碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

碳化硅（SiC）因其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性材料特性而廣泛用于中高壓功率半導(dǎo)體器件制造。如今，肖特基二極管、MOSFET 和 JFET 是市場(chǎng)上最受歡迎的 SiC 功率器件。尤其是SiC 肖特基二極管已成功用于電源應(yīng)用近 20 年。最早的 SiC 肖特基二極管采用純肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）結(jié)構(gòu)。后來(lái)，這演變成一種稱(chēng)為結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）的結(jié)構(gòu)，具有低反向漏電流。最新的結(jié)構(gòu)稱(chēng)為合并 PN 肖特基（MPS），顯示出大幅提高的浪涌電流處理能力。

威能半導(dǎo)體于2014年發(fā)布了基于100mm SiC晶圓的650V SiC MPS二極管，2017年發(fā)布了基于150mm高質(zhì)量SiC晶圓的650V SiC MPS二極管。今年早些時(shí)候，基于成熟的150mm晶圓技術(shù)，威能推出了1200V SiC MPS二極管和AEC -Q101 符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的 650V SiC MPS 二極管。

威能擁有50多年的歷史傳承，在功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)方面有著豐富的經(jīng)驗(yàn)。設(shè)計(jì)過(guò)程包括根據(jù)客戶(hù)需求設(shè)定設(shè)計(jì)目標(biāo)、使用 EDA 工具進(jìn)行設(shè)備和工藝模擬、掩模設(shè)計(jì)和工藝設(shè)計(jì)、代工廠制造、組裝和可靠性測(cè)試。經(jīng)過(guò)多輪試用、優(yōu)化、壽命測(cè)試和應(yīng)用測(cè)試，經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)的合格產(chǎn)品發(fā)布。

With carefully designed P+島和獨(dú)特的歐姆接觸工藝，實(shí)現(xiàn)了對(duì)有效肖特基面積沒(méi)有顯著影響的高效浪涌電流傳導(dǎo)路徑。這使 WeEn SiC MPS 二極管具有出色的浪涌電流處理能力，而不會(huì)損失標(biāo)稱(chēng)電流傳導(dǎo)能力。

圖 1：WeEn SiC MPS 二極管的橫截面示意圖和電流分布

適用于生產(chǎn)功率器件的 SiC 晶片由兩層組成：厚襯底層和生長(zhǎng)在其上的薄外延層。厚基板為大型 SiC 晶片提供了在半導(dǎo)體加工、處理和運(yùn)輸過(guò)程中所需的機(jī)械穩(wěn)定性。然而，基板的電功能是最小的。阻擋高反向電壓的二極管功能被外延層覆蓋，只有在正向操作時(shí)，襯底才起到電流傳導(dǎo)路徑的作用。不幸的是，該電流傳導(dǎo)路徑起到串聯(lián)電阻的作用。市售的 SiC 襯底不提供高摻雜濃度，因此串聯(lián)電阻非常明顯，特別是對(duì)于 650V SiC 器件。這會(huì)導(dǎo)致不希望的功率損失。

圖2：威能NXPSC04650 4A、650V MPS二極管與其他公司JBS二極管的正向IV特性對(duì)比@25℃

碳化硅是一種非常堅(jiān)硬的材料，它對(duì)磨削等機(jī)械處理提出了多項(xiàng)挑戰(zhàn)：裂紋預(yù)防、表面粗糙度和厚度均勻性——僅舉幾例。盡管如此，領(lǐng)先的制造工藝和卓越的質(zhì)量控制使維恩能夠提供與市場(chǎng)上標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品相比基板厚度僅為基板厚度 1/3 的 SiC 產(chǎn)品。薄芯片為 WeEn SiC 二極管提供了更好的電流傳導(dǎo)能力和更低的熱阻。

嚴(yán)格的生產(chǎn)管理和質(zhì)量控制是保證產(chǎn)品性能穩(wěn)定的基本要素。為了向客戶(hù)提供最可靠的SiC二極管產(chǎn)品，維恩建立了完善的質(zhì)量和可靠性控制系統(tǒng)和程序。所有 SiC 產(chǎn)品都必須經(jīng)過(guò) 100% 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試、100% 浪涌電流處理測(cè)試（I FSM ）和 100% 雪崩能力測(cè)試（UIS）。產(chǎn)品符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)或更嚴(yán)格的可靠性測(cè)試要求；例如，HTRB 測(cè)試周期從 1000 小時(shí)延長(zhǎng)至 3000 小時(shí)。

由于其優(yōu)異的材料特性，碳化硅肖特基二極管的性能遠(yuǎn)優(yōu)于硅 PN 結(jié)二極管。結(jié)合先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)能力和成熟的制造工藝，優(yōu)質(zhì)的碳化硅肖特基二極管現(xiàn)在由威能制造?！　?/p>

? ? ? 審核編輯：彭靜

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晶圓(126258) 晶圓(126258)
肖特基二極管(34330) 肖特基二極管(34330)
碳化硅(47292) 碳化硅(47292)

