是翻轉(zhuǎn)。翻轉(zhuǎn)晶片進行蝕刻工藝的話，蝕刻均勻度最好在1%以下。因此，如果一面進行工程，工程時間將增加一倍。為了減少工序時間，對在進行頂面工序的同時進行背面工序的方法進行了評價。本研究旨在制作可安裝在晶片背面的蝕刻噴
2022-01-05 14:23:20
1067 
在本研究中，我們設(shè)計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 
硅片在大口徑化的同時，要求規(guī)格的嚴格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)，實現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術(shù)的開發(fā)也在進行，但在包括成本
2022-04-15 14:54:491392 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600
2022-05-05 10:59:15854 
引言 正在開發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:423345 
的晶片 (111)取向的Si晶片幾乎不受堿性溶液的侵蝕，因為在這里整個晶片表面形成蝕刻停止。因為晶片的實際取向通常相對于理想晶面傾
2022-07-11 16:07:221342 
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來，雖然產(chǎn)率得以提高，但同時也制造一些工藝處理問題。特別在對硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法
2011-12-02 14:30:44
需要全部蝕刻，而留下的另一層就是電路。蝕刻的方法，我們主要討論化學(xué)方法，主要分為浸漬蝕刻、攪拌蝕刻以及噴射蝕刻。浸漬蝕刻就是把線路板進入容器中，容器中盛有蝕刻藥液。這種蝕刻方法比較慢，而且會存在凹陷
2017-02-21 17:44:26
往往我說今天上課的內(nèi)容是預(yù)處理時，便有學(xué)生質(zhì)疑：預(yù)處理不就是include 和define么？這也用得著講啊？。是的，非常值得討論，即使是include 和define。但是預(yù)處理僅限于此嗎？遠遠
2023-06-25 06:15:38
編譯預(yù)處理器是C語言編譯器的一個重要組成部分。很好的利用C語言的預(yù)處理命令可以增強代碼的可讀性，靈活性，和易于修改等特點，便于程序的結(jié)構(gòu)化。預(yù)處理命令由符號“#”開頭，包括宏定義，文件包含，條件處理
2017-06-03 17:23:43
C語言的預(yù)處理指令有何功能？C語言的預(yù)處理指令有哪些要求呢？
2022-02-25 07:20:37
，通過光化學(xué)法，網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層，然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機械加工方法除去不需要的銅箔，在單
2018-09-21 16:45:08
。SMD焊盤之間的焊接掩模稱為焊接橋，其功能是在焊接時防止橋接。 隨著布線密度的增加，SMT焊腳的間距變小，焊接掩模橋的寬度減小，這使得焊接預(yù)處理越來越顯示出其重要地位。測試方法：采用相同類型的拋光CCL
2019-08-20 16:29:49
。 (5)要根據(jù)電路圖形的密度情況及導(dǎo)線精度，確保銅層厚度的一致性，可采用刷磨削平工藝方法。 (6)經(jīng)修補的油墨必須進行固化處理，并檢查和清洗已受到沾污的滾輪。 8.問題：印制電路板中蝕刻后發(fā)現(xiàn)
2018-09-19 16:00:15
機器學(xué)習(xí)-Python實踐Day3（特征工程--數(shù)據(jù)預(yù)處理2）
2020-06-03 15:55:24
c語言預(yù)處理命令以什么開頭，目前我并沒有windows軟件編寫經(jīng)驗，對C語言的應(yīng)用也僅限于各種單片機的編程，所以對預(yù)處理的理解也只限于單片機程序上。不過我想，C語言是ANSI的，所以這個總結(jié)也算是很
2021-07-20 07:00:44
誰那里有l(wèi)abview的圖像預(yù)處理程序，求助，不勝感激
2015-04-23 10:13:50
蝕刻之后完成。在去污之后，晶片被認為是“干凈的”。去污包括：1.浸入 5:1:1 H2O:H2O2:HCl 中 20 分鐘（在 wbsilicide 中完成 - 水槽必須在之后凈化。）2.過程通過
2021-07-01 09:42:27
下方的蝕刻速率遠高于沒有金屬時的蝕刻速率，因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時，金屬層會下降到半導(dǎo)體中。4 本報告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
