SiC MOSFET 在開關(guān)狀態(tài)下工作。然而,了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的,這可能發(fā)生在驅(qū)動(dòng)器發(fā)生故障的情況下,或者出于某些目的,當(dāng)設(shè)計(jì)者編程時(shí)會(huì)發(fā)生這種情況。
2022-07-29 08:07:04489 在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此,SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型(晶體多晶型),并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件,4H-SiC被認(rèn)為是理想的,其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 `請(qǐng)問:圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西?芯片屏蔽罩嗎?為什么加這個(gè)東西?抗干擾或散熱嗎?這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
千瓦。更高的功率水平和簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的動(dòng)力將推動(dòng)SiC模塊的開發(fā)工作,但是不能過分夸大封裝,控制電路和周圍功率元件的寄生電感優(yōu)化的重要性。 圖6:SiC功率模塊開發(fā)活動(dòng)的狀態(tài)。藍(lán)色圓圈表示僅具有SiC器件
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
通過電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例 前言設(shè)計(jì)中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優(yōu)化評(píng)価編絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評(píng)估和檢查要點(diǎn) 所謂隔離型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評(píng)估和檢查要點(diǎn) 性能評(píng)估事例中所使用電源IC
2018-11-27 16:38:39
與硅相比,SiC有哪些優(yōu)勢(shì)?SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些?
2021-07-12 08:07:35
電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料,與Si相比,它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
電源設(shè)計(jì)說明:比較器件的不同效率 本教程演示了使用不同器件驅(qū)動(dòng)阻性負(fù)載的電源電路的幾種仿真。其目的是找出在給定相同電源電壓和負(fù)載阻抗的情況下哪種電子開關(guān)最有效。多年來的開關(guān)設(shè)備 多年來,電子開關(guān)已經(jīng)
2023-02-02 09:23:22
DS(開啟) .圖2顯示了器件飽和度的通用接線圖,用于進(jìn)行一些測(cè)量。它由以下元素組成:V1:主電源電壓200VV2:“柵極”驅(qū)動(dòng)電壓為 15 VJ1: JFET SJEP120R100AR1
2023-02-02 09:41:56
AM335X電阻式觸摸設(shè)計(jì)說明
2016-03-28 14:30:55
Arduino設(shè)計(jì)說明1.作品介紹1.1功能說明由手機(jī)軟件“點(diǎn)燈科技APP”對(duì)作品進(jìn)行主要控制,手機(jī)界面可顯示溫度濕度數(shù)值,設(shè)定臨界點(diǎn)溫度t=30攝氏度,當(dāng)溫度低于30攝氏度時(shí)綠燈亮起,風(fēng)扇反轉(zhuǎn)
2021-09-03 07:44:37
DN05081 / D,設(shè)計(jì)說明描述了一個(gè)簡(jiǎn)單的4.2瓦通用交流輸入,用于工業(yè)設(shè)備的非隔離降壓轉(zhuǎn)換器,或需要不與交流電源隔離的白色家電,簡(jiǎn)單,低成本,高效率和低待機(jī)功率至關(guān)重要。特色電源是一種簡(jiǎn)單
2020-05-20 16:04:32
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量,體積和生命周期成本成為可能。 Si,SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si,SiC
2022-08-12 09:42:07
DN05078 / D,設(shè)計(jì)說明描述了NCP1361BABAY,15瓦,通用交流輸入,隔離準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,適用于智能手機(jī),平板電腦充電器和智能插座電源等。特色電源為初級(jí)側(cè)恒流和次級(jí)恒壓采用TSOP6封裝的新型NCP1361電流模式控制器進(jìn)行調(diào)節(jié)
2019-06-18 10:50:10
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們!羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè),自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔,快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能;②準(zhǔn)備元器件,相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開展,按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施,④項(xiàng)目調(diào)試,優(yōu)化,比較,分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開展,實(shí)施,結(jié)果過程,展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
項(xiàng)目名稱:特種電源開發(fā)試用計(jì)劃:在I項(xiàng)目開發(fā)中,有一個(gè)關(guān)鍵電源,需要在有限空間,實(shí)現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對(duì)開關(guān)器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴(yán)格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高,計(jì)劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
項(xiàng)目名稱:風(fēng)電伺服驅(qū)動(dòng)控制器SiC器件試用試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn),目前正在從事風(fēng)電機(jī)組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動(dòng)器的開發(fā),是一個(gè)國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目,也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域
2020-04-24 18:03:59
基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源R.Nakagawa, Y.Fukuda,H.Takabayashi, T.Kobayashi, T.TanakaMitsubishi Electric
2017-05-10 11:32:57
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
引言:前段時(shí)間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展,針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率,但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
DN05059 / D,設(shè)計(jì)說明描述了降壓功率轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)單,低功率,恒定電壓輸出變化,用于為白色電表,電表和工業(yè)設(shè)備提供電子設(shè)備,不需要與交流電源隔離,并且最高效率至關(guān)重要。通過點(diǎn)擊與電感器的續(xù)流
2020-03-20 09:41:07
-SBD和SiC-MOSFET,穿插與Si元器件的比較對(duì)其特性和使用方法的不同等進(jìn)行解說,并介紹幾個(gè)采用事例。全SiC模塊是作為電源段被優(yōu)化的模塊,具有很多優(yōu)點(diǎn)。將在其特征的基礎(chǔ)上,對(duì)其在實(shí)際應(yīng)用中的具體活用要點(diǎn)進(jìn)行解說
2018-11-29 14:39:47
其性能的控制元器件的開發(fā)。最大限度地發(fā)揮SiC-MOSFET的性能,需要優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器最大限度地發(fā)揮SiC-MOSFET的性能,需要優(yōu)化SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)、即柵極驅(qū)動(dòng)器。ROHM為了實(shí)現(xiàn)誰都
2018-12-04 10:11:25
如何在原理圖編輯中制作設(shè)計(jì)說明圖紙
2014-07-02 22:17:29
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)?
