GaN 提高了功率轉換級的效率，使其成為制造高效電壓轉換器中硅的可行替代品。與硅相比，GaN 具有許多優勢，包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便宜的總成本。

在劍橋 GaN 器件業務開發副總裁 Andrea Bricconi 的播客中，我們將分析這個寬帶隙生態系統的最新技術，這些技術將推動下一步的改進。

開始

歡迎來到由 Maurizio Di Paolo Emilio 主持的播客節目 Powerup，它為 PowerElectronicsNews.com 和其他 AspenCore Media 出版物上的電力電子技術和產品的一些故事帶來了活力。

在這個節目中，您將聽到工程師和高管討論電力電子和汽車、工業和消費等市場的新聞、挑戰和機遇。這是您的主持人，Power Electronics News 和 EEWeb.com 的主編 Maurizio Di Paolo Emilio。

-28:51

毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧

大家好，歡迎收看這一集的新節目。今天的主題是氮化鎵或氮化鎵，以及氮化鎵晶體管。氮化鎵是一種寬帶隙半導體，在幾種電力電子應用中不斷發展。這是由于這種材料的特殊性能，在功率密度、耐高溫性和在高開關頻率下的操作方面優于硅。氮化鎵大大提高了功率轉換級的效率，在生產高效率電壓變換器時是硅的有價值的替代品。與硅相比，氮化鎵具有更高的能效、更小的尺寸、更低的重量和更低的總體成本。

氮化鎵半導體技術和應用將成為今年3月20日至24日在德克薩斯州休斯頓舉行的應用電力電子會議（APEC）的一個重要亮點。不僅是氮化鎵，還有碳化硅。在上一集中，我們與Peter Gammon討論了碳化硅技術。我將出席亞太經合組織會議，期待在那里與大家見面。

在劍橋 GaN 器件業務發展副總裁 Andrea Bricconi 的播客中，我們將分析這個寬帶隙生態系統的最新技術，這些技術將推動下一步的改進。該公司正在利用其特性 ICeGaN 技術開發一系列基于 GaN 的節能功率器件，以部署在消費、開關電源、照明、數據中心和汽車等關鍵市場領域。讓我們和安德里亞談談。

-26:57

毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧

嗨，安德里亞！非常感謝您的光臨。你好嗎？

-26:53

安德里亞·布里科尼

謝謝你，毛里齊奧。很高興和你交談。我終于在陽光明媚的慕尼黑過得很好。

–26:49

毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧

好的。所以，今天，Power Up 新一期的主題是 GaN、氮化鎵和 GaN 技術。但在開始之前，在詳細介紹之前，請告訴我們更多關于您的信息。你的工作是什么？請介紹你自己，你的背景。

–26:27

安德里亞·布里科尼

謝謝你，毛里齊奧。我的名字是安德里亞布里科尼。在過去的 25 年里，我一直在半導體行業工作，在一些頂級半導體制造商工作。在過去的 10 多年里，我專注于氮化鎵技術、應用和營銷。兩年多前，為了簡單起見，我加入了 Cambridge GaN Devices 或 CGD，在這里我領導營銷和業務發展。

-25:57

毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧

讓我們從第一個問題開始。那么，為什么是氮化鎵？作為一種材料，GaN 似乎在許多應用和許多市場上都比硅具有顯著的內在優勢，對于許多市場，GaN 的哪些應用……已經具有顯著的市場滲透率，哪些應用正在出現 GaN、氮化鎵？

–25:33

安德里亞·布里科尼

這么多的問題！為什么選擇氮化鎵？好吧，我可以問為什么不呢？我的意思是，這是當今最令人興奮的材料。這一切都有助于電子設備朝著高效率邁出一大步，經過多年的承諾和挫折，它終于可用并成熟了。我會說，在氮化鎵領域工作是一種真正的樂趣，你會覺得自己置身于某種特別的事情之中，這種事情幾十年才發生一次。市場正在蓬勃發展，從低功率 AC DC 應用開始，例如移動充電器、適配器以及所有用于消費應用的開關模式電源。

