實(shí)現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊，市場(chǎng)主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充間隙；后者則為熱壓粘連NCF（非導(dǎo)電薄膜）至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:21
375 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）據(jù)報(bào)道，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐，計(jì)劃增加“MUF”芯片制造技術(shù)，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片。但是三星在隨后的聲明中稱，關(guān)于三星將在其HBM
2024-03-14 00:17:002494 
三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:42145 它能夠大批量生產(chǎn)具有超低損耗和超高帶寬的高端光芯片，被譽(yù)為全球最優(yōu)秀的光電集成芯片。該研究是由九峰山實(shí)驗(yàn)室攜手行業(yè)關(guān)鍵合作伙伴共同完成，即將實(shí)現(xiàn)廣泛的商業(yè)應(yīng)用。
2024-03-01 15:21:10255 根據(jù)需求進(jìn)行重新配置，而ASIC一旦制造完成，其功能就無法更改。
開發(fā)周期和成本 ：FPGA的開發(fā)周期相對(duì)較短，成本較低，適合原型驗(yàn)證和小批量生產(chǎn)。而ASIC的開發(fā)周期長(zhǎng)，成本較高，但大批量生產(chǎn)時(shí)具有
2024-02-22 09:54:36
在批量生產(chǎn)中，我需要每一個(gè)產(chǎn)品都有唯一的MAC地址。 我在調(diào)試的時(shí)候配置藍(lán)牙組件的時(shí)候MAC地址都是一樣的。
1.請(qǐng)問關(guān)于藍(lán)牙的名稱，MAC地址等信息，在批量生產(chǎn)的時(shí)候如何更改？是不是都寫在了特定
2024-02-21 06:30:25
三星電子，全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商，近日宣布在美國(guó)設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室，專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個(gè)實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國(guó)硅谷的Device Solutions America (DSA)，負(fù)責(zé)三星在美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:46324 三星電子近日宣布，已在美國(guó)硅谷開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)（R&D）實(shí)驗(yàn)室，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。這一新實(shí)驗(yàn)室將由三星的Device Solutions America（DSA）運(yùn)營(yíng)，并負(fù)責(zé)監(jiān)督公司在美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)活動(dòng)。
2024-01-29 11:29:25432 mark點(diǎn)也叫基準(zhǔn)點(diǎn)，也叫光學(xué)定位點(diǎn)，是貼片機(jī)使用時(shí)的定位點(diǎn)。由于PCB在大批量生產(chǎn)中為裝配過程中的所有步驟提供了共同的可測(cè)量點(diǎn)，因此裝配中使用的每個(gè)設(shè)備都可以準(zhǔn)確定位電路圖案以實(shí)現(xiàn)精度，通過mark點(diǎn)程序員就可以在加載程序后自動(dòng)設(shè)置機(jī)器。
2024-01-24 10:03:181409 
隨著電子制造行業(yè)的快速發(fā)展，多品種、小批量生產(chǎn)模式逐漸成為主流。在這一背景下，貼片機(jī)作為電子制造中的關(guān)鍵設(shè)備，其應(yīng)用研究顯得尤為重要。本文旨在探討基于多品種小批量生產(chǎn)模式下的貼片機(jī)應(yīng)用，分析其特點(diǎn)、挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)策略，并通過實(shí)際案例加以闡述。
2024-01-19 10:20:47228 
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 KT6368A雙模藍(lán)牙芯片批量生產(chǎn)使用主機(jī)芯片測(cè)試很方便
KT6368A批量生產(chǎn)怎么辦？不可能用手機(jī)一個(gè)一個(gè)的去連吧，太慢了
