易于使用的電子電路設計指南，用于設計公共發射極晶體管放大器級的電子電路設計，顯示電子元件值的計算。
2023-02-17 14:34:33
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發射極接地是一種電路配置，其中放大管（如晶體管）的發射極與地（或參考電壓）相連。在發射極接地電路中，放大管的輸入信號通過發射極電流控制放大管的操作。
2024-02-05 16:54:53629 
控制流過發射極-集電極電路的電流。 硅模型 像8050這樣的硅晶體管通常在基極電壓比發射極高0.65伏時接通。發射極基極電路通常設置為提供接近觸發點的預設電壓。這稱為偏差。當晶體管導通時，輸出遵循
2023-02-16 18:22:30
N型IGBT的門極、集電極、發射極怎么區分？
2015-11-26 00:00:45
N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。 在純凈的電子發燒友體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中
2016-10-14 15:11:56
N型半導體和P型半導體通過工藝做成PN結就是二級管。二極管只有一個PN結，為什么二極管型號要分N型二極管和P型二極管？二者有什么區別?謝謝！[此貼子已經被作者于2009-3-10 17:19:59編輯過]
2009-03-08 17:01:37
。漏極和源極是p+區域，主體或基板是n型。電流沿帶正電孔的方向流動。當對柵極端子施加具有排斥力的負電壓時，存在于氧化層下方的電子被向下推入基板中。耗盡區由與供體原子相關的結合正電荷填充。負柵極電壓還會
2023-02-02 16:26:45
P型MOS管開關電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導
2021-10-28 10:07:00
晶體管發射極結間的正向壓差越大電流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
什么是電阻測量法？晶體管共發射極電路特點有哪些？
2021-09-27 08:33:35
的應用。二、晶體管分類及其工作原理晶體管泛指所有半導體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型
2016-06-29 18:04:43
或使其特性變壞。(5) 集電極--發射極反向電流ICEOICEO是指晶體管基極開路時，集電極、發射極間的反向電流，也稱穿透電流。ICEO越小越好，現在應用較多的硅晶體管，其ICEO都很小，在1A以下
2018-06-13 09:12:21
之間）和發射結（B、E極之間），發射結與集電結之間為基區。 根據結構不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
晶體管進行舉例。如果是PNP型晶體管，則只要把晶體管的極性由正換成負就行。如果要從基極電流、集電極電流、發射極電流的組成、流動，PN結的能級等等方面來講清晶體管的放大機理，就更復雜了。這在許多專業
2012-02-13 01:14:04
中性區分別為發射區、基區、集電區。發射區與基區之間部分稱做發射結，基區與集電區之間的部分稱集電結。晶體三極管分PNP和NPN型兩種。結構示意及符號見圖示</font><br/>`
2009-08-20 18:07:52
1 硅管和鍺管（按半導體材料分）鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導通時，發射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結比硅材料制成的PN結的正向導通電壓低，前者為0.2
2018-01-31 10:14:10
晶體二極管及應用電路一、半導體知識1．本征半導體單質半導體材料是具有4價共價鍵晶體結構的硅（Si）和鍺（Ge）（圖1-2）。前者是制造半導體IC的材料（三五價化合物砷化鎵GaAs是微波毫米波半導體
2009-08-21 08:32:49
硅通孔（TSV）電鍍的高可靠性是高密度集成電路封裝應用中的一個有吸引力的熱點。本文介紹了通過優化濺射和電鍍條件對完全填充TSV的改進。特別注意具有不同種子層結構的樣品。這些樣品是通過不同的濺射和處理
2021-01-09 10:19:52
BJT的共發射極配置添加發射極負反饋的影響提高發射極負反饋放大器的交流增益
2021-01-07 06:17:35
管很相似，兩者的區別主要是基區引出電極的區別（基極與源極和漏極）。晶體管把中間的一層（N區）當成一個電極引出稱為基極，其余上下兩層（P-P區）分別當發射極和集電極引出；而場效應管則是把基區當成一個導電
2012-05-22 09:38:48
教材在講晶體管電流分配的的時候，說Icbo是平衡少子在集電區和基區之間的漂移運動形成的電流，并沒有說發射極斷開的情況，到了下面講放大系數的時候又加上了，發射極開路的限定，成了反向飽和電流。我所糾結的是Icbo的產生是不是必須需要發射極斷路，如果不需要，為什么又要加上這個限定，初學求大神
2018-11-19 18:30:52
編輯-Z場效應晶體管是一種電壓控制器件，根據場效應管的結構分為結型場效應（簡稱JFET）和絕緣柵場效應（簡稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據導電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
