四川美闊電子科技有限公司位于四川省遂寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū), 技術(shù)團(tuán)隊(duì)來自于臺(tái)灣, 公司為臺(tái)灣美祿科技股份有限公司分公司,隸屬于臺(tái)灣光罩。是一家從事功率半導(dǎo)體器件與集成電路設(shè)計(jì)與銷售的企業(yè)。公司專注于功率MOS晶體管(Power MOSFET)、突波抑制器(TVS)、蕭特基二極管(Schottky Diode)、IGBT與LED恒流驅(qū)動(dòng)電路等產(chǎn)品。上述產(chǎn)品主要應(yīng)用于白色家電、通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備與信息終端等領(lǐng)域。
四川美闊電子科技有限公司
四川美闊電子科技有限公司的優(yōu)勢(shì)在于團(tuán)隊(duì)具有二十年以上客制化器件開發(fā)與量產(chǎn)實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn); 同時(shí)與集成電路設(shè)計(jì)、晶圓、封裝與測(cè)試等產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈, 具有長期合作且具競(jìng)爭(zhēng)力的伙伴關(guān)系。本公司將由依托合作之晶圓廠所生產(chǎn)的功率器件出發(fā),逐步拓展到可運(yùn)用在家用電器、工業(yè)電子、汽車電子的功率器件之設(shè)計(jì)公司。目標(biāo)是成為國內(nèi)領(lǐng)先、國際知名的功率器件產(chǎn)品與服務(wù)供應(yīng)商。
核心競(jìng)爭(zhēng)力:
一. 與IC設(shè)計(jì)、晶圓、封裝與測(cè)試等供應(yīng)鏈,具有長期合作且穩(wěn)定的伙伴關(guān)系。
二. 具完整半導(dǎo)體整合型服務(wù)團(tuán)隊(duì),含組件設(shè)計(jì)、光罩工程、封裝測(cè)試、與產(chǎn)品工程等 。
三. 具實(shí)績(jī)的分立式器件工藝技術(shù)開發(fā)與量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。
四. 具有服務(wù)超過 300 家IC設(shè)計(jì)公司晶圓代工的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn) 。
五. 具有超過 25 年代理十家以上晶圓代工廠(6/8/12”) 業(yè)務(wù)推廣經(jīng)驗(yàn),熟悉各廠設(shè)計(jì)準(zhǔn)則、 光罩工程、生管等流程及系統(tǒng)。
競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì):
集少成多 (Pool Effect)
協(xié)助中,小型設(shè)計(jì)公司取得晶圓廠、封測(cè)廠的資源 及良率工程服務(wù)。
協(xié)助晶圓代工廠開發(fā)客戶及收集客戶需求。
加值服務(wù) (Value Added)
節(jié)省設(shè)計(jì)公司Design rule比對(duì)、光罩工程、產(chǎn)品工程和生管人力。
節(jié)省晶圓代工廠業(yè)務(wù)人力。
整合型服務(wù)(Turn-key Service)
臺(tái)灣光罩集團(tuán)與 IC 產(chǎn)業(yè)有深厚的鏈結(jié),可居中提供各式服務(wù)。
本次合作,四川美闊帶來了三類產(chǎn)品,分別是GaN/氮化鎵、光耦、MOS管,GaN是一種III-V直接帶隙半導(dǎo)體,既有寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度以及高抗輻射能力,適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。電力電子應(yīng)用:消費(fèi)電子、新能源汽車、智能電網(wǎng)、高速軌道交通等,光電子應(yīng)用:紫外光LED、激光器、光電探測(cè)器等、射頻應(yīng)用:5G通信、雷達(dá)預(yù)警、衛(wèi)星通訊等。
光耦合器屬光電器件中之一環(huán),系一發(fā)光及受光組件的組合體,藉由光的傳輸達(dá)到導(dǎo)通的要求,為一理想的絕緣體,因此在許多電子電器產(chǎn)品上,皆采用此器件作為【高壓隔離】用途。發(fā)光器件通常為發(fā)光二極管,受光器件通常在低階產(chǎn)品為光二級(jí)管/光三級(jí)管/光晶閘管,高階產(chǎn)品為光耦合集成電路。
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。MOS管的source(源極)和drain(漏極)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
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審核編輯 黃昊宇
評(píng)論
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