納微半導體，作為功率半導體領域的佼佼者，以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術的引領者，近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展。屆時，納微半導體將設立一個獨特而富有未來感的“納微芯球”展臺，充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術，引領觀眾領略全電氣化的未來世界。
2024-03-16 09:40:58
287 臺積電的 Suk Lee 發表了題為“摩爾定律和半導體行業的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導體行業傳奇而動蕩的歷史中發掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMTQorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-26 22:58:56
加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:04306 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發展方向等方面的內容。 氮化鎵半導體的性質 氮化鎵（GaN）是一種
2024-01-10 09:27:32397 近日，Nexperia（安世半導體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領域的杰出表現，榮獲兩項權威大獎：“SiC年度優秀產品獎”和“中國GaN功率器件十強”。這一榮譽充分展示了安世半導體作為基礎半導體全球領導者的強大實力，以及其在三代半領域的深厚積累。
2024-01-03 15:46:13403 氮化鎵半導體芯片（GaN芯片）和傳統的硅半導體芯片在組成材料、性能特點、應用領域等方面存在著明顯的區別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半導體芯片和傳統的硅半導體芯片的組成
2023-12-27 14:58:24424 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統、衛星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛星通信
2023-12-15 17:43:45
2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。
2023-12-15 16:44:11462 根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
據晶湛半導體消息，晶湛半導體業界公認的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術開拓者程凱博士將于2012年3月回國創業。國際先進的氮化鎵外延材料開發和產業化基地
2023-12-11 14:32:04227 近日，第三代半導體氮化鎵外延領軍企業晶湛半導體宣布完成C+輪數億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數億元融資以來的又一融資進展。
2023-12-09 10:49:07599 近日，武漢芯源半導體正式發布首款基于Cortex?-M0+內核的CW32A030C8T7車規級MCU，這是武漢芯源半導體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規標準的主流通用型車規MCU產品
2023-11-30 15:47:01
，氮化鎵芯片具有許多優點和優勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優缺點，以及與硅芯片的區別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導體
2023-11-21 16:15:302310 氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。 氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:10217 
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
英集芯IP6829支持 PD 輸入全集成 5W/7.5W/10W/15W 無線充電發射 SOC英集芯IP6829是一款具備先進功能的無線充電發射端控制SoC芯片。它不僅兼容WPC Qi v1.3
2023-11-01 20:38:36
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 隨著科技的不斷進步，電力電子領域正在發生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導體氮化鎵（GaN）技術成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
86面板墻插是我國普通家庭用電最常見的一種電力接口，當第三代半導體氮化鎵功率器件遇上86面板墻插，會帶來怎樣的新驚喜呢？
2023-09-25 10:34:20667 
氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:45859 材料領域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:271932 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且機械性能非常穩定的寬禁帶半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的熱導率和更低的導通電阻，GaN基功率器件明顯優于硅基器件。
GaN晶體可以在各種
2023-09-08 15:11:18535 
意法半導體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經驗…? 適用于汽車的高生產率
2023-09-08 06:33:00
意法半導體的廣泛數字電源產品組合可滿足數字電源設計的要求。我們的產品包括MCU（專為數字功率轉換應用而設計，采用全數字控制方法）和數字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲器）。意法半導體
2023-09-07 06:49:47
機、氟弧焊機、脈沖焊機等，本文將介紹武漢芯源半導體CW32F030系列單片機在電弧焊機中的應用。
CW32F030系列MCU在電焊機的應用框圖
方案特色：
●可實現對電焊機的自動化控制，可以通過輸入
2023-09-06 09:14:04
的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統效率。基于氮化鎵的最新產品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。意法半導體的數字電源解決方案可以使用專用的評估板、參考設計、技術文檔和eDesignSuite軟件配置器和設計工具來實現
2023-09-06 07:44:16
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料
?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
氮化鎵半導體激光器具有體積小、壽命長、效率高等優點，波長范圍覆蓋可見光和紫外波段，應用場景包括激光顯示、工業加工、激光照明、激光通訊、激光醫療等眾多領域，近年來總體市場需求呈現較高的復合增長趨勢。由于氮化鎵激光技術壁壘較高，長期被國外少數企業壟斷，我國企業需求全部依賴進口。
2023-08-31 10:41:13563 英集芯IP2326，15W同步開關升壓充電管理芯片英集芯IP2326是一款高性能的鋰電池充電管理芯片，適用于15W同步開關升壓充電方案。該芯片支持2 節或3節串聯鋰電池/鋰離子電池，集成功率MOS
2023-08-30 21:24:57
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
PMIC換成英集芯IP6103，buildroot環境下需要做哪寫修改？
2023-08-18 07:49:24
