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電子發燒友網>今日頭條>基于選擇性紫外光刻的光纖微圖案化

基于選擇性紫外光刻的光纖微圖案化

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2023-06-16 10:10:001088

半導體前端工藝:刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創建所需圖形

在半導體制程工藝中,有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝,如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉,“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料,從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備,在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177

遠程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優良的靜電完整性,三維(3D)設計(如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET ))預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻,但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性,需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779

上海和晟 HS-1008 QUV紫外耐氣候試驗箱

一、產品名稱 紫外光加速老化試驗機/紫外光耐氣候試驗箱/紫外老化試驗箱 二、產品概述 該系列產品適用于非金屬材料的耐陽光和人工光源的老化試驗;包括3類:UV-A波長為
2023-06-09 17:13:36

半導體制備的主要方法

光刻法是微電子工藝中的核心技術之一,常用于形成半導體設備上的微小圖案。過程開始于在硅片上涂布光刻膠,隨后對其進行預熱。接著,選擇一種光源(如深紫外光或X光)透過預先設計好的掩模圖案照射在硅片
2023-06-09 11:36:522037

利用選擇性改善接收機的截止點

。本文分別介紹了二階和三階交調情況下傳統接收機截止點級聯方程的改進形式。二階截止點(IP2)和三階截止點(IP3)級聯方程的數學推導過程引入了給接收級之間增加選擇性(S)帶來的影響,以改善IIP2與IIP3。
2023-06-08 17:06:15687

紫外光刻隨機效應的表現及產生原因

  極紫外光刻的制約因素   耗電量高極紫外線波長更短,但易被吸收,可利用率極低,需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機,250W的功率,每天耗電達到三萬度。   生產效率仍不
2023-06-08 15:56:42283

昊衡科技:OLI-國產高性能光纖微裂紋檢測儀

OLI是昊衡科技推出的一款低成本光學鏈路診斷系統,基于白光干涉原理,通過相干檢測技術,精確測量整個鏈路的回波損耗分布,進而判斷鏈路的性能。圖1OLI低成本光學鏈路診斷儀保偏光纖有兩個主要的傳輸
2023-06-07 10:13:36338

一文看懂EUV光刻

紫外 (EUV) 光刻系統是當今使用的最先進的光刻系統。本文將介紹這項重要但復雜的技術。
2023-06-06 11:23:54688

可燃氣體報警器價格一覽:如何選擇性價比最高的產品?

可燃氣體報警器價格一覽:如何選擇性價比最高的產品?
2023-06-05 16:27:25644

芯片里面百萬億的晶體管是怎么裝進去的?

光刻 (用紫外線透過蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣. 于是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案. 注意, 此時還沒有加入雜質, 依然是一個硅晶圓. )
2023-06-02 14:48:301085

無需FMM,京東方研發出光刻AMQLED

BOE(京東方)開發的量子點直接光刻(DP-QLED)工藝,僅需要涂膜、曝光、顯影三步即實現了一種量子點的圖案化;相對于其它光刻圖案化工藝,步驟減少,無需引入附加結構,可有效提升效率、成本可大幅降低。
2023-06-01 17:44:041286

EUV光源四種產生方式及對比分析

隨著光刻技術的進步,光刻光源的曝光波長已經減小很多。早期投影式光刻技術的曝光波長為436nm、365nm (分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線),所制造的集成電路特征尺寸為600nm或更大。
2023-06-01 10:19:001318

載體晶圓對蝕刻速率、選擇性、形貌的影響

等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟,然而,載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵(GaN)設備,通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中,英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452

紫外光譜儀的操作

紫外-可見分光光度法(ultraviolet and visible spectrophotometry,UV-vis)是基于物質分子對紫外-可見區輻射的吸收特性建立起來的一種定性、定量和結構分析的方法。這種分子光譜主要產生于分子的外層價電子在電子能級間的躍遷。
2023-05-25 09:06:201159

