第四部份似乎很相似，這樣做可行么？問題分析：系統短路的時候，功率MOSFET相當于工作在放大的線性區，降低驅動電壓，可以降低跨導限制的最大電流，從而降低系統的短路電流，從短路保護的角度而言，確實有一定
2016-12-21 11:39:07
這是MOSFET驅動電壓，請大神指點，其中的高電平電壓波動原因是什么？
2022-05-24 09:32:29
MOSFET在快速關短過程中，驅動電壓VGS會在米勒電平處震蕩很厲害？請問有解決措施嗎？
2018-04-19 21:17:29
電流ID。當VGS增加到一定值時，其感應的負電荷把兩個分離的N區溝通形成N溝道，這個臨界電壓稱為開啟電壓（或稱稱為轉換特性。因此在一定范圍內可以認為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達到控制ID的作用
2020-07-06 11:28:15
，幾乎沒有開關特性的溫度依存性。圖3: 開關溫度特性關于MOSFET的VGS(th)(界限値)關于MOSFET的VGS(th)MOSFET開啟時，GS (柵極、源極) 間需要的電壓稱為VGS(th
2019-04-10 06:20:15
如題。請問一下，MOSFET的手冊里面哪個參數能看的出來，當其作為開關管，完全打開的時候，Vgs的電壓？同事跟我講，默認12V大多數都可以完全打開(NMOS)。低于12V就有點懸，MOS打開不完全
2020-11-11 21:37:41
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導通。可能有
2019-05-02 09:41:04
繼上一篇MOSFET的開關特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，使用與源極接VCC
2016-11-24 15:27:49
了MOSFET結電容隨電壓的變化狀況。圖2由于Q=C*U*t為了方便計算MOSFET所需的驅動功率以及開關損耗，規格書中通常會給出MOSFET 的Q值。圖3中描述了MOSFET開通的過程以及不同的Qg
2018-12-10 10:04:29
時，客戶工程師發現：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時，Q1的導通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時候，VTH比正向導通的時候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
mosfet沒有上電時，mosfet驅動電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅動電壓卻變成了這個樣子，請問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
第四部第四講講解mosfet的開關過程，當Vgs大于開啟電壓時，Id與Vgs逐漸增大。當Id增大至所需最大電流時，平臺電壓形成，Vgs與Id成比例(未完全導通)。當mosfet完全導通時，Vgs
2018-10-24 14:55:15
描述DC-DC 轉換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項目最初旨在為驅動 BLDC 電機的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設計與柵極驅動器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
的平臺，給老司機交流的平臺。所有文章來源于項目實戰，屬于原創。一、原理介紹如上圖，NMOS管是壓控型器件，Vgs電壓大于Vth開啟電壓時，內部溝道在場強的作用下導通，Vgs電壓小于Vth開啟電壓時，...
2021-07-21 06:42:25
最近做的項目比較急，當時選件的時候沒有注意到AD7606輸入是單端的問題，現在板子已經做好，而輸入是差分的，所以我想將AD7606換成AD7609來替代，
問題1:AD7609能滿足差分輸入嗎？單端輸入的部分輸入負端接地就可以了嗎？
問題2.替換的話，還需要硬件或軟件調整嗎?
2023-12-13 06:08:15
就可以獲取到ADC數據了嗎？程序如下：發送命令為0x21，請問是否還需要進行其他的配置，只需要重復調用此函數應該可以獲取到ADC數據了，目前采集不到ADC的數據，請大神技術支持一下！附件P70213-202514.jpg188.8 KB
2018-08-16 07:08:27
AD9220在用FPGA控制時是不是可以直接用PLL產生的10M時鐘就可以？我使用內部參考2.5V，將輸入端與地短接時，輸出的數據是0B80跟0380（13位位OTR位），輸入一固定的電壓值時輸出的數據也不是固定的值，而且數據差別很大。這是怎么回事？
2023-12-21 07:12:17
再請問大家一下，CYT2B7使用SDL庫，設置GPIO時只用設置outVal/driveMode/hsiom就可以了嗎
還有怎么讀取GPIO引腳電平，要用哪個函數來讀取，
還有就是，是否能單獨
2024-02-02 07:02:41
OrCAD17.4 的DSN設計差異對比功能。 選擇Tools--Compare Designs就可以開啟DSN設計差異對比的功能。為了讓小伙伴更加容易的理解，這里現在兩個DSN文件進行對比說明
2020-07-06 15:02:58
DMA配置成DMA_Mode_Normal模式，開啟傳輸完成中斷，在中斷函數中再次開啟DMA怎么配置？直接調用"DMA_Cmd(DMA1_Channel4, ENABLE)"函數就可以了嗎？
2015-07-21 21:43:12
IO的電平難道不是由對應bank電源引腳的輸入電壓決定的嗎？在硬件上已經把bank0的電源連接到3.3V了，通過sysctl_set_power_mode似乎不能把某個引腳設定到1.8V，請問是這個函數作用是什么？
2023-09-15 07:17:14
的VGS（ON）閾值，源電壓開始跟隨柵極電壓向地面傾斜。即使實際上源電壓等于0V，柵極繼續斜坡到零，從而關閉電源設備。這個在某些應用中，逐漸關斷特性（而不是柵極驅動的突然復位）可以最小化MOSFET中