XP3358是一款數字高性能單級高PF(PF>0.9)恒壓(V)控制芯片適用于反(Fyback)或升降壓(buck-boost)電源拓撲。芯格諾專利的數字控制算法使得XP3358具備
2023-08-11 16:32:14
昂科燒錄器支持Analog
Devices亞德諾半導體的超低功耗、獨立式電量計IC MAX17201X
芯片燒錄行業領導者-昂科技術近日發布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中昂科發布
2023-08-10 11:54:39
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
早前，納微半導體率先憑借氮化鎵功率芯片產品，踩準氮化鎵在充電器和電源適配器應用爆發的節奏，成為氮化鎵領域的頭部企業。同時，納微也不斷開發氮化鎵和碳化硅產品線，拓展新興應用市場。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:191553 
三星啟動氮化鎵功率半導體代工 三星電子近期業績壓力很大，市場疲軟、存儲芯片價格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤暴跌，根據三星電子公布的2023年第二季度的初步數據顯示，期內銷售額為60萬億
2023-07-11 14:42:13513 深圳市三佛科技有限公司供應NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC，原裝現貨 型號：NCP1342品牌：安森美封裝:SOIC-8 ,SOIC-9
2023-07-11 11:31:20
氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調節其導電性能，因此被視為一種重要的半導體材料。
2023-07-06 15:44:433823 。這款電源內置英諾賽科INN700TK350B氮化鎵開關管，采用TO252封裝，額定耐壓為700V，瞬態耐壓為800V，具有更多余量。電源支持90-264V輸入電壓
2023-07-05 22:38:44
材料如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）逐漸嶄露頭角。這些新型半導體材料在射頻和功率應用中的性能優勢，正在促使它們的市場份額穩步增長。
2023-07-05 10:26:131322 
徐州金沙江半導體有限公司（以下簡稱金沙江半導體）據官方消息，公司在2021年被設立，項目發起人氮化鎵（的）領域的領導者，氮化鎵功率器件及其新應用為主力產品，正在構建新型的idm平臺。
2023-06-30 10:31:021283 
三星詳細介紹了他們的2納米制造工藝量產計劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導體代工服務，以滿足人工智能技術的需求。這種半導體具有高性能低功耗的特點，在消費類電子、數據中心和汽車等領域將得到廣泛應用。
2023-06-29 14:48:15753 2SK1305 數據表
2023-06-28 19:49:50
0 氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
采用氮化鎵器件的高頻PWM逆變器，其優勢是實現更高的系統效率而無需使用電解電容器和輸入電感器。
參考資料：
1Lidow, A., De Rooij, M., Strydom, J., Reusch
2023-06-25 13:58:54
電源管理芯片，支持PD3.1快充協議，最大充放電功率達140W，支持輸入輸出雙向快充。
作為一家專注于高性能、高品質數模混合芯片設計公司，英集芯主營業務為電源管理芯片、快充協議芯片的研發和銷售。英集芯
2023-06-25 11:51:27
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
IP6862是一款英集芯全新推出的一芯雙充無線充電方案，采用QFN32封裝5*5MM可支持15W+15W/15W+5W版本，支持全新1芯雙充無線充方案開發。
科發鑫電子是英集芯一級代理商，提供全系列
2023-06-16 20:09:32
2C1A二合一氮化鎵超極充、綠聯140W 2C1A氮化鎵充電器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、華為、三星等大品牌的產品使用，性能質量獲得客戶的高度認可。
輸出VBUS開關管均來自威兆半導體
2023-06-16 14:05:50
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的電壓，其漏極漂移區為10-20μm，或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而，氮化鎵器件目前仍然遠遠低于約300V/μm的禁帶寬度極限，這為未來的優化和改進，留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發現鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵元件一個很大的優勢在于它極快的開關速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結，因此在硬開關中，沒有相關的反向恢復電荷。
2023-06-08 16:04:59397 
公牛33W車載充電器采用了拓爾微 IM2403+TMI3451雙口快充方案，以滿足這款車充33W快充輸出。
2023-06-08 11:30:14927 
根據中國集成電路產業人才白皮書數據來看，目前行業內從業人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國內半導體行業快速發展的當下，定位、搶奪優質人才是企業未來長期發展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
、新能源汽車、智能電網、5G通信射頻等市場的發展，具有較大的發展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導體材料的應用，半導體分立器件市場逐步向高端應用市場推進。隨著我國分立器件企業產品
2023-05-26 14:24:29
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 （SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。什么是寬禁帶？物質的導電需要
2023-05-06 10:31:461675 
半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。
2023-04-26 10:21:32718 氮化鎵是相比傳統高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
2023-04-25 15:01:47307 中國半導體分立器件產業在上世紀50年代初創，70年代逐漸成長，80年代的改革開放到90年代以后進入全面發展階段，21世紀初中國加入WTO，為我國半導體分立器件產業帶來了新的發展契機。受益于國際電子
2023-04-14 13:46:39
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優點。與傳統的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 IP6862是一款英集芯全新推出的一芯雙充無線充電方案，采用QFN32封裝5*5MM可支持15W+15W/15W+5W版本，支持全新1芯雙充無線充方案開發。科發鑫電子是英集芯一級代理商，提供全系列英
2023-04-07 18:45:16
全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統硅功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:53644 
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統控制器的戰略性集成， 實現易用、高效、可快速充電的電源系統 美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723 
，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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