英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29117 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率
2024-03-20 08:13:0574 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181423 
英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領域?qū)Ω吣苄Ш?b class="flag-6" style="color: red">功率密度的不斷增長需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45203 
在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創(chuàng)新能力和領先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5297 在電力電子領域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術的推出，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 的功率，給無線充電器設備供電。LDR6328S也兼容傳統(tǒng)USB電源適配器。 2、特點 采用SOP-8封裝 兼容USBPD3.0規(guī)范，支持USBPD2.
2024-03-08 18:21:34288 
我目前正在探索將英飛凌 XMC4300 從控制器與 Xilinx Spartan-6 FPGA 集成到我們項目中的兼容性和通信協(xié)議選項。 具體來說，我想了解 XMC4300 是否適用于促進我們在
2024-03-06 07:47:12
近日，半導體封測領域的領軍企業(yè)日月光投控與知名芯片制造商英飛凌共同宣布，雙方已正式簽署收購協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，日月光投控將以6258.9萬歐元的價格，收購英飛凌位于菲律賓甲美地市及韓國天安市的兩座后段封測廠。
2024-02-25 11:11:01316 在關斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。
2024-02-23 09:38:53343 
英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。經(jīng)過這次擴展，雙方的合作新增了一項多年期產(chǎn)能預訂協(xié)議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性，還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅半導體產(chǎn)品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:33332 英飛凌科技與格芯近日宣布了一項新的多年期供應協(xié)議，該協(xié)議涵蓋了英飛凌的AURIX? TC3x 40納米汽車微控制器以及電源管理和連接解決方案。這一合作旨在滿足英飛凌在2024年至2030年間的業(yè)務增長需求，通過鎖定新增產(chǎn)能，為英飛凌提供穩(wěn)定的供應鏈保障。
2024-02-02 10:30:22215 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 ：GFS）近日宣布，就英飛凌的AURIX? TC3x 40納米汽車微控制器以及電源管理和連接解決方案達成一項新的多年期供應協(xié)議。這一新增產(chǎn)能的鎖定將有助于滿足英飛凌2024年至2030年的業(yè)務增長需求
2024-01-31 17:34:0293 
英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應鏈的穩(wěn)定性。
2024-01-31 17:31:14439 英飛凌科技股份公司近日宣布與全球領先的能源互聯(lián)網(wǎng)核心電力設備及解決方案領軍企業(yè)盛弘電氣股份有限公司達成合作。英飛凌將為盛弘電氣提供業(yè)內(nèi)領先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體器件，并配合EiceDRIVER? 緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動IC，共同提升儲能變流器的效率。
2024-01-31 11:13:36423 協(xié)議。這份協(xié)議最初簽訂于2018年2月（當時Wolfspeed以Cree的名字為人所知）。擴展的合作包括一個多年的產(chǎn)能預留協(xié)議。這對英飛凌的供應鏈穩(wěn)定性至關重要，也考慮到了碳化硅半導體產(chǎn)品在汽車、太陽能、電動車（EV）應用以及能源存儲系統(tǒng)越來越大的需求。 英飛凌的
2024-01-30 17:06:00180 
技術領域的領導者Wolfspeed（NYSE代碼：WOLF）近日宣布擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。經(jīng)過此次擴展，雙方的合作又新增了一項多年期產(chǎn)能預訂協(xié)議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性，還能幫助滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲
2024-01-30 14:19:1677 
英飛凌與格芯近日宣布了一項新的多年合作協(xié)議，旨在加強歐洲在汽車半導體領域的地位。根據(jù)協(xié)議，格芯將為英飛凌生產(chǎn)AURIX TC3x系列汽車微控制器（MCU）以及電源管理和連接解決方案。
2024-01-25 17:05:19514 英飛凌科技股份公司與格芯近日宣布達成一項新的多年合作協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，格芯將為英飛凌生產(chǎn)AURIX TC3x 40納米汽車微控制器（MCU）以及電源管理和連接解決方案。這一合作將有助于確保英飛凌在2024至2030年間的業(yè)務增長，并進一步提升公司在汽車半導體領域的競爭力。
2024-01-25 16:09:56194 英飛凌科技（Infineon Technologies）與美國半導體制造商Wolfspeed近日宣布，雙方將擴大并延長現(xiàn)有的晶圓供應協(xié)議。這一協(xié)議的擴展將進一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關系，以滿足市場對碳化硅（SiC）晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。
2024-01-24 17:19:52440 近日，英飛凌與SiC晶圓供應商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項協(xié)議。
2024-01-19 10:00:07218 英飛凌與韓國SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達成了一項重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圓，以支持英飛凌在SiC半導體生產(chǎn)方面的需求。
2024-01-17 14:08:35225 /導讀/英飛凌作為全球功率半導體市場絕對的領軍者，對全球“減碳”事業(yè)的探索也一直走在前列。2023年4月，英飛凌還將工業(yè)功率控制事業(yè)部正式更名為零碳工業(yè)功率（GIP
2024-01-10 08:13:51152 
英飛凌是全球半導體領域的領導者，12月23日，英飛凌160VMOTIX三相柵極驅(qū)動器IC獲得年度國際功率器件行業(yè)卓越獎。本次評獎活動由世紀電源網(wǎng)舉辦，旨在通過客觀、真實、公開的評選方式，評選
2023-12-30 08:14:04173 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經(jīng)過系統(tǒng)和應用優(yōu)化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
