近期,2家臺灣企業正在加速推進其SiC模塊工廠的建設
2024-03-18 10:52:32346 利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:4668 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在過去的2023年,國產SiC功率器件產品迎來了全面爆發,眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品,尋求打進汽車供應鏈。而今年春節后的新一輪新能源汽車降價
2024-03-13 01:17:002634 出首批2款基于第二代碳化硅(SiC)MOSFET芯片技術的SMPD塑封半橋模塊產品,并順利通過了車規級可靠性認證(AQG324)。
2024-03-07 09:37:27151 在通用PWM發電機中,我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎?
2024-03-01 06:34:58
Qorvo SiC E1B模塊Qorvo SiC E1B模塊采用獨特的共源共柵電路,常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝,形成常關SiC FET。Qorvo SiC E1B具有類硅柵
2024-02-26 14:00:25
安全可靠的運行帶來影響。因此針對基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元,重點研究了其低感設計和散熱設計方法,并提出了功率單元的整體設計方案。通過優化疊層母排的結構,將高壓交流模塊與低壓直流模塊
2024-02-22 09:39:26436 SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網等領域[2-9] ,展示了新技術的優良特性。
2024-02-19 16:29:22206 安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性,在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片,產能充裕,供應穩定,性價比高。
2024-01-20 17:54:00917 近日,昕感科技在新能源領域取得重大突破,推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品(N2M120007PP0)。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ,電壓規格為1200V,將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果,設計了串聯、并聯與串并聯三種冷板流道結構, 從器件溫升、系統能效、散熱性能三個方面共計10項指標評估了冷板性能,基于ICEPAK仿真分析了液冷 系統
2024-01-04 09:45:33526 摘要: 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能,表現出巨大的應用前景,其中金屬-氧化物-場效應晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET 可應用于軌道交通和智能電網
2024-01-04 09:41:54599 電子發燒友網站提供《1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:28:290 SiC具有高效節能、穩定性好、工作頻率高、能量密度高等優勢,SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開關損耗、低導通損耗、快速開關速度等特點
2023-12-27 09:34:56473 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361219 瑤芯微此次參評的專注于“車規級低比導通電阻SiC MOSFET”,專家們一致贊賞該產品具有卓越的研究成果,堪稱行業翹楚。憑借諸多優點,經過嚴謹評鑒,評委會授予瑤芯微的SiC MOSFET技術極高評價,同時認定其擁有自主創新產權,展現了強勁的技術實力。
2023-12-25 10:56:54456 SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場效應晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開關速度和功率密度,廣泛應用于多種電路中。 首先,讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 可行的解決方案。 首先,讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結構。SIC(碳化硅)MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管。相較于傳統的硅MOSFET,SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導通電阻和更優秀的耐高溫性能,可以應用于高頻、高功率和高溫環境
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種新興的功率半導體器件,具有良好的電氣特性和高溫性能,因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優勢之一,這能讓系統效率顯著提升,但也會在寄生電感和電容上產生更大的振蕩,從而在驅動電壓上產生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45941 電子發燒友網站提供《NSF040L3A0:1200伏,40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:37:520 電子發燒友網站提供《NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:36:290 的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊,具有增強的保護功能,可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內部署短路保護功能,保護
2023-12-14 11:37:10288 SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數在數據手冊上標明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時間(SCWT:short circuit withstand time)限制在3us內。
2023-12-13 11:40:56890 SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:38185 SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17222 近日,芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構(廣電計量)全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:49323 有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關系,環境過熱會降低設備的電氣特性并導致過早失效,充分散熱、正確放置導熱墊以及確保充足的氣流對于 MOSFET 散熱至關重要。
2023-12-05 17:14:30332 SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:46211 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 ,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品,隨后安世半導體將持續擴大產品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
2023-12-04 15:26:12293 SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18756 Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級端穩壓LLC電源
2023-11-24 18:06:32445 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 SiC驅動器模塊具有較低的功耗、高溫運行能力和快速開關速度等優勢,使其在下一代功率器件中有著廣闊的應用前景。SiC驅動器模塊可以用于電動車的電力系統、可再生能源轉換系統、工業電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 意法半導體(STMicroelectronics)發布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊,采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封裝,適用于汽車應用。針對車載充電器 (OBC
2023-11-14 15:48:49356 點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET與傳統硅MOSFET和 IGBT相比具有顯著優勢。SiCMOSFET很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應
2023-11-09 10:10:02334 點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列,進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 在商業應用中利用寬帶隙碳化硅(SiC)的獨特電氣優勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰。憑借其先進的芯片粘接技術,Vincotech 處于領先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導體開關推出后,功率轉換產品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 經過了工程批工藝開發、工藝平臺逐步穩定、小批量交付客戶、器件參數穩定以及客戶模塊參數驗證和模塊產品可靠性驗證等一系列的驗證后,中科漢韻于今年開始批量交付車規級SiC MOSFET晶圓產品,良率達到70%以上。
2023-09-21 17:30:50315 碳化硅,或SiC,作為一種半導體材料,正在逐漸嶄露頭角,廣泛應用于電源電子領域。相較于其他可用技術,碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表現出顯著的性能提升,為眾多電子應用帶來了新的可能性。
2023-09-15 14:22:291252 ?
