印刷電路板原理

　整個覆銅板制作過程中的反應原理是通過感光劑、顯影劑和蝕刻液等化學物質與曝光過程中形成的光敏膜產生特定的化學反應，使其能夠選擇性地去除或保留不同區域的銅箔和線路圖案，最終形成所需的印刷電路板。這一過程的控制和優化對于確保PCB質量和性能非常重要。

2023-08-10 15:09:47

4287

光刻技術概述及其分類

光刻是一種圖像復制技術，是集成電路工藝中至關重要的一項工藝。簡單地說，光刻類似照相復制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護下對硅片進行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。

2023-08-07 17:52:53

1480

焊后錫膏殘留物帶來的危害有哪些？

也帶來腐蝕和漏電等問題。一般的電子產品可以使用免洗錫膏極少有殘留物出現。焊后錫膏殘留物帶來的危害：1、顆粒性污染物易造成電短路；2、極性玷污物會造成介質擊穿、漏電和元

2023-07-25 19:18:26

715

北方華創發布首臺國產12英寸晶邊刻蝕機

據介紹，在器件制造過程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學機械拋光等工藝步驟的大幅增長，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產物及殘留物驟增導致的缺陷風險成為產品良率的嚴重威脅。

2023-07-19 15:02:26

607

光刻膠供應商陶氏化學美國Plaquemine工廠爆炸

就此次事件，陶氏化學發表聲明稱，該工廠于7月14日發生火災，就此次事件，正在與當地及州機構密切合作。所有人員都被判定為安全，空氣檢查中沒有檢測出空氣中的有害物質。事故原因還在調查中。

2023-07-17 10:55:41

505

動力電池的原理和類型，實現BMS的主要目的

本文對動力電池中使用的不同化學物質以及實現BMS的主要目的提出了全球概述。

2023-07-12 16:02:27

902

光刻掩膜版測溫儀，光刻機曝光光學系統測溫儀

光刻膠（光敏膠）進行光刻，將圖形信息轉移到基片上，從而實現微細結構的制造。光刻機的工作原理是利用光學系統將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形

2023-07-07 11:46:07

助焊劑殘留的難點分析與解決方案

在某電子制造工廠中，他們開始使用了一種新型的低溫錫膏來進行回流焊接，當他們開始使用這種新的低溫錫膏進行回流焊接時，他們注意到一些焊點上出現了助焊劑殘留的問題。這些殘留物在焊點周圍形成了一些明顯的白色斑點，影響了焊接點的可靠性和外觀。快和小編一起來看看~

2023-07-07 10:42:15

3168

新品推薦：一種寬幅輸入電壓的同步充電控制器可為三種儲能化學物質充電

系列工作在 - 40°C 至 +125°C 工業溫度范圍，能以±4% 的準確恒定電流為三種不同的儲能化學物質（鋰離子、鉛酸和超級電容器）充電。當存儲元件充電時，這些器件以±1% 的精度調節空載輸出

2023-07-05 20:05:10

236

Amkor:高密度扇出封裝與細間距嵌入式線路RDL

然而，SAP在定義細間距特征方面面臨一些挑戰。細線可能會因為高縱橫比而坍塌，由于與基板的接觸面積小，可能會出現分層，并且用作模板的光刻膠可能會殘留在通孔中[3]。

2023-07-05 10:34:12

960

虹科案例 | 用于低成本改造光刻設備的UV紫外光源

? ? 紫外光刻和曝光是半導體行業生產各種高端芯片、微觀電路結構的核心技術。在紫外光刻過程中，光源發射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細圖案。長期以來

2023-07-05 10:11:24

1026

淺談半導體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。

2023-06-28 10:04:58

843

日本光刻膠巨頭JSR同意國家收購

JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應商之一，其產品是制造先進芯片必不可少的原料。

2023-06-27 15:51:21

597

半導體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist

2023-06-26 09:20:10

816

制造集成電路的版圖基本知識

在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。

2023-06-25 15:32:11

4559

在生產過程中焊接組件時有哪些注意事項?

一般而言，在焊接組件時，我們建議選用助焊劑而非使用錫油。焊接完畢后，使用者可以使用酒精或清洗劑來清除殘余的助焊劑，避免殘留物造成短路問題。助焊劑選用原則: 依待焊物體種類選擇助焊劑的活性。如果

2023-06-25 09:01:24

光刻中承上啟下的半導體掩膜版

電子發燒友網報道（文/周凱揚）在上游的半導體制造產業中，除了光刻機等設備外，光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質量與良率的關鍵因素。就拿掩膜版來說，這個承載設計圖形的材料，經過曝光后將圖形信息轉移到

2023-06-22 01:27:00

1984

巧妙構思實現可再充“生物質電池”聯產高值化學品

本工作中，研究人員報道了一種可再充的生物質流動電池，首次將生物質的電催化氧化/還原與電池材料的氧化/還原耦合，基于生物質平臺分子糠醛的氧化還原性，創制了一種新型可充放電的“生物質電池”

2023-06-16 16:27:34

1160

在生產過程中焊接組件時有哪些注意事項?