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2023-07-27 09:30:31

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1200V型,15A型,到220-2型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障

2023-07-27 09:14:59

C4D15120D是一款二極管

1200V型,15A型,至247-3型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障

2023-07-27 09:11:43

C4D15120H是一款二極管

1200V型,15A型,至247-2型包,第4代離散的SCHHOSTKY二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)

2023-07-27 09:09:11

C4D10120A是一款二極管

1200V型,10A型,到220-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格

2023-07-26 17:49:42

C4D10120D是一款二極管

1200V型,10A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障

2023-07-26 17:46:42

C4D10120E是一款二極管

1200V型,10A型,到252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格

2023-07-26 17:43:35

C4D10120H是一款二極管

1200V型,10A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格

2023-07-26 17:41:29

C4D08120A是一款二極管

1200V,8A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格

2023-07-26 17:30:11

C4D08120E是一款二極管

1200V,8A,到252-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格

2023-07-26 17:27:50

C4D05120A是一款二極管

1200V,5A,到220-2包件,第4代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格,

2023-07-26 17:25:50

C4D05120E是一款二極管

1200V型,5A型,至252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格.

2023-07-26 17:23:39

C4D02120A是一款二極管

1200V,2A-220-2包件,第4代離散S肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將

2023-07-26 17:19:54

C4D02120E是一款二極管

1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將

2023-07-26 17:17:31

E4D02120E是一款二極管

2023-07-26 17:15:10

C6D04065A是一款二極管

650 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 6 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管技術(shù)針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括服務(wù)器

2023-07-25 11:25:07

C3D20060D是一款二極管

600 V、20 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:50:38

C3D16060D是一款二極管

600 V、16 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:46:45

C3D10060A是一款二極管

600 V、10 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:39:12

C3D10060G是一款二極管

600 V、10 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:29:01

C3D08060A是一款二極管

600 V、8 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:24:29

C3D08060G是一款二極管

600 V、8 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:21:52

C3D06060A是一款二極管

600 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:17:04

C3D06060F是一款二極管

600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:14:55

C3D06060G是一款二極管

600 V、6 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:12:16

C3D04060A是一款二極管

600 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:09:36

C3D04060F是一款二極管

600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 10:07:08

C3D04060E是一款二極管

600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 09:51:09

C3D03060A是一款二極管

600 V、3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 09:21:52

C3D03060F是一款二極管

600 V、3 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-25 09:18:50

C3D03060E是一款二極管

600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-24 17:45:09

C3D02060A是一款二極管

600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-24 17:42:41

C3D02060F是一款二極管

600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-24 17:37:00

C3D02060E是一款二極管

600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-24 17:32:22

CSD01060A是一款二極管

600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基

2023-07-24 17:29:42

CSD01060E是一款二極管

600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比

2023-07-24 17:23:06

AMEYA360：八英寸碳化硅成中外廠商必爭(zhēng)之地！#碳化硅

碳化硅

jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo) 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過(guò)電壓安全裕量，可提升全負(fù)載條件下

2023-07-05 16:00:20

MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)MSM06065G1 品牌：美浦森封裝：DFN5*6

2023-07-05 15:54:11

MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo) MSM06065G1 品牌：美浦森封裝：DFN5

2023-07-05 15:50:06

肖特基二極管介紹

二極管

YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 22:45:55

GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)瞬變

SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能

2023-06-16 11:42:39

具有溫度不變勢(shì)壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車(chē)。溫度理想因子

2023-06-16 06:15:24

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘，使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。

2023-06-07 17:10:34

801

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導(dǎo)體器件，具有低開(kāi)啟電壓、高速開(kāi)關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動(dòng)、逆變器、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。

2023-06-04 16:09:00

2089

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)等。

2023-06-02 14:10:32

747

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位

2023-05-31 09:43:20

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瀚薪科技完成B輪融資，已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬(wàn)顆

根據(jù)公司披露：上海瀚薪具備多年的車(chē)規(guī)級(jí)SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場(chǎng)龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍

2023-05-25 10:34:27

903

碳化硅肖特基二極管的基本原理

在典型的二極管中，p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而，肖特基二極管是不同的：使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后，你有一個(gè)被稱(chēng)為肖特基勢(shì)壘的m-s結(jié)，而不是p-n結(jié)（這是這些二極管得名的地方）。

2023-05-24 11:19:54

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麗智芯片肖特基二極管-阻容1號(hào)

本帖最后由 jf_31420921 于 2023-5-23 14:51 編輯 肖特基二極管（Schottky Diode）是一種電子器件，因其具有低電壓降和快速開(kāi)關(guān)速度而廣泛應(yīng)用于電源電路

2023-05-23 14:47:57

使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)

了解電源中碳化硅 （SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線(xiàn)行為是設(shè)計(jì)過(guò)程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比，作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，可視化這些碳化硅組件的性能可以幫助設(shè)計(jì)人員更輕松地利用這項(xiàng)技術(shù)。

2023-05-20 17:02:26

1014

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅的RDS（ON）較低，因而開(kāi)關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。

2023-05-18 12:46:40

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