2021-02-22 07:16:36
DN47- 開關(guān)穩(wěn)壓器通過單個(gè)電感器產(chǎn)生正電源和負(fù)電源 - 設(shè)計(jì)說明47
2019-05-16 06:06:33
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的,“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
新手求大神一程序并設(shè)計(jì)說明書謝謝各位好人了
2013-04-27 18:41:59
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
急求前輩指點(diǎn)!硬件設(shè)計(jì)說明中的可靠性設(shè)計(jì)一般包含哪些?現(xiàn)在需要整理項(xiàng)目的一些文檔,關(guān)于可靠性設(shè)計(jì)要提供哪些文檔一頭霧水,求前輩指點(diǎn)一下!不勝感激!
2016-04-22 11:11:09
在同等規(guī)格和條件下的比較,因此請(qǐng)當(dāng)做用來理解上述VGS之不同的資料使用。設(shè)計(jì)中所使用的電源IC:SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC:BD7682FJ-LB通過前面的說明,相信您已經(jīng)
2018-11-27 16:54:24
急求幫助 硬件設(shè)計(jì)說明中的可靠性設(shè)計(jì)包含哪些?現(xiàn)在需要整理項(xiàng)目的一些文檔,關(guān)于可靠性設(shè)計(jì)要提供哪些文檔一頭霧水,求前輩指點(diǎn)一下!不勝感激!
2020-04-08 03:04:58
直線步進(jìn)電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)說明:介紹了直線步進(jìn)電機(jī)的優(yōu)點(diǎn)和組成。
2009-04-02 12:09:2735 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性, 介紹了SiC 單晶材料的生長(zhǎng)技術(shù)及器件工藝技術(shù), 簡(jiǎn)要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢(shì)
2011-11-01 17:23:2081 ESP8266__Sniffer_Introduction,Sniffer(嗅探器,是一種基于被動(dòng)偵聽原理的網(wǎng)絡(luò)分析方式) 應(yīng)用設(shè)計(jì)說明
2015-12-30 14:39:40136 描述:基于Arduino、L293D電機(jī)驅(qū)動(dòng)板/馬達(dá)板電路詳細(xì)設(shè)計(jì)說明(包括BOM清單)。
2015-12-31 09:19:080 微機(jī)原理,8086匯編,汽車動(dòng)畫程序設(shè)計(jì)說明。
2016-04-28 09:52:074 畢業(yè)設(shè)計(jì)說明書的基本格式模板,基本格式編排留空。
2016-04-29 10:52:5213 一級(jí)齒輪減速器的設(shè)計(jì)說明書。
2016-05-18 11:18:5914 多路電源的設(shè)計(jì)說明,注意事項(xiàng),如何著手設(shè)計(jì)等等
2016-05-18 14:26:2911 F7-1DTR_V1.1數(shù)據(jù)光端機(jī)PCB設(shè)計(jì)說明
2016-12-26 21:55:500 經(jīng)研究者的努力,以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射,具有較高的擊穿電壓和工作頻率,適于在惡劣條件下工作。與傳統(tǒng)Si功率器件相比,SiC功率器件可大
2018-01-21 09:43:198806 完整的開發(fā)文檔數(shù)據(jù)庫(kù)設(shè)計(jì)說明書
2018-02-26 11:54:4439 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 LLC諧振拓?fù)湓斫榻B和使用Gen2 SiC功率MOSFET的全橋LLC ZVS諧振變換器設(shè)計(jì)資料說明
2018-12-13 13:53:0042 視頻簡(jiǎn)介:賽靈思器件演示視頻之針對(duì) Xilinx 器件的優(yōu)化電源傳輸方案。
2019-03-04 06:13:003167 隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813797 隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是開關(guān)電源中的功率級(jí)拓?fù)浜头治?b class="flag-6" style="color: red">設(shè)計(jì)說明包括了:第一單元 DC-DC功率變換技術(shù)概論,第二單元 基本DC-DC變換器 ,第三單元 隔離Buck變換器,第四單元 隔離Buck
2020-08-11 08:00:006 作者:英飛凌科技資深高級(jí)工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時(shí)的現(xiàn)實(shí)考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對(duì)于某些
2021-03-25 17:26:082117 機(jī)械設(shè)計(jì)減速器設(shè)計(jì)說明書免費(fèi)下載
2020-12-08 17:37:1949 數(shù)字系統(tǒng)的RTL設(shè)計(jì)說明。
2021-03-22 11:34:056 集成電路版圖設(shè)計(jì)說明。
2021-03-22 14:00:080 數(shù)字IC芯片設(shè)計(jì)說明。
2021-04-10 11:13:3940 6小時(shí)精通反激電源及變壓器設(shè)計(jì)說明。
2021-04-16 11:23:3027 DN47-開關(guān)穩(wěn)壓器使用單個(gè)電感生成正負(fù)電源-設(shè)計(jì)說明47