一般而言，在焊接組件時，我們建議選用助焊劑而非使用錫油。焊接完畢后，使用者可以使用酒精或清洗劑來清除殘余的助焊劑，避免殘留物造成短路問題。

2023-06-14 08:31:40

光刻膠國內頭部企業阜陽欣奕華完成超5億元D輪融資

來源：欣奕華材料據欣奕華材料官微消息，近日，國內光刻膠龍頭企業阜陽欣奕華材料科技有限公司（以下簡稱“阜陽欣奕華”）完成超5億元人民幣 D 輪融資。據悉，本輪融資由盛景嘉成母基金

2023-06-13 16:40:00

552

用于氟離子電池的溶劑型鹽電解質

傳統鋰離子電池 (LIB) 中使用的關鍵礦物（Li、Ni 和 Co）供應緊張且成本高昂，這促使人們對非鋰電池化學物質的興趣與日俱增。

2023-06-11 10:28:31

551

半導體制備的主要方法

上，使光刻膠在照射處發生化學反應。然后，通過顯影步驟，未照射到的光刻膠被溶解掉，形成圖案。經過后烘烤，圖案被固定，以便后續步驟。

2023-06-09 11:36:52

2037

ROHS六項有害物質檢測

ROHS六項有害物質檢測：為環境與健康筑起的安全屏障引言：隨著科技的飛速發展，電子產品已經成為我們日常生活中不可或缺的一部分。然而，電子產品的制造與使用過程中往往涉及許多化學物質，其中一些可能

2023-06-08 17:48:42

1008

重點闡述濕法刻蝕

光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。

2023-06-08 10:52:35

3320

知識分享---光刻模塊標準步驟

通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準、曝光、顯影和適當的抗蝕劑調節。光刻工藝步驟需要按順序進行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側壁輪廓。

2023-06-02 16:30:25

418

藍寶石在化學機械拋光過程中的材料去除機理

在化學腐蝕點處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續流動，我們假設在腐蝕點處的濃度可以保持初始時的濃度，腐蝕率以最快的速度發生，則拋光液不同的PH值對應一個腐蝕率，由此可見，去除速率與PH值有關，PH越高，速率越快。

2023-06-02 15:24:06

347

adn是什么化學物質

2023-05-29 12:34:47

光刻膠產業天價離婚案！分割市值高達140億元

來源：每日經濟新聞，記者：程雅編輯：張海妮，謝謝編輯：感知芯視界 5月24日晚，國產光刻膠大廠彤程新材發布公告稱，于近日收到實控人Zhang Ning與Liu Dong Sheng的通知，二人

2023-05-29 09:33:44

187

PCBA上殘留物的類型

隨著電子信息業的發展，PCBA組裝工藝要求越來越高，而電子整機產品的質量和可靠性取決于PCBA的質量和可靠性。

2023-05-25 09:50:08

345

化學放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時間內芯片制造的產出越高，經濟效益越好，另-方面，過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩定性。

2023-05-25 09:46:09

561

采用光刻膠犧牲層技術改善薄膜電路制備工藝

改善之后的工藝與之前最大的區別在于使用光刻膠充當濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進行濕法刻蝕，避免了側腐蝕對線條精度和膜基結合力的影響，同時，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用

2023-05-16 09:40:35

1218

一文講透光刻膠及芯片制造關鍵技術

在集成電路制造領域，如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。

2023-05-13 11:28:38

1122

全面解讀光刻膠工藝制造流程

光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。

2023-05-11 16:10:49

2775

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應該減小。

2023-04-27 16:25:00

689

光刻技術的種類介紹

根據維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。

2023-04-25 11:11:33

1243

光刻技術的詳細工序

清洗硅片（Wafer Clean）清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。

2023-04-25 11:09:40

3859

光刻技術的原理及發展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用

2023-04-25 11:05:32

2260

討論污染物對PCB點焊的影響以及有關清潔的一些問題

的產品故障增加。本文將簡要討論污染物殘留物對PCB點焊的影響以及有關清潔的一些問題。　　?污染物殘留對PCB點焊的影響　　a.電化學遷移　　電化學遷移是ECM的縮寫，是指通過某些介質（例如，在電磁場

2023-04-21 16:03:02

PCB制造過程分步指南

的光敏膜層。該光致抗蝕劑包括在暴露于紫外光之后硬化的光反應性化學物質層。這確保了從照相膠片到光刻膠的精確匹配。薄膜安裝在將銷釘固定在層壓板上的適當位置的銷釘上。　　薄膜和紙板排成一行，并接收一束紫外線

2023-04-21 15:55:18

負光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下

2023-04-20 13:13:52

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰，imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。

2023-04-13 11:52:12

1164

高端光刻膠通過認證已經用于50nm工藝

此前該公司指出，公司已建成年產5噸ArF干式光刻膠生產線、年產20噸ArF浸沒式光刻膠生產線及年產45噸的光刻膠配套高純試劑生產線，具備ArF光刻膠及配套關鍵組分材料的生產能力，目前公司送樣驗證的產品均由該自建產線產出。

2023-04-11 09:25:32

920

調溫調濕箱的特點介紹

調溫調濕箱全名“恒溫恒濕試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領域必備的測試設備，用于測試和確定電工、電子及其他產品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環境變化后的參數及性能，它主要用于根據試驗

2023-03-28 09:02:36

被卡脖子的半導體設備（萬字深度報告）

光刻是將設計好的電路圖從掩膜版轉印到晶圓表面的光刻膠上，通過曝光、顯影將目標圖形印刻到特定材料上的技術。光刻工藝包括三個核心流程：涂膠、對準和曝光以及光刻膠顯影，整個過程涉及光刻機，涂膠顯影機、量測設備以及清洗設備等多種核心設備，其中價值量最大且技術壁壘最高的部分就是光刻機。

2023-03-25 09:32:39

4952

被卡脖子的半導體材料（萬字深度報告）

根據SEMI數據，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。

2023-03-25 09:30:54

4119

已全部加載完成

搜索歷史

使用濕化學物質去除光刻膠和殘留物

評論