氧化物）中的高質(zhì)量電介質(zhì)。此外，在加工過程中，熱生長的氧化物可用作注入、擴散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優(yōu)勢可歸因于這種高質(zhì)量原生氧化物的存在以及由此產(chǎn)生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導(dǎo)損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學(xué)機械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
。然而，公開文獻中關(guān)于砷化鎵的信息非常少，硅常用的方法如六甲基二硅氮烷 (HMDS) 預(yù)處理可能對 GaAs 無效。此外，GaAs 的表面難以控制，并且可能對看似微不足道的工藝條件很敏感，例如用水沖洗
2021-07-06 09:39:22
半導(dǎo)體激光器非常適合與 Si 光子學(xué)的單片集成。制造具有法布里-珀羅腔的半導(dǎo)體激光器通常包括小面解理，但是，這與片上光子集成不兼容。蝕刻作為一種替代方法在制備腔鏡方面具有很大優(yōu)勢，無需將晶片破碎成條形。然而
2021-07-09 10:21:36
鏡面硅結(jié)構(gòu)時，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
的整體框架，自行學(xué)習(xí)其他廠商或種類（例如SNP芯片或CHIP-chip芯片）的芯片處理方法5.1快速入門例5-1 從數(shù)據(jù)包CLL中載入芯片數(shù)據(jù)，完成預(yù)處理，最后獲得基因（探針組）表達矩陣。注意，探針組表...
2021-07-23 07:38:00
什么元件被稱為倒裝晶片（FC）？一般來說，這類元件具備以下特點。 ①基材是硅； ②電氣面及焊凸在元件下表面； ③球間距一股為0.1～0.3 mm，球徑為0.06～0，.15 mm，外形尺寸
2018-11-22 11:01:58
單片F(xiàn)PGA圖像預(yù)處理系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)采用單片F(xiàn)PGA設(shè)計與實現(xiàn)圖像處理系統(tǒng)的方法,并對系統(tǒng)硬件進行了分析和設(shè)計,對FPGA內(nèi)電路模塊進行了VHDL建模,在FPGA開發(fā)平臺ISE4.1上實現(xiàn)了
2009-09-19 09:26:14
印制電路板的蝕刻可采用以下方法: 1 )浸入蝕刻; 2) 滋泡蝕刻; 3) 潑濺蝕刻; 4) 噴灑蝕刻。 由于噴灑蝕刻的產(chǎn)量和細紋分辨率高，因此它是應(yīng)用最為廣泛的一項技術(shù)。 1 浸入
2018-09-11 15:27:47
本文將介紹和比較在硅光電子領(lǐng)域中使用的多種激光器技術(shù)，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術(shù)。我們還會深入探討用于各種技術(shù)的測試方法，研究測試如何在推動成本下降和促進硅光子技術(shù)廣泛普及的過程中發(fā)揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
你好， 我想使用預(yù)處理器指令進行條件編譯。我有一段代碼，我想在定義預(yù)處理器指令時包含這些代碼。在SPC5Studio中定義它的位置？這需要哪些設(shè)置？ 在此先感謝您的回復(fù)。 麥克風(fēng)。以上來自于谷歌
2019-06-21 07:21:02
了一個硅片（硅晶圓），每個晶片都是獨立切塊、測試和用陶瓷封裝的。這個過程包括安裝晶片、將晶片襯墊連接到陶瓷封裝的插腳上，然后密封晶片。至此，封裝好的處理器就可以上市并在服務(wù)器上安裝它們了。圖2-1顯示了封裝好的Intel Xeon 5500處理器。
2019-08-06 06:39:09
振動信號的處理和預(yù)處理之間有什么區(qū)別？我用labview對振動信號進行預(yù)處理算處理嗎？
2014-10-08 15:33:19
數(shù)據(jù)預(yù)處理故障信息獲取1.目前，常用的故障診斷參數(shù)有電流、電壓、功率、轉(zhuǎn)矩、磁通、溫度、振動等物理量。其中定子電流信號相對于其它參數(shù)受環(huán)境等外界影響最小，也因為電流傳感器安裝方便而最容易獲取，因此
2021-09-06 08:43:46
完整的車牌識別系統(tǒng)包括哪些部分？圖像預(yù)處理包括哪幾種方法？圖像邊緣檢測包括哪幾種方法？
2021-07-19 08:43:36
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
方法二、電磁信號預(yù)處理1.ADC采集二.圖像的預(yù)處理1.圖像壓縮2.大津法總結(jié)前言算法開源系列估計會比較多，自己做車大概是電磁和攝像頭兩種方案都用過。但隨著這幾年的規(guī)則改變，智能車也不像前幾年那樣按照傳感器分類了隨...