同時，我們看到，經過多年的初步活動，現在服務器電源也有了很好的牽引力，受到提供最高效率和遵守越來越嚴格的法規的需求的驅動。此外，在低壓領域，比方說低于 300 伏，氮化鎵有助于降低許多應用中的 DC DC 轉換器的外形尺寸，例如機器人、無人機、電信，準確地說，電信是指磚轉換器。因此，在真正需要更小尺寸和重量的地方，氮化鎵正在進入市場并逐漸取代傳統的硅解決方案。當然，談到新興應用，GaN 在硅無法應對的領域也有很大的吸引力。同樣，如果您考慮無線充電，則停留在低壓域，這是一個很好的例子。尤其是 E 類，工作頻率是 6.78 MHz 的兩倍。對于那些必須在幾納秒內切換大量電流的應用，例如用于自動駕駛的激光雷達，GaN 的效率優勢是顯而易見的，根本沒有 GaN 的有效替代品。

所以，我想說，總的來說，由于特定的市場趨勢，如便攜性，或受國際法規的推動，所有以減小尺寸和重量為目標的應用，GaN 確實變得突出。在便攜性方面，如果您考慮最終用戶，我的意思是像您或我這樣的人，我們希望攜帶盡可能輕但功能強大的移動充電器，以便能夠同時為許多設備充電。當然，還可以實現快速充電。當然，你可以，你可以從一個帶有硅的充電器中擠出更多的電量，但它會很笨重，如果您想實現非常高的功率密度和非常高的功率能力，以及非常小的外形尺寸，GaN 是您的最佳選擇。另一方面，關于數據中心，因為我們談論的是國際法規，以及總體上最佳能源利用，我的意思是，數據中心的電力消耗目標是到本世紀末翻一番，達到 800-太瓦功率。我們需要充分利用這些能源，而 GaN 肯定會通過將效率提高到最高水平來減少能源的浪費。

到本世紀末，數據中心的用電量目標是翻一番，達到 800 太瓦。我們需要充分利用這些能源，而 GaN 肯定會通過將效率提高到最高水平來減少能源的浪費。到本世紀末，數據中心的用電量目標是翻一番，達到 800 太瓦。我們需要充分利用這些能源，而 GaN 肯定會通過將效率提高到最高水平來減少能源的浪費。

–21:47

毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧?

因此，目前有幾個 GaN 器件概念。那么，您能告訴我從設計的角度來看，哪些是主要的，哪些是您的發展方向？如你所知，我在一篇文章中強調了，GaN的十點，關于GaN的十件事，有沒有你更關注的點？

–21:20

安德里亞·布里科尼

哦，是的，我記得那篇文章。這就像“關于 GaN 的 10 件事。我記得，有一個具體的問題我想談一談。但首先，讓我回答你問題的第一部分：可用的概念以及我們對此做了什么。所以，我想說有很多概念，遠不止兩個，但不知何故，我們可以談論極端，所謂的 Cascode GaN 和所謂的增強模式 GaN。由于我的第一家公司，級聯 GaN 實際上是第一個誕生的。當功率 GaN 研究的先驅 International Rectifier 首次開始開發基于級聯的 GaN 解決方案時，我就在那里。而且，順便說一句，今天幾乎每個 GaN 制造商都有其主要經理，20 年前與我分享了這種經驗。我們可以說，IR 遺產仍然存在于世界各地的許多公司中。現在，通過談論級聯本身，它是至少兩個芯片的雙芯片解決方案，其中通常有GaN與低壓MOSFET耦合，整個器件通過驅動MOSFET柵極工作。

眾所周知，這個概念帶來了易用性。因此，驅動一個低壓 MOSFET 是極其容易的，因此級聯共柵被普遍認為是一個易于使用的概念。當然，它也有一些缺點。例如，缺乏可擴展性。一件事是制作 600 伏或 650 伏的級聯解決方案。但是如果你想做一個 100 伏的器件，采用這種概念，低壓 MOSFET 引入的妥協太大，你真的失去了 GaN 的優勢。在光譜的另一邊，我們可以談談增強模式或 E-Mode GaN：這是一個絕妙的解決方案，它非常優雅，單芯片正常關閉。但是，當然，許多用戶希望通過更換硅 MOSFET 而不做任何改變來簡單地獲得 GaN 的性能優勢。