別慌，這個(gè)問題，我們?cè)缇涂紤]清楚了，答案如下，分為兩個(gè)方法：
2024-01-11 12:01:00147 
近日，英國(guó)赫瑞瓦特大學(xué)（Heriot-Watt University）的研究助理Calum Ross博士獲得了近100萬英鎊的獎(jiǎng)金，用于開發(fā)一種基于激光的工藝，該工藝可用于大規(guī)模制造超高速空心光纖，這種光纖最終可能取代傳統(tǒng)的電信網(wǎng)絡(luò)。
2024-01-10 09:41:56177 使用13.5nm波長(zhǎng)的光進(jìn)行成像的EUV光刻技術(shù)已被簡(jiǎn)歷。先進(jìn)的邏輯產(chǎn)品依賴于它，DRAM制造商已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)。
2023-12-29 15:22:31172 請(qǐng)問ADE7763，在批量生產(chǎn)的時(shí)候如何校準(zhǔn)？
2023-12-27 07:41:51
從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，PCB小批量生產(chǎn)解密
2023-12-20 11:15:47348 MP4@?MHz
內(nèi)存
長(zhǎng)鑫CXDQ3BFAM DDR4 1GB*4
海力士H5TQ4G63CFR DDR3 512MB*4
三星K4E8E324EBGCF LPDDR3 1GB*3(2+1)
佰維
2023-12-14 23:33:28
NanoCleave? 層釋放系統(tǒng)，這是第一個(gè)采用EVG革命性NanoCleave技術(shù)的產(chǎn)品平臺(tái)。EVG850 NanoCleave系統(tǒng)采用紅外(IR)激光，在經(jīng)過驗(yàn)證的大批量制造(HVM)平臺(tái)上結(jié)合專門配制
2023-12-13 17:26:46489 
線路板生產(chǎn)該選大批量還是小批量？
2023-12-13 17:22:10332 三星dram的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)在第三季度約增加15.9%，達(dá)到52.5億美元，市場(chǎng)占有率為38.9%，占據(jù)首位。三星對(duì)ai高用量產(chǎn)品的需求不斷增加，1alpha nm ddr5的批量生產(chǎn)也呈現(xiàn)良好勢(shì)頭。
2023-12-05 17:07:08461 
據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星已主要客戶的部分先進(jìn) EUV 代工生產(chǎn)在線導(dǎo)入 EUV 光罩護(hù)膜。雖然三星也在 DRAM 生產(chǎn)線中采用 EUV 制程，但考慮到生產(chǎn)率和成本，該公司認(rèn)為即使沒有光罩護(hù)膜也可以進(jìn)行內(nèi)存量產(chǎn)。
2023-12-05 15:09:01491 trendforce表示，第三季度三家企業(yè)的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均有所增加，由于ai話題的擴(kuò)散，對(duì)高用量產(chǎn)品的需求保持穩(wěn)定，而且在批量生產(chǎn)1 alpha nm ddr5以后價(jià)格也有所上升，從而使三星第三季度dram銷售額增長(zhǎng)15.9%，約52.5億美元。
2023-12-05 10:19:53297 
三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時(shí)，管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 美光基于 1β 先進(jìn)制程的 ?DRAM ?速率高達(dá) ?8,000 MT/s，為生成式 ?AI ?等內(nèi)存密集型應(yīng)用提供更出色的解決方案 2023 年 11 月 22 日，中國(guó)上海 —— Micron
2023-11-24 15:08:02663 
硬件開發(fā)的工作流程一般可分為：原理圖設(shè)計(jì)、PCB Layout設(shè)計(jì)、采購電子BOM、PCB板生產(chǎn)、PCBA組裝、功能調(diào)試及測(cè)試、小批量試產(chǎn)、大批量生產(chǎn)正式投放市場(chǎng)等步驟。
作為一名優(yōu)秀的硬件工程師
2023-11-10 14:17:13
硬件開發(fā)的工作流程一般可分為：原理圖設(shè)計(jì)、PCBLayout設(shè)計(jì)、采購電子BOM、PCB板生產(chǎn)、PCBA組裝、功能調(diào)試及測(cè)試、小批量試產(chǎn)、大批量生產(chǎn)正式投放市場(chǎng)等步驟。作為一名優(yōu)秀的硬件工程師
2023-11-10 08:07:33119 
隨著工業(yè)界開始大批量生產(chǎn)下一代PoP器件，表面組裝和PoP組裝的工藝及材料標(biāo)準(zhǔn)必須隨之進(jìn)行改進(jìn)。
2023-11-01 09:46:08419 
MCU批量生產(chǎn)下載程序的幾種常見方法
2023-10-24 17:22:46831 