2022-01-06 08:05:49
一般將獲得的加速度數(shù)據(jù)得進行數(shù)據(jù)預(yù)處理，常見的預(yù)處理方法有去掉趨勢相、還得將離散的數(shù)值積分獲得振幅。請問有做過的沒，請教一下。
2012-06-07 11:16:54
針對分布式視頻編碼中的突發(fā)差錯特性，提出一種基于混沌置亂預(yù)處理的方法。該方法通過混沌映射置亂圖像，把差錯均勻地分布在置亂后的圖像中，結(jié)合傳統(tǒng)分布式編碼方法有效
2009-04-11 09:51:18
22 預(yù)處理是整個在線簽名驗證系統(tǒng)的首要環(huán)節(jié)，它直接影響到隨后的分割及匹配。本文針對簽名過程中存在的一些問題，提出了去除漏點、去飛點、去除零點并保存零點位置的方法，
2009-07-30 14:13:538 在將一個C源程序轉(zhuǎn)換為可執(zhí)行程序的過程中, 編譯預(yù)處理是最初的步驟. 這一步驟是由預(yù)處理器(preprocessor)來完成的. 在源流程序被編譯器處理之前, 預(yù)處理器首先對源程序中的"宏(m
2009-09-20 18:17:4647 鄰居單元為基礎(chǔ)的條件數(shù)預(yù)處理技術(shù)及其在板型基站天線分析中的應(yīng)用摘 要 本文提出了一種具有物理意義的條件數(shù)預(yù)處理技術(shù)鄰居單元為基礎(chǔ)的條件數(shù)預(yù)處理技術(shù)該方法充分
2009-10-24 15:25:0917 小波變換在肌電信號預(yù)處理中的應(yīng)用
傳統(tǒng)檢測方法處理肌電信號時,個體差異比較大,針對這一不足,首先應(yīng)用小波消噪理論對肌電信號進行預(yù)處理,將信號進行
2010-02-22 15:54:2221 國產(chǎn)遷移預(yù)處理裝置 食品接觸材料和食品包裝在食品工業(yè)中扮演著非常重要的角色。它們不僅要保護食品不受外界環(huán)境的影響，還要確保食品安全，不向食品中遷移任何有害物質(zhì)。因此，對于這些材料的檢測顯得
2023-09-15 15:57:24
高格科技-四艙甲醛預(yù)處理箱-廠家定制各類環(huán)境試驗箱GAG-E224 四艙甲醛預(yù)處理箱一、主要功能在用氣候箱法測試樣品的揮發(fā)物排放量之前，對材料進行預(yù)平衡處理，環(huán)境艙具有恒溫、恒濕、換氣和采樣功能，并
2024-01-11 09:39:26
摘 要： 提出一種基于方向圖的指紋預(yù)處理方法，利用指紋圖像的方向信息實現(xiàn)了指紋的增強、二值化以及不可恢復(fù)區(qū)域的提取，為實現(xiàn)指紋自動
2009-09-11 17:51:001030 
TI非線性預(yù)處理方法
TI穩(wěn)定分布信號沒有有限的二階矩，即不存在方差，因此不能采用傳統(tǒng)的基于二階矩的算法，
2011-01-05 10:44:10616 提出一種基于方向圖的指紋預(yù)處理方法，利用指紋圖像的方向信息實現(xiàn)了指紋的增強、二值化以及不可恢復(fù)區(qū)域的提取，為實現(xiàn)指紋自動識別提供了一種可行的方法
2011-04-08 17:06:590 針對RANSAC算法由于迭代次數(shù)過多、精確度不高所造成的計算量增大，拼接效果不好等方面的不足。本文提出了一種帶預(yù)處理的RANSAC圖像拼接算法，包括圖像的特征提取與粗匹配，預(yù)處理
2013-08-20 16:55:000 基于FPGA的某型雷達視頻采集預(yù)處理模塊設(shè)計
2016-08-30 15:10:1434 網(wǎng)頁新聞信息預(yù)處理中SST樹正文提取方法研究_劉林浩
2017-03-15 11:33:000 dvteclipse工具，提供了對代碼預(yù)處理的功能。官網(wǎng)上，也對代碼預(yù)處理進行了介紹：https://www
2017-11-08 09:36:164409 
在相關(guān)功耗分析攻擊中，功耗曲線噪聲的存在會影響攻擊結(jié)果的成功率。為此，運用小波包閾值進行去噪，提出一種功耗曲線預(yù)處理方法。利用小波包閾值法對功耗曲線進行去噪預(yù)處理，使用去噪后的功耗曲線執(zhí)行相關(guān)功耗
2018-02-05 16:52:421 編譯預(yù)處理是VerilogHDL編譯系統(tǒng)的一個組成部分，指編譯系統(tǒng)會對一些特殊命令進行預(yù)處理，然后將預(yù)處理結(jié)果和源程序一起在進行通常的編譯處理。以”`” （反引號）開始的某些標(biāo)識符是編譯預(yù)處理語句
2019-03-26 16:10:41643 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是C++的const多文件編譯預(yù)處理的資料說明包括了：1、const型常量，2、常對象，3、常成員函數(shù)，4、常數(shù)據(jù)成員，5、常引用，6、多文件，7、編譯預(yù)處，8、多文件結(jié)構(gòu)中使用編譯預(yù)處理的問題