2020-07-14 14:53:05
MOS管驅動電壓最大是多少？過驅動電壓Vod=Vgs-Vth。可bai以理解為：du超過驅動門限（Vth）的剩余電壓大小。1)只有在你的過驅動電壓“dao大于零”的情況下，溝道才會形成，MOS管才會
2021-11-12 08:18:19
通的意思是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合
2011-11-07 15:56:56
和 管子 導通的關系 理解如下，不知 是否正確，還請前輩、大俠 指點（輕拍）：1. 當VGS(th)≥4.1V時，所有的此規格的MOSFET均導通 ；2. 當2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15:55
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現相同的導通電阻。 不僅能夠以小封裝實現低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
本帖最后由 QWE4562009 于 2021-9-15 14:48 編輯
TVS管選型計算，TVS元件的耗散功率大于按這個標準的波形功率就可以？這里測試波形的功率計算，沒看懂
2021-09-15 14:04:00
會寫FPGA 驅動或者DSP驅動或者邏輯，熟悉FPGA 的就可以，有意者聯系哦~qq：462551726或1927458596
2015-06-01 11:11:28
is memory-mapped感覺CPU不能直接從L1P中取指，那么實際使用時我應該怎么處理，使用時只需要在定義CMD文件的時候，指定固定代碼在L1P SRAM對應的地址就可以了嗎？還是需要其他使用方法？謝謝！
2019-01-18 13:30:52
1.mos管漏源極電壓只要是不超過最大值就可以導通對應的電壓嗎？2.mos驅動芯片如IR2110，其供電的VCC電壓只要不超過手冊的最大值且大于最小值就可以隨意取嗎?
2021-04-06 20:34:12
想問，本來打算用STM32IO口驅動光耦，然后光耦輸出端集電極接電壓，控制PMOS管導通。但是發現很多光耦，都有（需要）10-20V的電源電壓。光耦不是電流驅動就行了嗎。電流如果在其導通發光二極管范圍內，是不是就可以導通，不必看電壓大小了。
2018-05-08 09:52:29
解碼8位數碼管顯示，按一次得到兩組數據，xx xx xx xxxx xx xx xx 然后發送這組數據就可以控制空調，是這樣子的嗎？
2015-01-02 17:29:24
請教牛人： 我要對N76E003進行ISP更新程序時，利用n76e003的串口和電腦的串口進行通訊時，只要RXD，TXD兩根線通訊就可以了嗎？還要不要N76E003的第三個IO口，或者RST復位端口？我記得有的芯片，利用串口ISP更新程序，需要第三個IO口設置電平識別的。
2023-06-16 06:09:37
大于B管，因此選取的MOSFET開關損耗占較大比例時，需要優先考慮米勒電容Crss的值。整體開關損耗為開通及關斷的開關損耗之和：從上面的分析可以得到以下結論：（1）減小驅動電阻可以減小線性區持續的時間
2017-03-06 15:19:01
前面的文章講述過基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關過程，也討論過開關電源的PWM及控制芯片內部的圖騰驅動器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識，就可以估算功率MOSFET在開關
2017-02-24 15:05:54
）中，對G極恒流驅動充電的恒流源IG由測量儀器內部自帶的恒流源提供，而ID由分立元件構成恒流源，其工作原理非常簡單：就是利用功率MOSFET的工作于線性區的放大特性，調節G極的電壓就可以調節電流的大小
2017-01-13 15:14:07
，如圖2所示。反之，關斷時，電流從最大值線性地下降到0的同時，電壓也線性地從0增加到0最大值。圖2：阻性開通時電流、電壓波形基于上述的波形，在電流和電壓重疊的時間區域內對其積分，就可以計算阻性開通
2016-12-16 16:53:16
各位好，有沒有2個N溝道和2個P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
如圖，VB接到10~20V,當內部信號拉高HO，HO的電壓等于VB的電壓，VS=0，Vgs=HO-VS=10~20V,所以此時MOSFET導通，VS的電壓等于HV.HV是高電壓，我們設定為30V.這
2020-12-27 16:55:32
關于 增強型PMOS管開啟電壓Vgs疑問 有以下三個問題，請教各位大神：1、如下圖：增強型PMOS管G極接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S極電壓高于0v（至少零點幾伏）的時候才能導通，可是下圖
2017-11-22 10:01:58
Vgs（th）相等，并且Id變為零時，這個階段即結束。這個階段結束后，MOSFET將完全關斷。 階段4 [t=t4] ,柵極驅動對Cgs持續放電，直至Vgs電壓水平變為零。 B.傳統的TO247封裝
2018-10-08 15:19:33
看到TI有一款芯片是LM5050MK，它可以charger pump控制外部FET，但是我看到LM5050MK的GATE管教最大可以輸出14V，那么當外接MOS管輸入電壓是24V是，這個MOS管的VGS能達到開啟的狀態碼？如果不開啟，那怎么實現大電流的控制呢？
2019-04-03 08:48:56
電壓等于0的時候，漏極電流是等于0.其中JFET中柵級與襯底之間的PN結工作在反偏，當所有的討論都是基于源級接地的電路時，當耗盡型MOSFET、JFET的柵源電壓大于0時，電流怎么變化，兩種管子工作在
2019-04-08 03:57:38
請問各位高手.新買的 ARM芯片是不是直接安裝上去就可以直接下載程序工作了了嗎, 還需要有什么別的設置嗎.