三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 Maskless Lithography公司近日首次公開推出全新的可提高印制電路板（PCB）生產(chǎn)門檻的直寫數(shù)字成像技術(shù)。Maskless Lithography是硅谷一家由一群行業(yè)資深人士領(lǐng)導(dǎo)的新創(chuàng)企業(yè)。
2023-10-20 15:12:40129 低密度印制板--大批量生產(chǎn)印制板，在2.54毫米標(biāo)準(zhǔn)坐標(biāo)網(wǎng)格交點(diǎn)上的兩個(gè)盤之間布設(shè)一根導(dǎo)線，導(dǎo)線寬度大于0.3毫米（12/12mil）。
2023-10-18 15:13:22152 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 在已經(jīng)投產(chǎn)的電子大宗燃?xì)庋b載工程情況下，金宏氣體表示，北方集成創(chuàng)新中心工程正在建設(shè)中，處于臨時(shí)供氣狀態(tài)。廣東芯粵能項(xiàng)目已經(jīng)大量生產(chǎn)天然氣并處于穩(wěn)定的運(yùn)營(yíng)狀態(tài)。
2023-09-28 09:31:50263 動(dòng)作（兩次接電纜，兩次接測(cè)試負(fù)載），然后再對(duì)儀器進(jìn)行手動(dòng)操作測(cè)試。在大批量生產(chǎn)情況下，這種傳統(tǒng)測(cè)試方法的測(cè)試效率較低，測(cè)試成本較高；尤其是高低溫試驗(yàn)時(shí)，傳統(tǒng)的測(cè)試方法無法滿足需求。本文討論了一種測(cè)試方法
2023-09-21 07:50:32
A53專用 + 4GB TPU專用 + 4GB VPP/VPU專用。
設(shè)備內(nèi)存（Device Memory）和系統(tǒng)內(nèi)存（Host Memory）： 根據(jù)BM168x產(chǎn)品類型或工作模式的不同，設(shè)備內(nèi)存
2023-09-19 07:47:54
覆蓋45nm至7nm，預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品最早于2024年下半年獲得訂單，2025年將進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段。 ? 什么是硅光子技術(shù) ? 硅光子技術(shù)用激光束代替電子信號(hào)傳輸數(shù)據(jù)，是一種基于硅光子學(xué)的低成本、高速的光通信技術(shù)。英特爾實(shí)驗(yàn)室通過混合硅激光
2023-09-19 01:27:001662 TAC-440 IMU的突破性性能基于EMCORE成熟的石英MEMS慣性傳感器技術(shù)。EMCORE的石英技術(shù)結(jié)合了石英材料固有的大信號(hào)輸出和熱穩(wěn)定性，可重復(fù)、大批量生產(chǎn)精密加工的傳感器結(jié)構(gòu)。
2023-09-15 11:48:12139 在大規(guī)模生產(chǎn)基于CW32系列微控制器的設(shè)計(jì)之前，硬件相關(guān)必須檢查配置
2023-09-15 07:07:07
9月12日，據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星電子近期與客戶（谷歌等手機(jī)制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20％。三星電子預(yù)計(jì)，從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)或?qū)⒐┎粦?yīng)求。
2023-09-14 10:56:18206 日前有消息稱，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動(dòng)DRAM芯片銷售行業(yè)。
2023-09-14 10:42:471045 CW32F003核心是32位ARM?Cortex?-M0+微處理器，最大尋址空間為4GB。芯片的內(nèi)置程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、外圍設(shè)備和端口寄存器是統(tǒng)一的在相同的4GB線性地址空間中尋址。
內(nèi)存中
2023-09-14 08:07:18
CW32L031核心是32位ARM?Cortex?-M0+微處理器，最大尋址空間為4GB。芯片的內(nèi)置程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、外圍設(shè)備和端口寄存器是統(tǒng)一的在相同的4GB線性地址空間中尋址。
內(nèi)存中
2023-09-14 07:09:04
隨著行動(dòng)內(nèi)存芯片市場(chǎng)跡象顯示出復(fù)蘇跡象，并且最早在第四季度供不應(yīng)求，三星電子已宣布將提高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存芯片的價(jià)格，幅度達(dá)到10%~20%。 韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，知情人