2019-04-03 08:00:000 大規(guī)模網(wǎng)絡(luò)環(huán)境和大數(shù)據(jù)相關(guān)技術(shù)的發(fā)展對傳統(tǒng)數(shù)據(jù)融合分析技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。針對目前多源數(shù)據(jù)融合分析過程靈活性差、處理效率低的問題，提出了一種基于相似連接的多源數(shù)據(jù)并行預(yù)處理方法，該方法采用了分治
2019-10-29 15:21:1012 本文我們來討論特征預(yù)處理的相關(guān)問題。主要包括特征的歸一化和標(biāo)準(zhǔn)化，異常特征樣本清洗與樣本數(shù)據(jù)不平衡問題的處理。
2020-03-15 17:14:00700 C 語言編程過程中，經(jīng)常會用到如 #include、#define 等指令，這些標(biāo)識開頭的指令被稱為預(yù)處理指令，預(yù)處理指令由預(yù)處理程序（預(yù)處理器）操作。相比其他編程語言，C/C++ 語言更依賴預(yù)處理
2020-11-25 10:34:0018 C/C++ 程序中的源代碼中包含以 # 開頭的各種編譯指令，這些指令稱為預(yù)處理指令。預(yù)處理指令不屬于 C/C++ 語言的語法，但在一定意義上可以說預(yù)處理擴展了 C/C++。
2020-11-29 10:14:381958 交通軌跡大數(shù)據(jù)預(yù)處理方法及其實驗分析
2021-06-27 15:00:176 引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術(shù)、輪廓術(shù)和x光電子能譜研究了氫氟酸對GaAs晶片的腐蝕。發(fā)現(xiàn)在蝕刻
2021-12-28 16:34:37627 
本研究透過數(shù)值解析，將實驗上尋找硅晶片最佳流動的方法，了解目前蝕刻階段流動的形式，并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用實驗的方法尋找最佳流動，通過數(shù)值分析模擬了利用
2022-01-19 17:11:32340 
問題，而且包括蝕刻速率、均勻性和選擇性在內(nèi)的工藝性能都是使該工藝難以從臺式轉(zhuǎn)換到單晶片型的障礙。在這里，我們提出了一種新穎的設(shè)計，該設(shè)計引入了上晶片加熱板，以保持磷酸蝕刻劑的高溫，從而克服在氮化物剝離工藝中單晶片處
2022-02-15 16:38:571654 
摘要 該公司提供了一種用于清洗半導(dǎo)體晶片的方法和設(shè)備 100，該方法和方法包括通過從裝載端口 110 中的盒中取出兩個或多個晶片來填充化學(xué)溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927 
在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:42460 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 
半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有batch式和枯葉式兩種。Batch式是用傳統(tǒng)的方法，在藥液bath中一次性加入數(shù)十張晶片進行處理的方法。但是隨著半導(dǎo)體技術(shù)
2022-03-14 10:50:47475 
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581134 
使用酸性或氟化物溶液對硅表面進行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:11529 
本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07338 
，背面的膜會脫落，污染晶片正面。特別是Cu如果受到全面污染，就會成為嚴重的問題。 目前，在枯葉式設(shè)備中，冷卻晶片背面膜的方法是翻轉(zhuǎn)，翻轉(zhuǎn)晶片進行蝕刻工藝的話，蝕刻均勻度最好在1%以下，但是，如果一面進行工程，工程時間將
2022-03-28 15:54:481282 
通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
本發(fā)明涉及一種感光膜去除方法，通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。
2022-04-12 16:30:26356 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:23497 
