這份由英特爾提交給該州政府的報(bào)告指出，其在俄亥俄州的Fab1和Fab2工廠將分別于2026至2027年度竣工，約一年后就能正式投入使用。
2024-03-19 15:45:45
76 來(lái)源：Silicon Angle 英特爾公司已獲得以色列政府32億美元的撥款，用于在該國(guó)建造一座價(jià)值250億美元的新芯片工廠。 該公司近日宣布了這項(xiàng)交易。根據(jù)協(xié)議條款，英特爾在以色列的稅率將從目前
2024-01-02 15:31:41108 FMD輝芒微FT61EC23-RB原裝單片機(jī)IC芯片SOP14封裝斷電記憶芯片。FMD輝芒微FT61EC23-RB原裝單片機(jī)IC芯片SOP14封裝斷電記憶芯片是一款在許多電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用的核心元件
2023-12-29 20:46:12
FMD輝芒微FT61EC22A-RB原裝單片機(jī)IC芯片SOP14封裝斷電記憶芯片FMD輝芒微FT61EC22A-RB原裝單片機(jī)IC芯片SOP14封裝斷電記憶芯片是一款在電子工程領(lǐng)域備受矚目的產(chǎn)品
2023-12-29 20:45:16
格科微臨港工廠于12月22日舉行了盛大的投產(chǎn)儀式，標(biāo)志著這家在科創(chuàng)板上市的芯片領(lǐng)域公司完成了從Fabless（無(wú)晶圓廠）向Fab-Lite（輕晶圓廠）的轉(zhuǎn)型。該工廠投產(chǎn)的12英寸CMOS圖像傳感器
2023-12-28 15:40:44160 12月22日，科創(chuàng)板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領(lǐng)中國(guó)芯未來(lái)”為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式，及2023年產(chǎn)品推介會(huì)暨CEO交流會(huì)。 以讓世界
2023-12-27 17:33:16193 
FIB失效分析缺陷觀察ictest1 一、FAB工藝流程入門 ?1.?這里的FAB指的是從事晶圓制造的工廠。半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體通常使用"FAB"這個(gè)詞，它和其他電子制造的“工廠”同義。在平時(shí)溝通的語(yǔ)境
2023-12-26 17:49:56596 UMS的CHA3656-FAB是種兩級(jí)自偏置電壓寬帶單片低噪聲放大器。CHA3656-FAB專門用來(lái)毫米波通信，也是非常適合普遍使用，如C、x、Ku雷達(dá)探測(cè)、測(cè)試設(shè)備和高分辨率
2023-12-26 15:41:53
圖像傳感器芯片產(chǎn)線正式投產(chǎn)。 此前，格科微董事長(zhǎng)趙立新表示，為了突破高端圖像傳感器工藝的知識(shí)產(chǎn)權(quán)壟斷和制造壁壘，公司決定自建工廠。歷經(jīng)三年，臨港工廠終于落地，12英寸CIS（CMOS圖像傳感器）集成電路特色工藝產(chǎn)線順利開(kāi)通，公司成功轉(zhuǎn)型為Fab-Lite（輕晶
2023-12-26 08:36:10228 
模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成無(wú)源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工藝，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。
2023-11-21 17:03:00385 x-fab推出了最新版本的產(chǎn)品，擴(kuò)大了spad產(chǎn)品的選擇范圍，提高了解決近紅外線功能重要的新應(yīng)用領(lǐng)域的能力。這些新應(yīng)用包括飛行時(shí)間感知、車輛lidar影像、生物光學(xué)和flim研究工作以及醫(yī)療領(lǐng)域的各種相關(guān)活動(dòng)。
2023-11-21 10:47:26543 據(jù)JoongAng Daily報(bào)道，三星計(jì)劃將位于泰勒市的一家半導(dǎo)體芯片工廠擴(kuò)建為總建筑面積270萬(wàn)平方英尺（約2.5億坪）。建設(shè)工作已經(jīng)開(kāi)始了。三星雇用當(dāng)?shù)氐墓こ唐髽I(yè)，正在檢查工程進(jìn)行情況。據(jù)泰勒市網(wǎng)站介紹，這座新樓目前的名稱是“三星制造工廠2”。
2023-11-21 09:40:42207 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，領(lǐng)先的模擬和混合信號(hào)器件專業(yè)代工廠X-FAB Silicon Foundries SE為其單光子雪崩二極管（SPAD）產(chǎn)品組合推出了一款新的近紅外（NIR）增強(qiáng)型SPAD
2023-11-20 09:11:53398 X-FAB Silicon Foundries SE正在以進(jìn)一步實(shí)質(zhì)性的方式推進(jìn)其電流隔離技術(shù)。X-FAB在2018年推出的突破性工藝的基礎(chǔ)上，該工藝專為彈性分立電容或電感耦合器而設(shè)計(jì)，現(xiàn)在可用
2023-11-07 16:02:34305 三星采取此舉的目的很明確，希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111212 三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開(kāi)始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:00832 日前有媒體報(bào)道稱，受三星等存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)以及國(guó)內(nèi)閃存龍頭存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)能不足的影響，內(nèi)存和閃存元器件采購(gòu)成本逐步上漲。