2021-04-20 09:30:0612 點(diǎn)陣廣告屏的設(shè)計(jì)說明
2021-05-11 09:19:084 不間斷電源參考設(shè)計(jì)說明。
2021-05-20 10:14:0153 EDA工具CADENCE原理圖與PCB設(shè)計(jì)說明
2021-07-15 09:38:1250 HVAC 風(fēng)機(jī)三相 ECM 電機(jī)控制器(原理圖+PCB+設(shè)計(jì)說明+BOM)(西門子s7200外接電源)-HVAC 風(fēng)機(jī)三相 ECM 電機(jī)控制器(原理圖+PCB+設(shè)計(jì)說明+BOM)HVAC 風(fēng)機(jī)三相 ECM 電機(jī)控制器(原理圖+PCB+設(shè)計(jì)說明+BOM)
2021-07-26 10:54:4266 直流充電樁電源模塊磁性器件優(yōu)化(軍用通信電源技術(shù)有哪些)-直流充電樁電源模塊磁性器件優(yōu)化,很好的論文!
2021-09-27 12:42:2132 微電子電路設(shè)計(jì)說明免費(fèi)下載。
2022-02-23 09:43:450 第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強(qiáng)大,導(dǎo)通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V,是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分
2022-07-29 09:14:20465 鎵 (GaN) 等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計(jì)。架構(gòu)的演進(jìn)滿足了新的效率水平和時(shí)序性能的穩(wěn)定性,從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導(dǎo)體的基于 SiC 技術(shù)的功率器件為參考點(diǎn)。
2022-08-10 15:22:11813 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《筆記本電腦風(fēng)扇控制器設(shè)計(jì)說明.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 15:34:392 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《擴(kuò)展共模范圍RS485的設(shè)計(jì)說明.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 09:45:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AML166 Core開發(fā)套件硬件設(shè)計(jì)說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-10-17 10:11:150 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征,并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:23666 碳化硅(SiC)被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 NCS2211 音頻設(shè)計(jì)說明
2022-11-14 21:08:050 NCD(V)57000/57001柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)說明
2022-11-14 21:08:403 一、什么是SiC半導(dǎo)體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144 一、設(shè)計(jì)說明 閱讀設(shè)計(jì)說明時(shí),要注意并掌握工程規(guī)模概況、總體要求、采用的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)圖冊(cè)及圖號(hào)、負(fù)荷級(jí)別、供電要求、電壓等級(jí)、系統(tǒng)保護(hù)方式,某些具體部位或特殊環(huán)境(爆炸及火災(zāi)危險(xiǎn)、高溫、潮濕
2023-09-18 09:51:19533 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于Android系統(tǒng)的連連看詳細(xì)設(shè)計(jì)說明書.doc》資料免費(fèi)下載
2023-10-30 10:12:440 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《微帶濾波器設(shè)計(jì)說明(ADS).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-18 14:53:090 SiC 器件如何顛覆不間斷電源設(shè)計(jì)?
2023-11-23 16:17:41168 了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49357 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開關(guān)模式電源建模和環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 11:15:211 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開關(guān)模式電源的建模和環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 11:51:051 SiC MOSFET器件存在可靠性問題,成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。
2023-12-12 09:33:27344
評(píng)論
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