狀態（C）：基極電流為零。2）放大狀態（A）：發射機結正向偏置（即電壓方向為P-&gt;N），集電極結反向偏置。3） 飽和狀態（S）：發射極結和集電極結均為正向偏置。工作狀態NPN型
2023-02-15 18:13:01
兩個N型半導體和一個P型半導體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
端子連接到基端子（N型）。因此，發射極-基極結向前偏置。此外，電壓源（VCB）的正極端子連接到基端子（N型），而負極端子連接到集電極端子（P型）。因此，集電極-基極結反向偏置。PNP晶體管的工作原理由于它以
2023-02-03 09:44:48
PNP三極管發射極接地，基極通過1個3.3K的電阻接單片機I/O口，集電極通過1個1K的電阻接+5V；這樣的接法對嗎？PNP三極管發射極不是要接高電平的嗎？試驗證明是對的，但不理解，請高手能詳細解答，謝謝！
2013-07-25 21:30:24
多的空穴，n側或負極有過量的電子。為什么存在pn結？以及它是如何工作的？什么是p-n結二極管？I. PN 結基本型1.1 PN半導體N型半導體在硅晶體（或鍺晶體）中摻雜了少量的雜質磷元素（或銻元素），由于
2023-02-08 15:24:58
RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管的開關特性參數RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的特點：·低集電極 - 發射極飽和壓降·短路耐受時間為8μs·符合AEC-Q101標準·內置
2019-04-09 06:20:10
；BJT種類很多，按照頻率分，有高頻管，低頻管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半導體材料分，有硅管和鍺管等；其構成的放大電路形式有：共發射極、共基極和共集電極放大電路
2010-08-13 11:36:51
，晶體管的電流放大參數β可能從一個器件到具有相同類型和相同零件號的另一器件有相當大的變化。然后，對于普通的發射極A類放大器電路，必須使用一個偏置電路，該電路將穩定工作Q點，使DC集電極電流I C獨立
2020-09-18 09:07:16
1v，還可以找到發射極電阻R E的值。假設使用標準NPN硅晶體管，則計算所有其他電路電阻的值。然后在特性曲線的集電極電流垂直軸上建立點“ A”，并在Vce = 0時出現。當晶體管完全“關斷”時，由于沒有
2020-09-15 10:00:00
以找到發射極電阻R E的值。假設使用標準NPN硅晶體管，則計算所有其他電路電阻的值。然后在特性曲線的集電極電流垂直軸上建立點“ A”，并在Vce = 0時出現。當晶體管完全“關斷”時，由于沒有電流
2020-09-17 11:02:37
` 三極管顧名思義具有三個電極。是由兩個PN結構成，共用的一個電極成為三極管的基極(用字母b表示)。其他的兩個電極成為集電極(用字母c表示)和發射極(用字母e表示)。由于不同的組合方式，形成了一種
2013-04-18 15:53:44
。 由于發射極正偏，發射極的多數載流子（無論是P的空穴還是N的自由電子）會不斷擴散到基極，并不斷從電源補充多子，形成發射極電流IE。由于基極很薄，且基極的多子濃度很低，所以從發射極擴散過來的多子只有很少
2023-02-27 14:57:01
和MOS-FET管。和三極管不一樣，它是屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體
2019-04-08 13:46:25
D分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，左圖圖示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，右圖圖示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對應圖。2)．它倆最大的不同是：MOS
2023-02-20 15:30:11
1三極管基本特性晶體管分為三極管和場效應管，三極管電路的學習更具普遍性，場效應管的應用我們放到后面電源管理的章節介紹。晶體管都可分為N型和P型，具體到三極管就是NPN三極管和PNP三極管。我們主要
2021-12-30 07:30:30
學習時遇到這樣一個電路，電路實際功能是用三極管作為開關使MCU_TXD端的數據流向U1_RXD，按照三極管的原理來說電流不可能從發射極流向集電極，但是這個電路又確實實現了我希望的功能，就是說在這個電路中電流是發射極流向了集電極，大神們有沒有了解其中原理的，能不能幫忙解答，十分感謝。
2020-04-25 10:18:04
三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。三極管是半導體基本元器件之一，具有電流
2018-10-18 15:41:55
發射結是正偏，反之為反偏；當集電極接電源負極、基極（或發射極）接正極時，則集電結反偏，反之為正偏。總之，當p型半導體一邊接正極、n型半導體一邊接負極時，則為正偏，反之為反偏。
2020-12-25 15:24:23
晶體管）的一種，它包括通過薄p型半導體層分開的兩種n型半導體材料。在 NPN 晶體管中，大多數載流子是電子，而少數載流子是空穴。電子從發射極端子流向集電極端子將在晶體管的基極端子內形成電流。
在晶體管中
2023-08-02 12:26:53
兩個共發射極晶體管放大器連接成的直接耦合二級放大器
2019-11-04 09:00:45
