富士通半導體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8，SON-8是為該產品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
4212 賽普拉斯非易失性隨機存取存儲器 (NVRAM) 可確保工業系統處于“零數據風險”狀態，無論是在正常運行還是故障發生期間均可以完成安全可靠的數據備份。
2017-10-25 10:19:2610429 
雙數據速率同步動態隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫
2018-04-02 09:21:218082 在同步動態隨機存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數據讀取速率來分類，有單倍數據速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數據速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
說起存儲器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機存取存儲器，隨機存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在執行的程序和數據。CPU可以直接進行隨機讀寫，訪問速度較高。RAM：（Random Access Memory），隨機存取存儲器，是一種可讀/寫存儲器，一般用于計算...
2021-07-26 08:08:39
設計（重點）位擴展（位并聯法）字節擴展（地址串聯法）【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類這里我們揀SRAM和DRAM來講【3】SRAM基本原理：靜態隨機存取存儲器(SRAM)：所謂...
2021-07-29 06:21:48
Keil編譯后生成bin文件占用內部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機存取存儲器，存儲的內容可通過指令隨機讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
實驗二靜態隨機存取存貯器實驗
2021-12-03 08:22:16
靜態隨機存儲器SRAM存儲數據原理
2021-02-26 06:36:26
ARM體系結構中主要半導體存儲器嵌入式系統使用的存儲器有多種類型，按其存取特性可分為隨機存取存儲器和只讀存儲器；按照所處的物理位置可分為片內存儲器和片外存儲器以及外部存儲設備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以單個字節擦除。SRAM是靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動態隨機
2022-03-02 07:20:19
它們寫入靜態隨機存取存儲器一個長期的存儲設備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的區別是RAM在斷電以后保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。對靜電敏感。正如
2021-12-03 15:47:25
MT47H64M16NF-25E:M動態隨機存取存儲器：規格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯時鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
監視ic的adm708（模擬器件）和74hc系列的cmos門組成電路。 靜態隨機存取存儲器（SRAM）多年來被廣泛應用于各種場合。凡是需要快速存取數據方面的應用，特別會要求初始存取等待時間
2020-12-10 16:44:18
靜態隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優缺點？動態隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優缺點？
2021-12-24 07:04:20
驅動器和磁泡存儲器。從1970年代開始，主流的集成半導體存儲器則主要分為三類：動態隨機存取存儲器 (DRAM)、靜態隨機存取存儲器 (SRAM) 和閃存。計算機內存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
（StaticRandom-AccessMemory）即靜態隨機存取存儲器，所謂“靜態”是指這種存儲器只要保持通電，里面存儲的數據就可以一直保持，但是掉電之后就會丟失。與DRAM（動態隨機存取存...
2021-08-12 06:14:59
sram存儲原理是依靠，概念靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據
2021-07-27 06:06:26
靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下
2019-04-16 09:20:18
Erasable PROM）。 （6） 混合型。 二、半導體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電
2020-12-25 14:50:34
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
什么是靜態隨機存取存儲器？SRAM是由哪些部分組成的？
2021-10-09 08:37:59
方式隨機存取存儲器（RAM）靜態 RAM（SRAM）動態 RAM（DRAM）動態 RAM 和靜態 RAM 的比較只讀存儲器（ROM）存儲容量的擴展存儲器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲器概述
2021-07-26 06:22:47
字節的靜態隨機存取存儲器。它通過簡單的串行接口與微處理器通信。實時時鐘/日歷提供秒、分、小時、日、月、星期和年的信息。對于少于31天的月份，月末日期會自動調整，包括閏年的更正。時鐘以24小時制或12小時制運行，帶有上午/下午指示器。3.地址命令字節MSB(位7)必須是邏輯1。如果為0，對DS130
2022-01-17 08:30:02
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動態隨機存取存儲器，包含268435456位。它內部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號都記錄在時鐘信號CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
第三十一講 隨機存取存儲器
9.3 隨機存取存儲器9.3.1 RAM的基本結構和工作原理
9.3.2 RAM的存儲單元一、
2009-03-30 16:36:571138 
概述隨著DS32X35系列產品的發布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術，FRAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700 
摘要：該應用筆記介紹了DS32X35系列產品。這些器件為帶有鐵電隨機存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實時時鐘，無需外接電池即可保持存儲器內容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49677 
名稱 RAM（隨機存取存儲器） RAM -random access memory 隨機存儲器 定義 存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592213 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態隨機存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業和汽車應用
2011-04-06 19:06:011420 QDR聯盟日前宣布推出業界最快的四倍數據率(QDR) SRAM(靜態隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321917 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現已在IBM的新生產線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產品的樣片FM24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 DS1346/DS1347的SPI?兼容的實時時鐘(RTC)含有一個實時時鐘/日歷和31 × 8位靜態隨機存取存儲器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600 
據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 sram（靜態隨機存取存儲器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲數據的存儲器件，而且是大多數高性能系統的一個關鍵部分。sram具有眾多的架構，各針對一種特定的應用。本文旨在對目前市面上現有的sram做全面評述。
2017-11-03 18:03:052730 所謂「隨機訪問」，指的是當存儲器中的訊息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置無關。相對的，存取順序訪問（SequenTIal Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0011794 TMS320C55x（C55）外部存儲器接口（EMIF）支持無粘性接口高密度和高速同步突發靜態隨機存取存儲器（SBSRAM）。對于時鐘SBSBRAM，EMIF可以在眾多C55×DSP CPU時鐘輸出倍頻下工作。給出了支持不同類型SBSRAM存儲器的系統級連接和寄存器配置的例子。
2018-05-04 08:51:19
13 本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特點。這兩個接口都支持異步存儲器、同步突發靜態隨機存取存儲器（SBSRAM）和同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:063 美國芯片設計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應商兆易創新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業Reliance Memory，以實現電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的商業化
2018-05-17 10:34:005566 隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存（內存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5819724 本文檔的主要內容詳細介紹的是STM32同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）的源代碼程序資料免費下載
2018-08-31 15:53:3921 隨機存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存（內存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機存取存儲器的最大特點。