2023-04-19 16:54:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
霧化片的電壓難道不是分解水的嗎？讓水變成小小的顆粒？崩潰,誰告訴我霧化片的電壓到底是做什么用的
2012-12-04 16:11:37
用其作為放大區域使用（類比BJT的放大去）。MOSFET的變阻區相當于一個受Vgs控制的變阻器，當Vgs增大時溝道電阻變小。通常功率 MOSFET 的 Rds可以降到非常之小，以便流過較大的電流。利用 MOSFET截止區和變阻區的特性，就可以將 MOSFET 應用于 邏輯或功率開關。`
2020-03-09 15:36:41
工程師習慣性的認為：如果VGS尖峰電壓大于功率MOSFET的閾值電壓VTH，下管就會導通，那么上、下管就會產生直通，也就是所謂的Shoot Through，從而導致開關管的損壞。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14:57
，即MOSFET的導通電阻RDS(ON)為負溫度系數，可以將這個區域稱為導通電阻RDS(ON)的負溫度系數區域。 圖2：MOSFET轉移特性而在VGS-ZTC電壓的右上部分曲線，如圖2的A點區，VGS
2016-09-26 15:28:01
，而且Crss電壓也正向增加到米勒平臺電壓。從圖3可以看到，在米勒平臺區，VGS電壓不是絕對的保持不變，而是應該有非常小、非常小的上升幅度，這樣的幅度可以忽略，因此基本上認定其電壓保持不變，MOSFET在
2016-11-29 14:36:06
MOSFET工作也可以工作在飽和區，即放大區恒流狀態，此時，電流受到溝道內電子數量的限制，改變漏極電壓不能增加流通電流。功率MOSFET從放大區進入穩態工作可變電阻區，此時，VGS驅動電壓對應的的放大恒流狀態
2016-08-15 14:31:59
MOSFET的門極驅動電壓Vgs可以判斷MOSFET中的電流大小。圖5中Vgs峰值為9.1V，圖6中Vgs峰值為6.4V，所以增加電容使得峰值電流減小。Id也可從MOSFET的轉移特性圖中獲得。&
2009-12-03 17:25:55
可以用ID=IDSS (1-VGS/VP)^2來表示。通過使用這個表達式，可以找到Vgs的ID值。3、P溝道耗盡型MOSFET的漏極特性P溝道耗盡型MOSFET的漏極特性如下圖所示。這里VDS電壓為負
2022-09-13 08:00:00
請給一個430驅動蜂鳴器的程序，只用讓它叫就可以了！！！！！！！！！
2014-11-25 10:46:51
boot_image_file_name.bin -boot -v5505 -b -serial8，將OUT文件轉化為BIN文件后，是不是直接燒錄到flash中就可以了？還是需要自己再寫跳轉程序？
2019-10-24 09:11:19
AD5663為啥需要一直寫入才能輸出電壓？正常芯片不是只配置一兩次就可以穩定輸出電壓了嗎？
2019-03-04 11:09:44
AD9220在用FPGA控制時是不是可以直接用PLL產生的10M時鐘就可以？我使用內部參考2.5V，將輸入端與地短接時，輸出的數據是0B80跟0380（13位位OTR位），輸入一固定的電壓值時輸出的數據也不是固定的值，而且數據差別很大。這是怎么回事？
2018-12-12 09:10:54
您好，請問ADE7953連接羅氏線圈時，電流通道只用低通濾波就可以了嗎？是否還需要其它硬件？軟件配置時，是否只開啟數字濾波器就可以了？我現在開啟數字濾波器后，外部不加電流情況下，輸出總數在跳動，不能得到一個穩定的值，麻煩哪位給點意見，謝謝！
2023-12-25 07:44:00
在網上搜了一下都說RS232只能點對點通訊。為什么呢，是什么決定了它只能點對點通訊，為什么不能像485那樣給從機設上地址，不讓從機主動發消息不就可以實現了一主多從了嗎？
2019-01-14 20:30:11
有個問題想要請教，一塊板子一方面USB轉串口連接電腦，另一方面通過手機充電器供電，充電器的5v電源線可以直接和USB的5v線接在一起嗎，是不是只需要共地就可以了
2019-04-04 06:36:46
理論上講把如果設為混雜模式的話，同一個頻道的設備都可以通信，是不是使用MAC_MlmeSetReq（）講混雜模式的字段設置為TRUE就可以了。但是為什么沒有效果？是接收的時候需要特殊處理么？還是zigbee不支持混雜模式？
2018-08-13 06:02:05