不幸的是，與硅 MOSFET 相比，增強型 GaN 非常特殊。它具有極低的閾值電壓，根據柵極概念大約只有 1 伏，但它基本上介于 1 到 2 伏之間，并且柵極看不到高于 6 或 6.5 伏的電壓。因此，用戶要么使用 GaN 專用柵極驅動器，要么添加一個驅動電路來鉗位柵極電壓以防止損壞柵極，或兩者兼而有之。這就是這個概念的問題所在。在這里，我來到你問題的第二部分，你的文章。在您的文章中有一個觀點，您提到大多數 E-Mode GaN 解決方案現在需要為柵極提供負電壓以實現有效關斷。確實如此，因為閾值電壓非常低，以至于您希望避免 PCB 感應返回的任何風險。因此，市場上沒有多少柵極驅動器具有這種負電壓能力。所以，你會看到這些概念有很好的地方，但也有一些缺點。基本上，CGD 采用的技術將級聯共柵的易用性與 E-Mode GaN 的簡單性相結合，從而避免了所有缺點，包括對負驅動電壓的需求，簡而言之。確實如此，因為閾值電壓非常低，以至于您希望避免 PCB 感應返回的任何風險。因此，市場上沒有多少柵極驅動器具有這種負電壓能力。所以，你會看到這些概念有很好的地方，但也有一些缺點。

基本上，CGD 采用的技術將級聯共柵的易用性與 E-Mode GaN 的簡單性相結合，從而避免了所有缺點，包括對負驅動電壓的需求，簡而言之。確實如此，因為閾值電壓非常低，以至于您希望避免 PCB 感應返回的任何風險。因此，市場上沒有多少柵極驅動器具有這種負電壓能力。所以，你會看到這些概念有很好的地方，但也有一些缺點。基本上，CGD 采用的技術將級聯共柵的易用性與 E-Mode GaN 的簡單性相結合，從而避免了所有缺點，包括對負驅動電壓的需求，簡而言之。

-17:41

毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧

因此，您的目標是將邏輯集成到 E-Mode GaN HEMT 中。因此，它可以以最少的工作量與驅動程序和控制器連接，并且還可以節省成本，因此不需要額外的組件。因此，您的解決方案可以像 MOSFET 一樣被驅動。您能告訴我集成邏輯而不是 GaN 驅動器的原因是什么嗎？

-17:09

安德里亞·布里科尼

嗯，是。CGD 的 650 伏 GaN 技術稱為 ICeGaN。是組合詞。IC 和 eGaN，一個詞的意思是 E-mode GaN，因為實際上它是一個片上系統，我們將邏輯集成到 E-mode 功率晶體管中。順便說一句，您也可以像 ICE GaN 一樣閱讀它，因為它運行起來非常酷。它不包含完整的柵極驅動器，而僅包含可輕松與柵極驅動器連接的特定和關鍵功能。多年前，當 CGD 由劍橋大學的 Giorgio Longobardi 和 Florin Udrea 創立時，在與許多涉及 GaN 的公司進行了多年的咨詢后，特別是在 GaN 可靠性和與柵極相關的穩健性等主題上，他們都喃喃自語了很多去的方向。最后，我們想要開發的是一個完全可擴展到高功率和低電壓的概念。我們已經決定最好的辦法是避免集成全柵極驅動器，而是集成特定的 IC 來提供關鍵功能，以使 GaN E 模式 HEMT 像硅 MOSFET 一樣易于使用。

當然，一旦您朝著這個方向邁進，下一步就是進一步集成其他功能，例如特定的傳感和控制功能，以提高性能和可靠性。而這一切都是我們技術的核心。看，我們一直聽說的關于 GaN HEMT 的一件事是它們是橫向的橫向晶體管，這是與硅和碳化硅 MOSFET 相比的主要區別和優勢之一，因為這允許片上集成。CGD 圍繞這一概念進行了詳細闡述，并集中精力解決過去幾年阻礙 GaN 真正得到廣泛采用的主要問題之一，幾分鐘前我已經提到過，那就是缺乏易用性。因此，CGD 的技術是一種 E 模式，即通常關閉的單芯片解決方案，它可以無縫耦合到標準柵極驅動器。基本上，您不需要添加任何 RC 網絡或鉗位二極管，也不需要向柵極提供負電壓。ICeGaN 的閾值電壓約為 2.8 伏，它具有集成的米勒鉗位，可確保在任何情況下真正發生在零伏下的關斷，這基本上利用了 GaN HEMT 的橫向特性，允許客戶驅動 MOSFET 等 GaN 晶體管，高達 20 伏的柵極電壓。

