CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術，CoolSiC技術的輸出電流能力強，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35
63 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36130 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181472 
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:4668 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年，國產SiC功率器件產品迎來了全面爆發，眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品，尋求打進汽車供應鏈。而今年春節后的新一輪新能源汽車降價
2024-03-13 01:17:002634 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）近期取得了一項重要的技術突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產品，分別為650V 40mΩ規格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 在通用PWM發電機中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網等領域[2-9] ，展示了新技術的優良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現出巨大的應用前景，其中金屬-氧化物-場效應晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET 可應用于軌道交通和智能電網
2024-01-04 09:41:54599 
電子發燒友網站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:28:29
0 電子發燒友網站提供《NSF040120L4A0：1200 V，40 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:26:191 SiC具有高效節能、穩定性好、工作頻率高、能量密度高等優勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關損耗、低導通損耗、快速開關速度等特點
2023-12-27 09:34:56473 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 瑤芯微此次參評的專注于“車規級低比導通電阻SiC MOSFET”，專家們一致贊賞該產品具有卓越的研究成果，堪稱行業翹楚。憑借諸多優點，經過嚴謹評鑒，評委會授予瑤芯微的SiC MOSFET技術極高評價，同時認定其擁有自主創新產權，展現了強勁的技術實力。
2023-12-25 10:56:54456 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 怎么提高SIC MOSFET的動態響應？ 提高SIC MOSFET的動態響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優勢之一，這能讓系統效率顯著提升，但也會在寄生電感和電容上產生更大的振蕩，從而在驅動電壓上產生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45941 
電子發燒友網站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:37:520 電子發燒友網站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:36:290 高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優勢之一，這能顯著提升系統效率，但也會在寄生電感和電容上產生更大的振蕩，從而讓驅動電壓產生更大的尖峰。
2023-12-18 09:18:59997 
一、產品介紹 基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器
2023-12-13 16:36:19134 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數在數據手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內。
2023-12-13 11:40:56890 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 
SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:38185 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17222 
近日，芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:49323 
有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關系，環境過熱會降低設備的電氣特性并導致過早失效，充分散熱、正確放置導熱墊以及確保充足的氣流對于 MOSFET 散熱至關重要。
2023-12-05 17:14:30332 SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:46211 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 
深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
2023-12-04 15:26:12293 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器提供驅動能力的來源，市場潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42211 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
BTD25350雙通道隔離，原方帶死區時間設置，副方帶米勒鉗位功能，非常適合充電樁中后級LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列雙通道隔離型門極驅動器，峰值輸出電流可達10A
2023-11-30 09:42:59
11月27日，瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級端穩壓LLC電源
2023-11-24 18:06:32445 
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET與傳統硅MOSFET和 IGBT相比具有顯著優勢。SiCMOSFET很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應
2023-11-09 10:10:02334 
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
的原因： 1、水平Crosstalk（Horizontal Crosstalk 或Lateral Crosstalk） 1.1 資料線對上板共電極的電容耦合 TFT LCD 的架構中，上板共電極與TFT
2023-10-30 10:48:00829 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出后，功率轉換產品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 導通壓降
三、 SiC SBD 在BoostPFC中的應用
Boost PFC作為Boost拓撲的一種典型應用，可以提高系統輸入的功率因素，同時可以提供穩定的輸出電壓，常作為中間級用于各種領域的AC
2023-10-07 10:12:26
IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131710 
碳化硅，或SiC，作為一種半導體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應用于電源電子領域。相較于其他可用技術，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現出顯著的性能提升，為眾多電子應用帶來了新的可能性。
2023-09-15 14:22:291252 
?
全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 在高功率應用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
米勒平臺產生的原因，是在MOSFET開通過程中，當DS之間電壓從高到低跳變時，門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電，不給柵-源電容Cgc充電，從而Vgs不再上升，從而形成米勒平臺。從一類短路波形看，DS電壓不會降低，門極電流持續給Cgs充電，門極Vgs持續上升，因此沒有米勒平臺。
2023-09-08 15:10:51520 單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 14:46:53318 
談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 據介紹，瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓(Vgs)為15-18V，可提升應用兼容性，簡化應用系統設計。在產品結構上，第二代SiC MOSFET與第一代產品同為平面柵MOSFET，但進一步優化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統效率。
2023-08-23 15:38:01703 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線，開發了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:57740 
本文作者：安森美業務拓展工程師Didier Balocco 在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現
2023-07-18 19:05:01462 
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiCMOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構的中間
2023-06-19 16:39:467 點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389 
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538 
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 14:38:03228 
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
目前，許多企業在SiC MOSFET的批量化制造生產方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
2023-06-13 16:48:17376 
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281 
隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經上市，工程師也在利用它們的性能優勢
2023-06-08 15:40:02691 
超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應用空間。
2023-06-08 09:33:241389 
當前量產主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074308 
針對SiC MOSFET模塊應用過程中出現的串擾問題，文章首先對3種測量差分探頭的參數和測 量波形進行對比，有效減小測量誤差；然后詳細分析串擾引起模塊柵源極出現電壓正向抬升和負向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:211841 
理由相信潮流正在轉變。正如TechInsights在不久前發布的PCIM Europe 2023 -產品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:58382 
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關頻率高達幾百K赫茲，門極驅動的設計在應用中就變得格外關鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07998 
想象一個場景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉化為交流電送到電機的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關我開，你開我關
2023-05-30 11:35:071912 
在高壓開關電源應用中,相較傳統的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優勢。
2023-05-26 09:52:33462 
在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關器件，特別是SiC MOSFET，已經從一個研究課題演變成一個重要的商業化產品。
2023-05-25 09:13:1541 
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個應用的高效率電力輸送，比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網基礎設施。
2023-05-22 17:36:411063 
由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩定性，在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移，導致其電性能測試以及高溫柵偏試驗后的電測試結果嚴重依賴于測試
2023-05-09 14:59:06853 
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14642 
高壓SiC MOSFET的結構和技術存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區的導通電阻隨電壓等級相應增加，其他結構（溝道、JFET區等）的存在進一步提高了總導通電阻。
2023-05-04 09:43:181395 
的電氣參量;然后研究分析了功率器件結溫測量的各類方法， 并重點闡述了溫敏電參數 (TSEP) 法在 SiC MOSFET 結溫評估領域的應用前景， 從線性度、 靈敏度等 6 個方面對比分析了 各方
2023-04-15 10:03:061452 本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 摘要：碳化硅（SiC）由于其優異的電學及熱學特性而成為一種很有發展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應注意
2023-04-04 10:12:34663 
我的客戶測試 他的直流電機板的失速狀態，得到低 VLS 錯誤。我們檢查了VLS_out的電壓=11V，GVLSLVL=0的設置，錯誤還有其他原因嗎？
2023-04-04 08:42:07
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。
2023-04-01 09:37:171329 在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
電子發燒友App
工商網監
評論