光纖收發器單模和雙模的選擇和怎么接線

  綜上所述,如果需要進行長距離、高速率、高質量的數據傳輸,應該選擇單模光纖收發器;如果需要進行短距離、低速率、一般質量的數據傳輸,可以選擇雙模光纖收發器。在選擇光纖收發器時,還需要考慮實際應用場景、設備兼容性、成本等因素,以選擇合適的光纖收發器。
2023-05-17 15:06:172982

光纖收發器的選擇事項和常見問題

  在以太網光纖收發器設計中,元器件的選擇舉足輕重,它決定了產品的性能、壽命和成本。光電介質轉換芯片(OEMC)是整個收發器的核心。選擇介質轉換芯片是以太網光纖收發器設計的第一步,也是非常重要的一步。它的選擇直接影響和決定了其它元器件的選擇
2023-05-16 18:12:08493

受四色視覺啟發的超弱紫外光探測神經形態視覺傳感器

針對以上問題,天津大學紀德洋教授團隊,聯合南京郵電大學凌海峰教授團隊和長春應用化學研究所的田洪坤研究員團隊,以有機光電晶體管(OPTs)為基本工作單元(圖1b和1c),受昆蟲眼睛四色視覺系統的啟發,利用OPTs超靈敏的紫外光響應特性及存儲性能
2023-05-05 09:45:49414

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會在第一個轉移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應該減小。
2023-04-27 16:25:00689

光刻技術簡述

光刻技術是將掩模中的幾何形狀的圖案轉移到覆蓋在半導體晶片表面的薄層輻射敏感材料(稱為抗蝕劑)上的過程
2023-04-25 09:55:131057

計算光刻技術有多重要?計算光刻如何改變2nm芯片制造?

光刻是在晶圓上創建圖案的過程,是芯片制造過程的起始階段,包括兩個階段——光掩膜制造和圖案投影。
2023-04-25 09:22:16696

虹科技術|半導體制造工藝中的UV-LED光源

半導體行業借助紫外光譜范圍(i 線:365 nm、h線:405 nm和g線:436 nm)中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創建復雜的微觀結構
2023-04-24 11:23:281480

光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

從制造端來聊聊——芯片是如何誕生的

光刻膠層透過掩模被曝光在紫外線之下,變得可溶,掩模上印著預先設計好得電路圖案,紫外線透過它照在光刻膠層上,就會形成每一層電路圖形。這個原理和老式膠片曝光類似。
2023-04-20 11:50:141523

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發,必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰,imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164

實力不允許低調,瑞豐恒高功率紫外激光器在白色陶瓷表面打黑

RS232串口與計算機通信,在外部精確控制激光器參數。瑞豐恒Expert III 355系列紫外激光器擁有小巧體積,一體設計,方便設備集成,而且無需做大光路,進一步節省成本。在瑞豐恒,全程無塵的生產
2023-04-04 16:40:21

西安光機所在表面功能化光纖傳感器的研究

近日,西安光機所在表面功能化光纖傳感器研究方面取得重要進展。研究團隊基于通信單模光纖開發出一種免標記、高靈敏度、高選擇性的法布里-泊羅(Fabry-Perot)型干涉探針
2023-04-04 10:11:07631

高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

氧化鎵(Ga2O3)是一種新興寬禁帶半導體(禁帶寬度為4.9 eV),具有熱穩定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數大、材料易加工等優點,是日盲紫外探測理想的半導體材料?;贕a2O3的日盲紫外光電探測器已有很多的報道。
2023-03-28 11:48:012795

新品推薦—無掩膜版紫外***

直寫設備具備高靈活性,且可以實現較高精度,但由于是逐行掃描,曝光效率較低。近些年,基于空間光調制器(DMD/DLP)的技術在紫外曝光方面獲得了長足的進展。 閃光科技為您推出TTT-07-UV Litho-ACA無掩模板紫外光刻機就采用空間光調
2023-03-28 08:55:41692

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