所以，易用性，我們敢說第一次在E-mode GaN上引入，不需要任何額外的芯片或任何元件，順便也節省了PCB上的成本和空間。所以，我想說這個概念是完全可擴展的。因此，您可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或為高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通過簡單地重塑設計，它可以擴展到低電壓，但概念仍然存在，這就是我們基本上認為我們已經實現了最初目標的方式。曾考慮過引入單片集成到功率晶體管中的柵極驅動器的主題，但我想說，這是一個非常好的低功耗解決方案，市場告訴我們，今天，我們知道。但它可能會在高功率時變得有損。我會說，由于片上熱耦合，驅動器可能會因功率晶體管的自熱而遭受額外的損失。因此，我們認為最好讓我們的客戶繼續使用他們多年來一直使用的 MOSFET 驅動器和硅，讓保持柵極驅動器的選擇。現在，最終每個柵極驅動器都可以與 E 模式 GaN 耦合：這基本上是像 MOSFET 一樣驅動 GaN。

-12:37

毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧

因此，我現在要評論的一個主題是熱管理方面，而寬帶隙半導體、氮化鎵，但不僅是碳化硅解決方案，承諾更高的工作溫度和更高的效率。如您所知，在將這些設備設計到系統中時，設計人員還需要考慮熱管理問題。那么，您的技術戰略是什么，您如何看待隨著功率密度的增加而對工藝和封裝技術的未來發展產生影響的熱管理需求？

–11:50

安德里亞·布里科尼

嗯，是的，這是一個很好的觀點。當然，您知道 Maurizio，我們大多數參與 GaN 的人經常強調 GaN 的好處之一，即可以在比當今基于硅架構的正常開關頻率高得多的開關頻率下實現非常高的效率。當然，在這樣做時，我們說應使用可表面貼裝的封裝，以降低電感并支持高頻，否則封裝將成為真正的瓶頸。因此，人們無法充分利用 GaN 的優勢。不幸的是，可用于高功率的 SMD 封裝并不多，而制造電源的人們仍然非常依賴于整個封裝，如 TO-220、TO-247。CGD 正以面向中低功率應用的 DFN 8X8、DFN 5X6 等 SMD 封裝進入市場。但也很重要，特別是對于高功率領域，為了支持數據中心服務器對效率的高需求，假設超過 1 千瓦，開發熱增強型 SMD 解決方案非常重要，我們正在通過我們的組裝站點做到這一點。當然，它們的熱阻非常低。我們將在適當的時候分享這些。原則上，主題是：使用 GaN，我們允許用戶縮小他的應用程序，但熱量仍然存在。它必須以某種方式消散，我們是否正在走向死胡同？所以，我想說，首先，我們使用 GaN 是安全的，因為人們應該注意到 GaN 的開關損耗是迄今為止最低的。

因此，輸出損耗明顯低于任何其他技術。柵極電荷比硅好10倍，低于硅和碳化硅。所以，部分答案是，對于 GaN，我們必須處理低得多的熱量才能消散。但是當然，散熱這個話題很重要，我認為我們將在未來幾年看到市場發展的方向之一可能是采用芯片嵌入等解決方案，例如通過更多技術顯著降低熱阻PCB 內部的有效熱管理。但總的來說，我也會說來自 GaN 制造商的其他元素可以幫助改善 PCB 級別的冷卻。我之前說過，我們正在將傳感和保護功能集成到 GaN HEMT 中。考慮集成電流感應。通常，為了檢測電流，需要添加外部檢測電阻器，這當然會阻止將晶體管連接到接地層。通過將這一功能引入 HEMT，現在可以將 HEMT 源連接到地。而且這種冷卻方式可以更加有效，因為現在您可以根據需要設計冷卻路徑并專注于實現較低的工作溫度，反之亦然，您可以為相同的熱量使用更高的 RDS (on)。這就是 50 伏以下 ICeGaN 技術中包含的全部內容。