北斗導航模塊已經選好型號，天線采用有源陶瓷天線，是天線直接連到北斗模塊的RF_IN就可以了嗎？
2019-07-22 04:14:30
-1.3V，設置 VGS=-1.6V，電壓絕對值大于 -1.3V，是否該 MOSFET 正常導通，應該沒有問題吧？現在損耗并不是考慮的問題，0.03V 的 RDS(on) 的壓降對系統沒有任何影響。原來
2020-03-24 07:00:00
自移動4G試商用以來，4G速率高成為毫無爭議。來自各種宣傳的說法，杭州TDD-LTE實測最高速率達到100Mbps，遠超于現有固網寬帶速率。有了4G，我們是不是就可以砍掉固網了？
2013-02-20 10:56:14
1052 壓降的MOSFET。羅恩可以進一步降低通過選擇一個較低的電壓齊納，但是，要知道的柵極電流。尺寸R1這樣產生的VGS不會導致柵極電流大于5A.較大負荷會降
2017-04-11 14:45:17
6 導電溝道剛剛形成的時候那個正偏電壓Vgs，稱為開啟電壓Vgs（th）（或稱為“閾值電壓”）；Vgs大于Vgs（th）的這一段電壓區間，稱為可變電阻區，MOS管漏極D到源極S的導通阻抗隨Vgs增大而降
2018-05-08 16:01:5313527 
柵極驅動器可以驅動開關電源如MOSFET，JFET等，因為如MOSFET有個柵極電容，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時MOSFET才開始導通。
2020-01-29 14:18:0019390 
如何閱讀代碼還要單獨寫一篇文章？難道不是隨便用一個IDE就可以了嗎？回到上一篇文章里介紹的那個問題，需要修改uboot里board_mmc_init函數里的writel(0x66666666,REG_MFP_GPD_L) ，對于初學者如何在uboot代碼里找到這句話呢？當時問我這個問題的網友就有這個困惑。
2020-02-22 14:43:034255 電子發燒友網站提供《如何讓STC單片機接上電就可以開始工作.pdf》資料免費下載
2020-11-26 23:48:0010 最近網上比較火的一個偽科學視頻，說電動車跑不遠的話，顛倒下電池的位置就可以跑遠，有部分網上問是不是真的。本來覺得大家都知道就沒有回答，但問的多了，今天咱們就說說，稍微懂點原理動動腦筋思考一下
2021-01-13 11:00:265322 MOS管驅動電壓最大是多少？過驅動電壓Vod=Vgs-Vth。可bai以理解為：du超過驅動門限（Vth）的剩余電壓大小。1)只有在你的過驅動電壓“dao大于零”的情況下，溝道才會形成，MOS管才會
2021-11-07 13:21:0319 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，當VGS電壓達到MOSFET的開啟電壓時，MOSFET導通等同開關導通，有IDS通過，實現功率轉換。
2022-11-28 15:53:05666 繼上一篇MOSFET的開關特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
功率MOSFET在開通的過程中，當VGS的驅動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統的最大的電流，VGS和ID保持由跨導GFS所限制的傳輸特性曲線的關系，而VDS
2023-02-16 10:45:04908 
3.1 驅動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅動電壓達到18V～20V時才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產品手冊
2023-02-27 14:41:099 為什么可以認為Vgs電壓是不變的？ Vgs電壓，也就是場效應管（FET）的柵源電壓，在某些情況下可以被認為是恒定的。這是因為在FET工作的過程中，柵電極和源極之間沒有導電材料。這意味著，當FET
2023-09-20 17:05:451405 了解這些就可以搞懂 IGBT
2023-11-24 15:47:29296 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 
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