2023-09-13 14:22:34486 辰顯光電TFT基Micro-LED生產(chǎn)線面積約53畝，生產(chǎn)線均采用自主設(shè)計(jì)，引進(jìn)多臺(tái)“第一套”量產(chǎn)設(shè)備。該項(xiàng)目計(jì)劃在2024年底實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，生產(chǎn)線將最先配置大型商業(yè)展示領(lǐng)域。
2023-09-13 10:36:04348 生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)過程時(shí)間短｀而且時(shí)間可控。通過計(jì)算機(jī)在線管理，離線編程，程序優(yōu)化，充分發(fā)揮各設(shè)備的潛能。程序的優(yōu)化有力的解決了生產(chǎn)中設(shè)備之間時(shí)間匹配問題以及瓶頸問題。適合大批量、大規(guī)模現(xiàn)代化生產(chǎn)要求。
2023-09-11 15:15:19196 
有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個(gè)dram垂直連接起來，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個(gè)芯片就可以儲(chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32399 語音芯片和解決方案。累計(jì)服務(wù)B端客戶5000+家，積累了豐富的芯片應(yīng)用、技術(shù)支持、大批量生產(chǎn)工藝調(diào)試和品質(zhì)保證等經(jīng)驗(yàn)。接下來，小編簡(jiǎn)短介紹啟英泰倫是如何全方位支持
2023-09-08 08:17:24506 
日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46470 在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組
2023-09-01 10:14:29559 內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
我們都知道3C電子產(chǎn)品，如：手機(jī)、筆記本電腦、平板、電子手表等等，通常都會(huì)是大批量生產(chǎn)的，并且在生產(chǎn)的過程中也會(huì)使用到大量的PCB板。那么，你是否知道大批量生產(chǎn)PCB板是如何實(shí)現(xiàn)品質(zhì)溯源
2023-08-25 15:02:26667 
最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:05997 第24屆電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議（ICEPT2023）于近日在新疆召開，來自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂，共話先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國(guó)際合作。長(zhǎng)電科技董事、首席執(zhí)行長(zhǎng)鄭力出席會(huì)議，發(fā)表《高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動(dòng)微系統(tǒng)集成變革》主題演講。 鄭力表示，隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)的演進(jìn)，微系統(tǒng)集成成為驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的重要?jiǎng)恿Γ咝阅芟冗M(jìn)封裝是微系統(tǒng)集成的關(guān)鍵路徑。 ? 微系統(tǒng)集成承載集成電路產(chǎn)
2023-08-15 09:57:14529 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，為可穿戴和耳戴式設(shè)備開發(fā)MEMS揚(yáng)聲器的創(chuàng)新開發(fā)商USound近日宣布獲得1000萬歐元投資，以支持各種真無線立體聲（TWS）耳機(jī)和非處方（OTC）助聽器應(yīng)用的MEMS揚(yáng)聲器大批量生產(chǎn)。
2023-08-07 09:38:53342 隨著5G的發(fā)展，我們完全致力于與領(lǐng)先的制造商合作，開發(fā)創(chuàng)新的測(cè)試和測(cè)量方法，這些方法將支持實(shí)現(xiàn)其令人興奮的希望所需的龐大基礎(chǔ)架構(gòu)。這是要解決的3個(gè)挑戰(zhàn)。
2023-08-01 16:38:49316 據(jù)資料顯示，芯片的主要產(chǎn)品是電源管理芯片pmic、ac-dc、dc-dc、gate driver及其電力部件。公司堅(jiān)持開發(fā)以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向，以創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)的積極產(chǎn)品，包括開發(fā)及大批量生產(chǎn)的應(yīng)用3種產(chǎn)品線、家電產(chǎn)品種類、標(biāo)準(zhǔn)電源種類、工業(yè)控制電力種類等。