2023-10-16 11:13:05452 海力士在無(wú)錫工廠生產(chǎn)DRAM芯片，在大連生產(chǎn) NAND 閃存。對(duì)于存儲(chǔ)而言，三星電子和SK海力士是當(dāng)之無(wú)愧的巨頭。
2023-10-10 11:59:16368 首先，內(nèi)存請(qǐng)求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行刷新到CXL啟用的閃存，將導(dǎo)致16KiB的閃存內(nèi)存頁(yè)面讀取、64B更新和16KiB的閃存程序?qū)懭氲搅硪粋€(gè)位置（假設(shè)16KiB的頁(yè)面級(jí)映射）。
2023-10-09 16:46:20375 
9月12日，據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星電子近期與客戶（谷歌等手機(jī)制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20％。三星電子預(yù)計(jì)，從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)或?qū)⒐┎粦?yīng)求。
2023-09-14 10:56:18206 隨著行動(dòng)內(nèi)存芯片市場(chǎng)跡象顯示出復(fù)蘇跡象，并且最早在第四季度供不應(yīng)求，三星電子已宣布將提高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存芯片的價(jià)格，幅度達(dá)到10%~20%。 韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，知情人
2023-09-13 14:22:34486 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中，由于市場(chǎng)持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58422 雖然半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況持續(xù)不太好，但是到2023年為止，將新啟動(dòng)13個(gè)12英寸晶片工廠。據(jù)knometa research稱，新的fab將主要生產(chǎn)功率晶體管、尖端邏輯芯片和oem服務(wù)。
2023-08-14 09:35:35372 
CHS5104 -FAB是一款基于單片 FET 的反射開(kāi)關(guān)，采用無(wú)引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。它專為廣泛的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，從太空、軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)。該電路采用 pHEMT 工藝制造
2023-08-10 14:40:43
CHV1203 -FAB是一款低相位噪聲 S 波段 HBT 壓控振蕩器，集成了負(fù)電阻、變?nèi)荻O管和緩沖放大器。它在 100kHz 偏移時(shí)提供 108dBc/Hz 的出色相位噪聲。它設(shè)計(jì)用于
2023-08-10 11:32:50
CHX2193 -FAB是一款 6.25-8.25GHz 倍頻器，專為從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它采用無(wú)引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。該電路采用 pHEMT 工藝
2023-08-10 11:16:26
CHR3693 -FAB是一款采用無(wú)引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝的下變頻器。它集成了一個(gè)平衡冷 FET 混頻器、一個(gè)二次乘法器和一個(gè) RF LNA。RF范圍為
2023-08-10 10:35:47
CHT4690 -FAB是一款可變 5-30GHz 衰減器，設(shè)計(jì)用于從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用。芯片的背面既是射頻接地又是直流接地。這有助于簡(jiǎn)化組裝過(guò)程。該電路采用 MESFET 工藝
2023-08-10 09:38:50
CHT3091 -FAB是一款可變 DC-14GHz 衰減器，設(shè)計(jì)用于從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用。它采用無(wú)引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。該電路采用 MESFET 工藝
2023-08-10 09:34:11
CHA4253-FAB 是一款四級(jí)單片 GaAs 中功率放大器電路，在 1dB 壓縮點(diǎn)提供 23.5dBm 輸出功率。它設(shè)計(jì)用于廣泛的應(yīng)用、商業(yè)空間、軍事和商業(yè)通信系統(tǒng)。該電路采用內(nèi)部穩(wěn)健空間評(píng)估
2023-08-10 09:16:36
CHA5266 -FAB是一款三級(jí)單片 GaAs 中等功率放大器，采用無(wú)引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。它設(shè)計(jì)用于廣泛的應(yīng)用，從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)。該電路采用 pHEMT
2023-08-09 17:52:51
