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羅姆半導體將推出SCH2090ke型漏源極電壓可達1200V的MOSFET
- MOSFET(209657)
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場效應管的分類和區別
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PLC輸入分為源型和漏型，什么是源型和漏型，是指傳感器的晶體管類型嗎？源型NPN和漏型PNP，還是指信號流入流出的方向，源極為流出，射極為流入？再或者是指信號輸出的方式，集電極輸出和射極輸出？電子專業常說的有源指的是什么？什么有源負載，有源電路的。
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昕感科技推出超低導通電阻的SiC MOSFET器件
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316半導體芯片結構分析
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是可以
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中瓷電子：國聯萬眾部分1200V SiC MOSFET產品已批量供貨中
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繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后
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?
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結型
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新品 | 用于高速開關應用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
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用于高速開關應用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
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安森美M1 1200 V SiC MOSFET動態特性分析
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538
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GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實現更快的開關瞬變
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
具有溫度不變勢壘高度和理想因數的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
CMS32M65xx系列MCU中微半導體電機控制產品
電機控制領域。CMS32M65xx系列MCU是中微半導體推出的基于ARM-Cortex M0+內核的高端電機控制專用芯片。主頻高達64MHz；工作電壓1.8V至5.5V；提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16
安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態特性分析
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281
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Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372
3722023年中國半導體分立器件銷售將達到4,428億元?
場效應管是由多數載流子參與導電的半導體器件，也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導體器件，具有噪聲小、功耗低、開關速度快、不存在二次擊穿問題，主要具有信號放大、電子開關、功率控制等功能，廣泛應用
2023-05-26 14:24:29
英飛凌推1200V SOI半橋柵極驅動器2ED132xS12x系列
EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產品，用于高功率應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機（高達10kW）。
2023-05-18 16:18:24315
315賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊
合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938
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請問N溝道、耗盡型的場效應管的三個管腳怎么接？
1.是N溝道，耗盡型的場效應管，是耗盡型。像圖上這樣的話，帶？的那端應該是什么極？是源極還是漏極？
2.電路不接管子之前電流還可以，接上場效應管，上電就短路，焊下來后測量柵極和源極之間不導通，源漏
2023-05-16 14:24:38
賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊
賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市） 在開發SiC（碳化硅） 功率模塊方面，已有十多年的良好合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊
2023-04-26 15:27:11517
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配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊
。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51606
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MOSFET的結構和閾值電壓
首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)這是MOSFET的簡易符號
2023-04-25 14:20:393011
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里陽半導體P6KE系列TVS二極管對I/O接口的應用
里陽半導體TVS二極管P6KE系列是專為保護敏感的電子設備免受瞬態電壓事引起的電壓瞬變，它擁有比普通二極管更大PN結面積和更大的通流能力，當電路承受一個高能量的瞬時過壓脈沖時。
2023-04-20 11:21:59203
203國內功率半導體需求將持續快速增長，歡迎廣大客戶通過華秋商城購買晶導微系列產品
及前瞻產業研究院數據，預計2021年我國半導體分立器件市場規模將達到3,229億元。就國內市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其
2023-04-14 16:00:28
國內功率半導體需求將持續快速增長
及前瞻產業研究院數據，預計2021年我國半導體分立器件市場規模將達到3,229億元。就國內市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其
2023-04-14 13:46:39
碳化硅SiC MOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
為何N溝道增強型MOS管的漏源電壓增大到一定反型層會消失呢？
對于N溝道增強型MOS管而言，為何漏源電壓增大到一定反型層會消失？此時柵極和襯底間不是仍然有一個正壓嗎
2023-03-31 15:31:55
內置 60V/5A MOS 寬輸入電壓降壓型 DC-DC
概述OC5802L 是一款支持寬電壓輸入的開關降壓型 DC-DC，芯片內置 60V/5A 功率 MOS，支持最高輸入電壓 55V。OC5802L 具有低待機功耗、高效率、低紋波、優異的母線電壓調整率
2023-03-24 11:35:11
工商網監
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