為什么在無線供電電路工作時發射極芯片燙手？使用XKT-412和XKT-335組成無線供電發射極電路（發射極電路使用芯片規格書推薦的12V發射5V1.8A接收推薦電路），使用XKT-3169芯片構成接收端電路（電路為芯片規格書推薦電路簡化版，如圖）
2021-11-18 14:33:41
為何串聯型穩壓電路集電極電流減小而集-發射極的電壓增大？
2013-05-07 21:39:48
制成的二極管、晶體管、場效應晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類：雙極晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管的結構晶體管有三極：雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
的區別。什么是PNP和NPN晶體管？晶體管是通過混合兩種不同類型的半導體而創建的：n型和p型。電子給體原子由n型半導體攜帶。而電子受體原子由p型半導體（空穴）攜帶。NPN 晶體管NPN型晶體管由具有低
2023-02-03 09:50:59
b1和b2。在硅片中間略偏b2一側用合金法制作一個P區作為發射極e。其結構、符號和等效電呼如圖1所示。 圖1、單結晶體管一、單結晶體管的特性 從圖1可以看出，兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻
2009-04-26 15:20:02
如圖所示：為什么發射極并了個電容反饋類型就不一樣了？
2012-08-30 14:08:24
電阻器 r2的 Ib 值至少是 Ib 值的10倍。晶體管基極/發射極電壓，Vbe 固定在0.7 v (硅晶體管) ，那么這個值為 R2:如果流過電阻器 r2的電流是基極電流的10倍，那么流過分壓器網絡中
2022-04-22 15:16:22
放大電路設計共發射極放大電路的設計規格電壓增益5（14dB）最大輸出電壓 5Vp-p頻率特性任意輸入輸出阻抗 任意1、確定電源電壓。要比最大輸出電壓大，考慮其他因素，選用容易獲得的+15V電源供電
2021-11-11 07:52:48
的使用方式略有不同。雙極晶體管具有標有基極、集電極和發射極的端子。6.什么是PNP和NPN晶體管？在NPN晶體管中，向集電極端子提供正電壓，以產生從集電極到發射極的電流。在PNP晶體管中，向發射極端子提供
2023-02-03 09:32:55
的規則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體
2023-02-03 09:45:56
分享一個不錯的BJT共發射極配置的研究方案
2021-06-17 08:45:06
用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx
2008-06-07 13:21:40
示意圖，它以低摻雜P型硅片為襯底，用擴散工藝在上面形成兩個高摻雜的N+小區，并分別用引線引出，一個作為源極S，另一個作為漏極d。在硅片表面用生長法制造了一層二氧化硅絕緣薄膜，厚度不到0.1μm，而絕緣電阻
2020-06-24 16:00:16
單結晶體管有一個PN結和三個電極，一個發射極和兩個基極，所以又稱雙基極二極管。其結構、等效電路及電路符號如下圖所示。a、單結晶體管的結構；b、等效電路；c、電路符號它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
1(B1)。第三個連接，被混淆地標記為發射器(e)位于通道沿線。發射器端子由一個從 p 型發射器指向 n 型基極的箭頭表示。單接合面電晶體的發射極整流 p-n 結是通過將 p 型材料熔化成 n 型硅
2022-04-26 14:43:33
雙極型晶體管參數符號及其意義Cc---集電極電容Ccb---集電極與基極間電容Cce---發射極接地輸出電容Ci---輸入電容Cib---共基極輸入電容Cie---共發射極輸入電容Cies---
2020-02-14 12:06:07
特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流 IF(ov)---正向過載電流 IL---光電流或穩流二極管極限電流 ID---暗電流 IB2---單結晶體管中的基極調制電流 IEM---發射極峰值
2021-06-01 07:46:03
的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。 設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1
2011-10-11 13:54:14
的變化，晶體管的電流放大參數β可能從一個器件到具有相同類型和相同零件號的另一器件有很大變化。然后，對于一個普通的發射極A類放大器電路，必須使用一個偏置電路，該電路將穩定工作Q點，使DC集電極電流I C
2022-06-28 10:22:00
，晶體管的電流放大參數β可能從一個器件到具有相同類型和相同零件號的另一器件有很大變化。然后，對于一個普通的發射極A類放大器電路，必須使用一個偏置電路，該電路將穩定工作Q點，使DC集電極電流I C獨立
2020-11-10 09:17:58
，晶體管的電流放大參數β可能從一個器件到具有相同類型和相同零件號的另一器件有很大變化。然后，對于一個普通的發射極A類放大器電路，必須使用一個偏置電路，該電路將穩定工作Q點，使DC集電極電流I C獨立
2022-05-05 11:39:06
在制造NPN型管時，若制作多個發射區，則得到多發射極管，這種管子廣泛用于集成數字電路
在制作橫向P NP型管時，若制作多個集電區，則得到多集電極管，各集電極電流之比決定于對應的集電區面積之比。這種