2018-11-24 10:59:1143323 半導體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態隨機存取存儲器（SRAM）、動態隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011606 
隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4915155 靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243653 靜態隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地
2019-04-01 16:17:4232430 本文檔的主要內容詳細介紹的是使用DSP進行靜態隨機存取存儲器SRAM的讀寫實驗報告書免費下載。
2019-08-02 17:39:284 SRAM表示靜態隨機存取存儲器，只要供電它就會保持一個值，它沒有刷新周期，由觸發器構成基本單元，集成度低，每個SRAM存儲單元由6個晶體管組成，因此其成本較高。
2019-09-11 16:26:212553 我們許多人都知道，隨機存取存儲器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數據的內部存儲器。
2020-01-13 11:50:271949 新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 因此“內部快取記憶體”應運而生，也就是靜態隨機存取存儲器。它通常以六個聯結晶狀體所構成，不需要去更新。靜態隨機存取儲存器是計算機系統中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態隨機存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據
2020-07-16 10:44:034771 
鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。
2020-12-03 11:53:166106 UG-1755：評估ADG5401F故障保護，6Ω隨機存取存儲器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關
2021-03-23 00:21:254 ADG7421F：低壓故障保護和檢測，20?隨機存取存儲器，雙單擲開關數據表
2021-05-14 18:27:144 實驗二 靜態隨機存取存貯器實驗
2021-11-23 17:51:0737 一般計算機系統所使用的隨機存取內存主要包括動態與靜態隨機存取內存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 國產SRAM芯片廠商偉凌創芯EMI7256器件是256Kb串行靜態隨機存取存儲器，內部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進的CMOS技術設計和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。
2022-04-24 16:06:021132 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數據接口。可以選擇塊單獨配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊八個采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊八個采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術制造，堆疊六個SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256Kx40bit寬的獨立塊數據接口。可以使用專用的#CSn單獨選擇每個塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊四個采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數據接口的獨立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數據接口的獨立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR16M16XS54XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術制造，可堆疊四個4-Mbit SRAM組采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為四個256K x的獨立塊16位寬數據接口。
2022-06-08 14:17:250 VDSR8M32XS64XX2V12是一種高速、高度集成的靜態隨機存取存儲器，包含8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。每個銀行都有16位接口，并通過特定的#CS。它特別適用于高可靠性、高性能和高密度系統應用程序，如固態質量記錄器、服務器或工作站。
2022-06-08 11:55:591 VDSR8M16XS54XX2V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術制造，可堆疊四個4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256K×的獨立區塊16位寬數據接口。
2022-06-08 11:53:180 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產品。靜態隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數據接口。可以選擇塊單獨配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術，該模具堆疊四個16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個2Mx的獨立模具8位寬的數據接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為512K x 8bit寬數據接口的五個獨立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SIP制造技術，該設備堆疊4個4-Mbit MRAM模具。它由四個512K x的獨立模具組成8位寬的數據接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機存取存儲器。該器件采用VDIC高密度SiP技術制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個2M x 8bit寬數據接口的獨立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術，該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨立模具組成8比特寬的數據接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術，該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨立模具組成8位寬的數據接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為512K x 8bit寬數據接口的一個獨立模塊。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為一個128K x 16位寬數據接口的獨立模塊。
2022-06-08 10:18:481 W9825G6KH是一種高速同步動態隨機存取存儲器（SDRAM），由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達每秒200兆字的數據帶寬。為了完全符合個人計算機行業標準，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060 SRAM即靜態隨機存取存儲器。它是具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路便能保存它內部存儲的數據。
2022-11-17 14:53:32893 在過去幾十年內，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統或其他正在運行程序的臨時存儲介質(可稱作系統內存)。
2022-11-29 15:56:463113 
相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699 在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39546 
靜態隨機存取存儲器SRAM是隨機存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪問的靜態隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術進行設計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
無論是在網飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數碼照片，你的電腦都會定期進入內存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317 ，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數據仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態。主要分為兩種類型：靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，Fairchild發明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 本文將介紹芯片設計中動態隨機存取存儲器（DRAM）的相關知識，包括其工作原理、分類以及在現代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:34817 后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨
2023-11-15 10:20:01731 
，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世紀70 年代到 90年代中期，動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27379 低功耗雙倍速率同步動態隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
非易失性靜態隨機存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數據的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56303 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態隨機存取存儲器（RAM）產品線。這款新產品的設計初衷是為了滿足航空和其他極端環境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39358
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