因此，它是一種組合，晶體管技術可以改善冷卻或為用戶提供更多自由度。但是，當然，從封裝的角度來看，仍然可以做很多事情來幫助 SMD 技術變得像通孔一樣具有性能。而且這種冷卻方式可以更加有效，因為現在您可以根據需要設計冷卻路徑并專注于實現較低的工作溫度，反之亦然，您可以為相同的熱量使用更高的 RDS (on)。這就是 50 伏以下 ICeGaN 技術中包含的全部內容。因此，它是一種組合，晶體管技術可以改善冷卻或為用戶提供更多自由度。但是，當然，從封裝的角度來看，仍然可以做很多事情來幫助 SMD 技術變得像通孔一樣具有性能。而且這種冷卻方式可以更加有效，因為現在您可以根據需要設計冷卻路徑并專注于實現較低的工作溫度，反之亦然，您可以為相同的熱量使用更高的 RDS (on)。這就是 50 伏以下 ICeGaN 技術中包含的全部內容。因此，它是一種組合，晶體管技術可以改善冷卻或為用戶提供更多自由度。

但是，當然，從封裝的角度來看，仍然可以做很多事情來幫助 SMD 技術變得像通孔一樣具有性能。晶體管技術可以改善冷卻或為用戶提供更多自由度。但是，當然，從封裝的角度來看，仍然可以做很多事情來幫助 SMD 技術變得像通孔一樣具有性能。晶體管技術可以改善冷卻或為用戶提供更多自由度。但是，當然，從封裝的角度來看，仍然可以做很多事情來幫助 SMD 技術變得像通孔一樣具有性能。

-08:01

毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧

所以，我的最后一個問題是關于展望未來：您如何看待未來幾年的 GaN？與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些？所以，我提到了一些關于碳化硅的事情。因此，這些天來，我們也在談論電動汽車。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的價值？我們期望在哪里看到下一波增長？

–7:29

安德里亞·布里科尼

好吧，首先，如果你問我這個問題，未來是什么，幾年前市場還沒有，我會說，市場應該很快開始，因為所有的基本面都有。但現在市場確實存在。因此，GaN 正在迅速獲得空間，它正在逐步取代硅，但它正在以幾乎 100% 的復合年增長率蓬勃發展。從現在的消費應用擴展到服務器、太陽能，當然還有明天，您沒有理由不參與電動汽車或混合動力電動汽車的競爭。當然，硅將繼續占據主導地位多年。但關鍵的轉折點當然也與產品成本有關。當產品成本將可比時，這可能會發生在舊行業時，我們將使用 200 毫米晶圓，當然，目前還不是這樣，到那時，我們將看到硅的快速替代。考慮到，在系統層面，GaN 已經比硅提供了更好的成本，特別是在高功率應用中，但在產品層面，仍然存在差距，這將在低壓領域迅速縮小，我們現在已經在 GaN 和硅之間。

因此，我認為 GaN 將繼續加快步伐，特別是如果我們作為制造商繼續利用 GaN 帽子硅無法應對的特性，如方向性，并進一步堅持集成。當然，碳化硅就在那里，順便說一句，它出現得更早，并且已經證明了一定程度的成熟度，GaN 仍然需要證明這一點，但碳化硅，我的意思是，我們都知道，鑒于 1200 伏器件的可用性，鑒于其卓越的熱性能，它正在迅速取代用于牽引逆變器的 IGBT，但在這里，GaN 也沒有理由無法競爭。也許您知道 CGD 參與了一個名為 GaNext 的大型歐洲項目，該項目與重要的 IC 制造商、磁性制造商、學術界和多個不同功率級別的最終用戶合作。CGD 是 GaN 解決方案的唯一來源。該項目的目的是為低、中和高功率應用提供原型和演示電源模塊。我真的認為，一旦 GaN 模型可用且可靠，那么進入 EV 逆變器市場基本上將是時間和供應鏈成熟度的問題。來到你問題的最后一部分，您在問 GaN 還能在哪些方面發揮最大潛力？

好吧，如果我們看看今天的大趨勢，我們可能會有答案。我們談論的是氣候變化、電動汽車、數字化轉型，GaN 被證明是有助于在所有這些領域中實現最高效率的技術。所有真正達到制造階段的人。我的意思是，我敢打賭……就個人而言，我肯定會打賭數據中心將成為下一個體驗 GaN 優勢的重要領域。我的意思是，很明顯，每提高 0.1% 的效率都會對電費產生直接影響。但也有一個話題，真的，有需要，為什么要浪費更少的能源，這變得越來越寶貴。此外，服務器需要為計算提供越來越多的空間。所以，通過縮小電源空間或從實際體積中擠出更多功率來節省電源空間是一項要求，也是一項重大要求，而 GaN 正是因為這些需求而提供的。