2024-01-21 13:47:56
（1）場效應晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應晶體
2019-03-28 11:37:20
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
和集電極之間具有無限電阻，當它完全打開時，發射極和集電極之間的電阻為0，導致電流流到最大。 實際上，當晶體管在截止時（即完全關閉時）運行時，我們將有少量漏電流。另一方面，當在飽和區域工作時，該器件具有低
2023-02-20 16:35:09
測試引線連接到發射器。 如果是硅晶體管，則使用較大的電阻。對于PNP型，黑色引線連接到發射極，而紅色測試引線連接到集電極。至于NPN晶體管，黑色和紅色測試引線分別連接到集電極和發射極。 此外，我們
2023-02-14 18:04:16
三極管全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流
2019-03-14 09:11:10
結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。前者是本次討論的重點。 雙極結型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構成組件的P型（正極）和N型（負極）半導體材料
2023-02-17 18:07:22
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路
2012-01-12 10:47:00
導師提供給我一個無線供電發射以及接受極電路圖以及實物元件，在做實驗的時候發射極的芯片老是燙手；老師的建議是發射極電路功率太小了，需要添加一個功率放大器，但是我自己在網上找不到合適的功率放大器，而且
2021-11-18 15:06:32
兩端的電壓降為1v，還可以找到發射極電阻R E的值。假設使用標準NPN硅晶體管，則計算所有其他電路電阻的值。然后在特性曲線的集電極電流垂直軸上建立點“ A”，并在Vce = 0時出現。當晶體管完全“關斷
2020-11-02 09:25:24
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
以前記三極管的何為發射極和集電極的時候都是死記硬背的，如下圖帶箭頭的是e也就是發射極但是今天看到IGBT的原理圖PNP的箭頭處是集電極，于是就搞不太清楚這集電極和發射極的命名搜了網上說的 發射極即
2019-03-04 15:51:00
和PNP兩類，FET極性有N溝道、P溝道，還有耗盡型和增強型所以FET選型和使用都比較復雜， 7功耗問題:BJT輸入電阻小，消耗電流大，FET輸入電阻很大，幾乎不消耗電流; 實際_上就是三極管比較便宜
2018-10-24 14:30:27
與柵極相比，漏極與柵極之間的電壓變化較高，因此與源極端相比，耗盡層寬度與漏極相比較高。2、P溝道耗盡型 MOSFET在P溝道耗盡型MOSFET中，連接源極和漏極的溝道是P型硅，襯底為N型半導體。大多數
2022-09-13 08:00:00
摻雜的N+區，分別命名為源（Source）區與漏（Drain）區，從中引出的電極分別稱為源極（S）與漏極（D）。在P型襯底表面覆蓋薄薄的一層SiO2（二氧化硅）作為絕緣層，叫柵氧化層或柵絕緣層，再在
2023-02-10 15:58:00
R1=R2,忽略運放失調電壓，V1發射極電壓是多少
2019-07-13 10:01:16
當三極管為開路輸出時，三極管集電極通過一個負載，再從負載另一端接到電源，-----------------------------通常我們稱為集電極開路輸出。那么三極管為發射極這邊來接負載時，這個
2019-08-01 00:03:31
請問二極管正向導通后，發射極和集電極的電壓差是多少啊
2023-10-12 11:42:39
所謂選擇性發射極（SE-selectiveemiter）晶體硅太陽電池，即在金屬柵線（電極）與硅片接觸部位進行重摻雜，在電極之間位置進行輕摻雜。這樣的結構可降低擴散層復合，由此可提高光線的短波
2018-09-26 09:44:54
管的相同之處：在工作溫度為25℃時，BFX89和BFY90硅NPN RF晶體管的集電極-基極、集電極-發射極和發射極-基極導通電壓的最大額定值分別為30/15/2.5V。它們的集電極持續工作電流最大額定值為
2019-04-08 01:46:37
具有雙發射極輸出級的放大器
2009-03-20 10:59:06588 
磁敏晶體管共發射極電路圖
2009-06-08 15:33:48326 
使用雙極晶體管的發射極接地放大電路圖
2009-08-08 16:14:36804 
雙極發射極跟隨器：具有雙通道反饋的RISO
我們選擇用于分析具有雙通道反饋的RISO的雙極發射極跟隨器為OPA177，具體情況請參閱圖1。OPA177為一款低漂移、低輸入失調
2009-09-25 09:33:391762 
發射極,發射極是什么意思
三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分
2010-02-26 11:19:4516040 多晶硅發射極晶體管,多晶硅發射極晶體管是什么意思
多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛
2010-03-05 11:08:271560
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