CHA2069 -FAB是一款三級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器。該電路采用標(biāo)準(zhǔn) pHEMT 工藝制造：0.25μm 柵極長(zhǎng)度、穿過(guò)基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻。它采用無(wú)引線表面貼裝密封
2023-08-09 17:07:52
CHA3666 -FAB是一款兩級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器。該電路采用標(biāo)準(zhǔn) pHEMT 工藝制造：0.25μm 柵極長(zhǎng)度、穿過(guò)基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻。它采用無(wú)引線表面貼裝密封
2023-08-09 16:56:23
CHA3656-FAB 是一款兩級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器。它專用于空間通信，也非常適合廣泛的應(yīng)用，例如 C、X、Ku 雷達(dá)、測(cè)試儀器和高可靠性應(yīng)用。該電路采用 pHEMT 工藝、0.25μm
2023-08-09 16:52:10
CHA3801 -FAB是一款包含有源偏置網(wǎng)絡(luò)的 L 頻段 LNA 單片電路。此外，還包含一個(gè)保護(hù)網(wǎng)絡(luò)，以實(shí)現(xiàn)高輸入功率生存能力。它設(shè)計(jì)用于廣泛的應(yīng)用，從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)。該電路采用
2023-08-09 16:47:59
全球最大的代工芯片制造商臺(tái)積電自 2021 年以來(lái)一直與德國(guó)薩克森州就在德累斯頓建設(shè)一座制造工廠（或“fab”）進(jìn)行談判。消息人士告訴德國(guó)商報(bào)，該公司將與合作伙伴博世、英飛凌和恩智浦合資經(jīng)營(yíng)該工廠。
2023-08-08 15:05:47390 UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲(chǔ)的閃存標(biāo)準(zhǔn)，而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲(chǔ)技術(shù)，用于移動(dòng)設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備中的非易失性存儲(chǔ)。
2023-07-18 15:00:0313543 EB8T5評(píng)估板用戶手冊(cè)--Fab 18-613-000
2023-06-26 18:39:28
0 89EBPES12N3 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-597-001
2023-06-26 18:39:100 電離解決方案, 使它們能夠處理苛刻的工藝氣體和副產(chǎn)品. 為半導(dǎo)體 Sub-fab 提供安全, 可持續(xù)性和節(jié)約解決方案
2023-06-21 10:31:03536 
來(lái)源：X-FAB PhotonixFab將為光電子產(chǎn)品的創(chuàng)新及商業(yè)化打通路徑，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能制造 中國(guó)北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon
2023-06-19 15:54:25453 
無(wú)獨(dú)有偶，SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來(lái)的Solidigm，很快又發(fā)布了同樣基于QLC閃存的全新企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430，再次引發(fā)了“QLC取代TLC”的話題討論。據(jù)悉，P5-D5430采用大連Fab 68工廠出品的192層堆疊3D QLC閃存芯片（該廠的QLC產(chǎn)品占40%以上）
2023-06-13 16:16:00340 
供應(yīng)SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-01 10:10:41
供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-30 14:24:29
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:13:51
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 10:09:46
至于X-FAB，其計(jì)劃擴(kuò)大在美國(guó)德克薩斯州拉伯克市（Lubbock）的代工廠業(yè)務(wù)。報(bào)道稱，該公司已在拉伯克運(yùn)營(yíng)20多年，將在未來(lái)5年內(nèi)進(jìn)行重大投資，其中第一階段的投資額為2億美元，以提高該廠區(qū)的碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)量。
2023-05-24 11:12:55554 S32G3開(kāi)發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開(kāi)發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
我如何閃存 ESP 模塊 3 以及有多少內(nèi)存？
2023-05-10 12:48:37
EB8T5評(píng)估板用戶手冊(cè)--Fab 18-613-000