2023-08-01 11:31:01310 Mark點(diǎn)也叫基準(zhǔn)點(diǎn)，是使用機(jī)器貼片時(shí)用于光學(xué)定位的點(diǎn)，對(duì)SMT生產(chǎn)至關(guān)重要。表貼元件的pcb更需要設(shè)置mark點(diǎn)，因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">大批量生產(chǎn)時(shí)，貼片機(jī)都是操作人員手動(dòng)或者機(jī)器自動(dòng)尋找Mark點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)
2023-07-26 12:19:082892 有投資者向光莆股份提問，“查2022年報(bào)，miniLED載板FPC預(yù)計(jì)6—7月會(huì)有客戶導(dǎo)入，下半年實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)交付。請(qǐng)問，目前項(xiàng)目實(shí)際情況是否符合年報(bào)中關(guān)于此項(xiàng)目部分的描述，是否需要進(jìn)行更正？”
2023-07-20 16:29:39337 大約一年前，三星正式開始采用其 SF3E（3nm 級(jí)、早期全柵）工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片，但沒有無晶圓廠芯片設(shè)計(jì)商證實(shí)其產(chǎn)品使用了該節(jié)點(diǎn)。
2023-07-19 17:13:331010 作為全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商，長(zhǎng)電科技已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)面向5G毫米波市場(chǎng)的射頻前端模組和AiP模組的產(chǎn)品。
2023-07-13 10:51:11663 車型。 從2021年聯(lián)合電子首次提出X-Pin繞組概念，并在開發(fā)過程中克服X-Pin繞組的諸多結(jié)構(gòu)與工藝難點(diǎn)，聯(lián)合電子終于在2023年6月率先實(shí)現(xiàn)批產(chǎn)應(yīng)用，這既是X-Pin繞組技術(shù)的里程碑，也是X-Pin繞組在大批量工業(yè)應(yīng)用中開啟的新篇章。 X-Pin繞組技術(shù)的起源 聯(lián)合電子作為扁線電機(jī)的核心供
2023-07-01 09:09:554066 
研究批量生產(chǎn)的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)通信芯片是具有高度集成度、低電力、高性價(jià)比的通信芯片，可廣泛應(yīng)用于智能之家、智能交通、智能工業(yè)等領(lǐng)域。
2023-06-28 10:09:421274 傳輸?shù)挠行侄?。然而，?duì)于大批量生產(chǎn)的工廠而言，要在有限的時(shí)間內(nèi)把控所有產(chǎn)品的信號(hào)質(zhì)量、分析產(chǎn)品問題并優(yōu)化產(chǎn)品性能，這具有非常大的挑戰(zhàn)。
2023-06-26 16:37:28406 
超過50％的PCB元器件焊點(diǎn)缺陷可追溯到不正確或次優(yōu)的焊膏印刷。雖然良好的錫膏印刷習(xí)慣通常在小批量時(shí)就已足夠，但對(duì)于大批量印刷，應(yīng)仔細(xì)考慮錫膏檢查（SPI）。
2023-06-09 10:50:34816 蘇納光電：我們的拳頭產(chǎn)品是晶圓刻蝕硅透鏡芯片，它早期全部被國(guó)外公司壟斷。經(jīng)過多年的努力，我們成功實(shí)現(xiàn)了這款光學(xué)芯片的國(guó)產(chǎn)化，蘇納是國(guó)際上第三家、國(guó)內(nèi)第一家能夠大批量自主生產(chǎn)和交付全系列硅透鏡芯片的公司。
2023-06-01 17:42:301456 供應(yīng)SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-01 10:10:41
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個(gè)序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-30 14:24:29
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:13:51
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 10:09:46
S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