拋光的硅片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37666 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍
2022-04-29 15:09:06464 
在這項研究中，我們?nèi)A林科納使用經(jīng)濟特區(qū)單晶片自旋處理器開發(fā)了一種單一背面清潔解決方案，能夠通過蝕刻晶片背面的幾埃來去除任何金屬或外來污染物，無論其涂層如何(無涂層、Si3N4或SiO2)。選擇H2O
2022-05-06 14:06:45339 
晶圓的處理—微影成像與蝕刻資料分享。
2022-05-31 16:04:213 OpenVINO 2022.1之前版本不提供OpenVINO Runtime原生的用于數(shù)據(jù)預(yù)處理的API函數(shù)1 ，如圖1-1所示，開發(fā)者必須通過第三方庫(例如：OpenCV)來實現(xiàn)數(shù)據(jù)預(yù)處理。
2022-06-09 17:25:181627 引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝，適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結(jié)果表明，蝕刻速率主要取決于Cl濃度，而與用于驅(qū)動放電的rf功率無關(guān)。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:14904 
的粘附改善是在光刻膠涂層之前加入天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性，這種預(yù)涂層處理還改變了（100）砷化鎵的濕蝕刻輪廓，使反應(yīng)限制蝕刻與未經(jīng)表面處理的晶片相比更具各向同性；輪廓在[011‘]和[011]方向
2022-06-29 11:34:590 雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對于確保成功的前沿節(jié)點、先進半導(dǎo)體器件制造，濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要，這是因為器件的可靠性和最終產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片的清潔度直接相關(guān)，因為晶片要經(jīng)過數(shù)百個圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:231578 
在C語言程序里，出現(xiàn)的#開頭的代碼段都屬于預(yù)處理。 預(yù)處理：是在程序編譯階段就執(zhí)行的代碼段。
2022-08-14 10:13:111569 減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學(xué)機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
編譯一個 C 程序設(shè)計很多步驟。其中第 1 個步驟被稱為預(yù)處理階段。C 預(yù)處理器在源代碼編譯之前對其進行一些文本性質(zhì)的操作。他的主要任務(wù)包括刪除注釋、插入被 #include 指令包含的文件的內(nèi)容
2023-05-31 09:52:01354 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PyTorch教程之?dāng)?shù)據(jù)預(yù)處理.pdf》資料免費下載
2023-06-02 14:11:030 蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
圖像預(yù)處理的主要目的是消除圖像中無關(guān)的信息，恢復(fù)有用的真實信息，增強有關(guān)信息的可檢測性、最大限度地簡化數(shù)據(jù)，從而改進特征提取、圖像分割、匹配和識別的可靠性。一般的預(yù)處理流程為：1灰度化->2幾何變換->3圖像增強
2023-09-20 09:35:40200 C語言的預(yù)處理是在編譯之前對源代碼進行處理的階段，它主要由預(yù)處理器完成。預(yù)處理器是一個獨立的程序，它負責(zé)對源代碼進行一些文本替換和處理，生成經(jīng)過預(yù)處理的代碼。以下是C語言預(yù)處理的一些重要特性
2023-12-08 15:40:15215 
所有的預(yù)處理器命令都是以井號（#）開頭。它必須是第一個非空字符，為了增強可讀性，預(yù)處理器指令應(yīng)從第一列開始。
2024-03-01 12:16:24192 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論