2023-05-05 18:49:420 89EBPES12N3 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-597-001
2023-05-05 18:49:260 89EBPES16T4 評(píng)估板 User 手冊(cè) - Fab # 18-616-000
2023-05-05 18:37:460 89EBPES32T8 Eval Board User 手冊(cè) - Fab # 18-608-000
2023-05-05 18:37:320 89EBPES24T6 評(píng)估板 User 手冊(cè) - Fab # 18-609-000
2023-05-05 18:37:120 89EBPES48T12 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-624-000
2023-05-04 20:13:270 EB48H12評(píng)估板用戶手冊(cè)--Fab 18-624-000
2023-05-04 20:13:090 89EB64H16 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab 18-624-000
2023-05-04 20:12:490 89EBPES16T7 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-610-000/001
2023-05-04 19:19:500 89EB32H8評(píng)估板手冊(cè)--Fab 18-625-000
2023-05-04 19:00:240 89EBPES16T4-2（x8 上游端口）評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-633-000
2023-05-04 18:55:270 89EB12N3 評(píng)估板手冊(cè)（89PES8NT2 器件）- Fab # 18-597-001
2023-04-28 19:46:230 89EB16NT2 Eval Board 手冊(cè) - Fab # 18-642-000
2023-04-28 18:54:110 89EBPES24T6 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-609-000（適用于 89PES16T4AG2）
2023-04-27 20:19:580 89EBPES24T3G2-19x19-評(píng)估板 User 手冊(cè) - Fab # 18-657-000
2023-04-27 20:13:270 89EBPES24N3 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-590-002
2023-04-26 20:17:120 89EBPES4T4 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-637-001
2023-04-26 19:55:020 89EBPES12T3G2 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-635-001
2023-04-26 19:39:000 89EBPES16T4G2 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-634-000
2023-04-26 19:38:470 供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-26 10:22:36
UMS?CHT4660-FAB是款0.5-16GHz的可變衰減器，致力于空間、國(guó)防軍事與商業(yè)通訊系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域而設(shè)計(jì)。CHT4660-FAB選用MESFET工藝技術(shù)，柵極尺寸為0.7um，根據(jù)基材
2023-04-24 14:25:59132 89EBPES32x8G2 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-678-000
2023-04-21 19:09:260 89EBPES48H12G2 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-677-000
2023-04-21 19:09:070 EB8T5A 評(píng)估板用戶手冊(cè) - Fab # 18-636-002
2023-04-20 19:54:080 89HPES32NT24AG2 Based REV-A 評(píng)估板示意圖s (Fab: 18-691-000)
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2023-04-17 19:40:290 據(jù)我所知，ESP32-D0WDR2-V3 有一個(gè) 2MB 的嵌入式 PSRAM，但只有 448KB 的內(nèi)部閃存。是否可以連接外部閃存（用于代碼和數(shù)據(jù)）和 eMMC（僅存儲(chǔ)）并使三者（PSRAM+外部
2023-04-12 06:01:59
介紹：第一部分：上市公司介紹了2022年度的業(yè)績(jī)情況及主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)變動(dòng)情況，公司2022年凈利潤(rùn)由盈轉(zhuǎn)虧，業(yè)績(jī)虧損的具體原因主要是一方面公司北京MEMS產(chǎn)線（北京FAB3）繼續(xù)處于運(yùn)營(yíng)初期、產(chǎn)能爬坡階段，折舊攤銷壓力巨大，工廠運(yùn)轉(zhuǎn)及人員費(fèi)用也進(jìn)一步增長(zhǎng)，
2023-04-03 17:07:16875
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