例如，最近 CGD 啟動了一個由英國能源部資助的名為 ICeDATA 的項目，旨在為數據中心設計和開發在性能和可靠性方面引人注目的解決方案。所以，我認為GaN會有一個光明的未來。我還認為，CGD 已經為功率半導體這個激動人心的新時代做好了準備。旨在為數據中心設計和開發引人注目的性能和可靠性解決方案。所以，我認為GaN會有一個光明的未來。我還認為，CGD 已經為功率半導體這個激動人心的新時代做好了準備。旨在為數據中心設計和開發引人注目的性能和可靠性解決方案。所以，我認為GaN會有一個光明的未來。我還認為，CGD 已經為功率半導體這個激動人心的新時代做好了準備。

-02:44

毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧

謝謝你，安德里亞。因此，很高興您在本播客中談論 GaN 技術。謝謝你。

–2:38

安德里亞·布里科尼

謝謝你，Maurizio，請允許我邀請所有想與我們交談的人，來參觀我們 3 月 20日至 24日在德克薩斯州休斯頓舉行的應用電力電子會議。謝謝你。

–2:25

毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧???

謝謝你，安德里亞。因此，正如 Andrea 所說，市場正在蓬勃發展，從移動充電器、適配器等低功率 AC DC 應用開始，以及所有用于消費類應用的開關模式電源。現在，正如 Andrea 所指出的，服務器電源具有良好的吸引力，同時也受到提供最高效率和符合更嚴格法規的需求的推動。GaN器件有很多概念。級聯和增強模式，E 模式 GaN。Cascode 是一種雙芯片解決方案，通常在 GaN 上加上一個低壓 MOSFET，正如 Andrea 所說，整個器件通過驅動 MOSFET 柵極來工作。因此，驅動低壓 MOSFET 非常容易，正如 Andrea 所說，級聯共源共柵是一種易于使用的概念。與硅 MOSFET 相比，E 模式非常特殊：它具有極低的閾值電壓。正如 Andrea 所說，它與 GaN 專用柵極驅動器或驅動電路一起工作。Cambridge GaN 已將邏輯集成到任何功率晶體管中。它不包含完整的柵極驅動器，只包含能夠輕松連接柵極驅動器的特定和關鍵功能。根據 Andrea 的說法，我們將看到市場進入未來幾年的方向之一可能是采用嵌入式芯片等解決方案，通過 PCB 內部更有效的熱管理來顯著降低熱阻。

GaN 正在快速增長，Andrea 押注數據中心將成為下一個體驗 GaN 優勢的重要領域。Cambridge GaN 已將邏輯集成到任何功率晶體管中。它不包含完整的柵極驅動器，只包含能夠輕松連接柵極驅動器的特定和關鍵功能。根據 Andrea 的說法，我們將看到市場進入未來幾年的方向之一可能是采用嵌入式芯片等解決方案，通過 PCB 內部更有效的熱管理來顯著降低熱阻。GaN 正在快速增長，Andrea 押注數據中心將成為下一個體驗 GaN 優勢的重要領域。Cambridge GaN 已將邏輯集成到任何功率晶體管中。它不包含完整的柵極驅動器，只包含能夠輕松連接柵極驅動器的特定和關鍵功能。根據 Andrea 的說法，我們將看到市場進入未來幾年的方向之一可能是采用嵌入式芯片等解決方案，通過 PCB 內部更有效的熱管理來顯著降低熱阻。

GaN 正在快速增長，Andrea 押注數據中心將成為下一個體驗 GaN 優勢的重要領域。我們將看到市場進入未來幾年的方向之一可能是采用嵌入式芯片等解決方案，通過更有效的 PCB 內部熱管理顯著降低熱阻。GaN 正在快速增長，Andrea 押注數據中心將成為下一個體驗 GaN 優勢的重要領域。我們將看到市場進入未來幾年的方向之一可能是采用嵌入式芯片等解決方案，通過更有效的 PCB 內部熱管理顯著降低熱阻。GaN 正在快速增長，Andrea 押注數據中心將成為下一個體驗 GaN 優勢的重要領域。