全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 在高功率應用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347 相對于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗,實現了高頻率工作,有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET,導通電阻較小,可減少相同導通電阻的芯片面積,并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:33566 本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806 單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制,采用節省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率,STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間,并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開關速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 14:46:53318 談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 據介紹,瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓(Vgs)為15-18V,可提升應用兼容性,簡化應用系統設計。在產品結構上,第二代SiC MOSFET與第一代產品同為平面柵MOSFET,但進一步優化了柵氧化層工藝和溝道設計,使器件比導通電阻降低約25%,并顯著降低開關損耗,提升系統效率。
2023-08-23 15:38:01703 率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現低損耗與應用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關、高溫工作等優勢。
2023-08-23 12:48:23368 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線,開發了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 對于SiC功率MOSFET技術,報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 首先,是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 在高壓開關電源應用中,相較傳統的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻(數百千赫茲)開關,但它們不能用于非常高的電壓(>
2023-08-03 11:09:57740 本文作者:安森美業務拓展工程師Didier Balocco 在高壓開關電源應用中,相較傳統的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現
2023-07-18 19:05:01462 點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構,主要有二種:平面結構和溝槽結構。平面SiCMOSFET的結構,如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結構的中間
2023-06-19 16:39:467 點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538 Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域,如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
三菱電機集團近日(2023年6月1日)宣布,其開發出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結構,并已將其應用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW,適用于鐵路、電力系統等大型
2023-06-09 11:20:09366 點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281 設計 OBC 系統。要注意的是,PFC 拓撲結構的變化非常顯著。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲,因為它有著卓越的開關性能和較小的反向恢復特性。眾所周知,使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優勢。
2023-06-08 15:40:02691 超結(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業化用于功率器件應用領域以來,在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件,我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應用空間。
2023-06-08 09:33:241389 當前量產主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區分的,平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074308 針對SiC MOSFET模塊應用過程中出現的串擾問題,文章首先對3種測量差分探頭的參數和測 量波形進行對比,有效減小測量誤差;然后詳細分析串擾引起模塊柵源極出現電壓正向抬升和負向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:211841 理由相信潮流正在轉變。正如TechInsights在不久前發布的PCIM Europe 2023 -產品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣,英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:58382 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性,在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關頻率高達幾百K赫茲,門極驅動的設計在應用中就變得格外關鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:07998 ,采用HEEV封裝創新設計,能最大限度的發揮SiC模塊的出色性能,滿足電動汽車市場不同需求。 ? ? ? 碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作為一種寬禁帶半導體器件,具有耐高溫、高壓,導通電阻低等優點,被公認為將推動新能源汽車領域產生重大技術變革。如何充分發揮碳化硅器件高壓
2023-05-31 16:49:15351 想象一個場景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉化為交流電送到電機的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關我開,你開我關
2023-05-30 11:35:071912 在高壓開關電源應用中,相較傳統的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優勢。
2023-05-26 09:52:33462 碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個應用的高效率電力輸送,比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網基礎設施。
2023-05-22 17:36:411063 MOSFET 共同封裝,以生產當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝,具有超低柵極電荷,而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢
2023-05-12 15:54:18
2023年5月8日,三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品,該半橋模塊額定電壓為3.3kV,絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路
2023-05-11 09:26:17833 由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同,SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩定性,在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移,導致其電性能測試以及高溫柵偏試驗后的電測試結果嚴重依賴于測試
2023-05-09 14:59:06853 SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14642 隨著電子技術的不斷發展,硅碳化物(SiC)功率模塊逐漸在各領域獲得了廣泛應用。SiC功率模塊具有優越的電性能、熱性能和機械性能,為高性能電子設備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術及其在實際應用中的優勢。
2023-04-23 14:33:22843 與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優異的電氣性能, 新特性給其結溫評估帶來了新挑 戰, 許多適用于 Si 器件的結溫評估方法可能不再適用于 SiC 器件。首先對 SiC 金屬氧化物半導體
2023-04-15 10:03:061452 本文是“SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極-源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 ESP32-C3-MINI-1和ESP32-C3-WROOM-02是等價的,前者是在封裝中集成flash,后者是在模組中集成flash。我注意到天線尺寸也不同,這可能會引發一個問題,我們對模塊的射頻性能有影響嗎?例如,一個模塊是否具有更長的 Wifi 范圍?
2023-04-12 07:52:11
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 摘要:碳化硅(SiC)由于其優異的電學及熱學特性而成為一種很有發展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領域中使用,高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應注意
2023-04-04 10:12:34663 SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復雜,單元一致性比平面結構差。
2023-04-01 09:37:171329 在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529 3月30日,曙光集團旗下曙光數據基礎設施創新技術(北京)股份有限公司(以下簡稱曙光數創),正式發布了“液冷集裝箱數據中心”產品,該產品具有靈活搭建配置、便于拆裝運輸等特點,可集成浸沒液冷、冷板液冷
2023-03-30 20:36:42950 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
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