Android 12 CPU MTK6761，4核4x CortexA53 網(wǎng)絡(luò) 4G&3G&2G支持700M網(wǎng)絡(luò) 內(nèi)存 4GB RAM+32
2023-05-19 14:46:28
Plus-D
U1 Plus-D是一大批量生產(chǎn)工具，它可支持平臺(tái)包括 8051 、 M0 、M3系列，底下為您介紹它的六大優(yōu)點(diǎn) 。
1. 在芯片編程功能 (5線燒錄模式)，完全可以代替在線燒錄工具
2023-05-02 09:45:20
供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-26 10:22:36
供應(yīng)XPD977 65W和65W以內(nèi)移動(dòng)電源多協(xié)議快充芯片-多功能USB三端口控制器，XPD977 是一款集成 USB Type-C、USB PowerDelivery（PD
2023-04-25 11:44:53
內(nèi)存芯片中每個(gè)單元都有以字節(jié)線和比特線組合的獨(dú)立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內(nèi)存條為例，每粒內(nèi)存芯片有4G個(gè)獨(dú)立地址。
2023-04-25 10:05:085444 
u-boot 自動(dòng)啟動(dòng)延遲 = -2 OK（在 imx8mm_evk.k 中） 但我不想 u-boot 寫入串行，我怎樣才能用 yocto 永久實(shí)現(xiàn)這個(gè)？2 - 靜默內(nèi)核如何使用 quiet args（始終使用 Yocto）和永久（用于批量生產(chǎn)）設(shè)置 bootargs。
2023-04-20 06:31:26
替代 CAN 三工過濾器。該系列濾波器具有出色的溫度穩(wěn)定性和可重復(fù)性。此外，表面貼裝設(shè)計(jì)便于大批量生產(chǎn)。這些設(shè)備具有出色的回波損耗、插入損耗和抑制性能，完全符合 R
2023-04-19 14:50:14
Cortex-A72內(nèi)存4GB LPDDR41/2/4/8GB LPDDR4顯卡馬里 G31 MP2 (650MHz)VideoCore VI (500MHz)貯存微型SD卡微型SD卡板載 16 GB
2023-04-19 08:52:22
通常嵌入式系統(tǒng)對(duì)可靠性的要求比較高。嵌入式系統(tǒng)安全性的失效可能會(huì)導(dǎo)致災(zāi)難性的后果，即使是非安全性系統(tǒng)，由于大批量生產(chǎn)也會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的經(jīng)濟(jì)損失。
2023-04-18 15:54:491187 筆者了解到RISC-V的4GCat1芯片“螢火LM600”是創(chuàng)芯慧聯(lián)和中國(guó)移動(dòng)聯(lián)合定義聯(lián)合研發(fā)的產(chǎn)品，并將在今年大批量發(fā)貨，該芯片以價(jià)值創(chuàng)新為理念、以“芯-端-網(wǎng)”全鏈路需求為基礎(chǔ)?！拔灮餖M600”具有超低功耗
2023-04-14 10:12:22940 10 CPU MTK6771，8核，2.0GHZ 網(wǎng)絡(luò) 4G&3G&2G支持700M網(wǎng)絡(luò) 內(nèi)存 4GB RAM +64GB ROM&
2023-04-11 20:38:47
傳統(tǒng)意義上的機(jī)械層面“多合一”——將電機(jī)+電控+齒輪傳動(dòng)系統(tǒng)等集于一體早已不是什么新聞了，Mode 3甚至早已實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。
2023-04-11 09:54:18677 TRUMPF（通快）的目標(biāo)是采用最先進(jìn)的大批量生產(chǎn)工藝制造短波紅外（SWIR）VCSEL，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠且性能卓越的產(chǎn)品。
2023-04-04 10:49:161454 =3072M 強(qiáng)制使用 3GB 的 ram 而不是 4GB。CAAM 驅(qū)動(dòng)程序/DMA/swiotlb 反彈緩沖區(qū)似乎是問題所在。
2023-04-03 06:55:00
檢驗(yàn)流程。電測(cè)又可以分為飛針測(cè)試和專用治具測(cè)試，通常樣品小批量的訂單都是用飛針測(cè)試，這樣可以免去開測(cè)試治具的時(shí)間和費(fèi)用，測(cè)試的時(shí)候是按一個(gè)工作板分別進(jìn)行。而中大批量訂單則一般都會(huì)用開治具即測(cè)試架，成型
2023-03-30 18:19:47
的 ddr_timing.c。使用下面的補(bǔ)丁 + 刪除 OPTEE ==> 4G 啟動(dòng)是可以的，目標(biāo)板上的 4G 內(nèi)存似乎也可以。但是，在補(bǔ)丁 + OPTEE 下，客戶遇到引導(dǎo)失敗并卡在“正在啟動(dòng)內(nèi)核
2023-03-29 07:51:32
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論