傳輸?shù)紼therCAT網(wǎng)絡中。這種轉(zhuǎn)換過程可以實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的采集、傳輸和處理，同時還可以實現(xiàn)不同協(xié)議之間的互聯(lián)互通，提高系統(tǒng)的兼容性和可擴展性。
CCLINKIE轉(zhuǎn)EtherCAT協(xié)議應用的主要優(yōu)勢包括：
數(shù)據(jù)采集與傳輸
2023-12-17 13:02:59
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中
2023-12-12 18:04:37494 
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領先的半導體公司，專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業(yè)自動化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領域。在電力管理領域，英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 
本文提供了來自英飛凌的兩個文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin這個單個模板中文件中包含了286個模型。
2023-12-06 11:32:46505 
模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
功率MOSFET在電力電子設備中應用十分廣泛，因其故障而引起的電子設備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進一步推廣應用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應的PCB設計，銅箔面積布設多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiCMOSFET能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術在這一功率等級應
2023-12-02 08:14:01310 碳化硅MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅(qū)動電壓的選擇、驅(qū)動參數(shù)配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212 功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
2023-11-23 09:06:38407 
管理應用的 MRigidCSP? 封裝技術。AOS首顆應用該新型封裝技術的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實現(xiàn)在降低導通電阻的同時提高CSP產(chǎn)品的機械強度。這項新升級
2023-11-13 18:11:28219 
協(xié)議。英飛凌將建設并保留向現(xiàn)代/起亞供應碳化硅及硅功率模塊和芯片的產(chǎn)能直至 2030 年。現(xiàn)代/起亞將出資支持這一產(chǎn)能建設和產(chǎn)能儲備。 ? 英飛凌與現(xiàn)代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導體長期供貨協(xié)議 ? 現(xiàn)代汽車集團執(zhí)行副總裁兼全球戰(zhàn)略辦公室（GSO）負責人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51175 
英飛凌的功率半導體對電動汽車轉(zhuǎn)型至關重要。這種轉(zhuǎn)型將帶動功率半導體市場強勁增長，尤其是基于功能硅材料（如SiC）的半導體市場。通過在馬來西亞居林擴建廠房，英飛凌將打造全球最大的8吋SiC功率半導體
2023-11-07 11:00:57385 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
英飛凌科技、現(xiàn)代汽車公司和起亞公司達成了一項為期多年的SiC和Si功率半導體供應協(xié)議。英飛凌將建設并儲備制造能力，為現(xiàn)代/起亞提供SiC和Si功率模塊和芯片，直至2030年。現(xiàn)代/起亞將提供資金支持
2023-10-23 15:40:35436 汽車電子MOSFET發(fā)展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中。現(xiàn)在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
pd充電協(xié)議和qc充電協(xié)議兼容嗎
2023-09-26 08:04:20
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
傳遞? 能適應于任意外形和配置的PC? 提供一個標準接口，能快速應用于產(chǎn)品中? 允許擴展出新的USB設備類，以提升PC的功能? UBS2.0協(xié)議必需向下兼容，以容納早期版本的設備
2023-09-07 08:03:40
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
2ED020I06-FI是一款高電壓，高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，具有聯(lián)鎖高側(cè)和低側(cè)參考輸出。浮動高側(cè)驅(qū)動器可以直接供電，也可以通過二極管和電容供電。除了每個驅(qū)動器的邏輯輸入外
2023-08-24 18:21:45
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SAS4xNN系列引腳兼容的SAS/SATA擴展器.pdf》資料免費下載
2023-08-22 11:36:32
0 產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達 800 A ，擴展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設計的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場直播于5月23日順利結(jié)束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設計理念、高性能封裝互聯(lián)方案.XT
2023-07-31 17:30:06847 采用 SOP8 封裝，且外圍元器件少。
特點
1.5A 的最大輸出電流
60V/2A 的內(nèi)部功率 MOSFET
效率高達 93%
頻率可調(diào)
熱關斷
逐周期過流保護
寬輸入電壓范圍：6~60V
采用 SOP8 封裝
應用
分布式電源系統(tǒng)
電池充電器
工業(yè)電源系統(tǒng)
行車記錄儀，車載充電器，掃地機
2023-07-29 14:13:39
TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術，它解決了廣泛的應用，如適配器，電視、電機驅(qū)動、電動滑板車、電池管理、輕型電動汽車、機器人、電源和園藝工具。
2023-07-19 10:44:25426 
/ OTCQX: IFNNY）與賽米控丹佛斯簽署了一項多年期批量供應硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將向賽米控丹佛斯供應IGBT和二極管的芯片。采用這些芯片的功率模塊主要用于電動汽車的主驅(qū)。 ? 英飛凌汽車事業(yè)部總裁Peter Schiefer “作為汽車半導體領域的全球領導者，
2023-07-17 15:33:06316 英飛凌汽車部門總經(jīng)理Peter Schiefer表示：“作為汽車半導體領域的全球領軍人物，英飛凌為干凈、安全的乘車券提供改變格局的解決方案。今天，igbt和二極管通過電力動力系統(tǒng)的有效電力轉(zhuǎn)換，對電動汽車產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)換起到了重要的作用。
2023-07-14 10:50:02385 及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
的功率，給無線充電器設備供電。LDR6328S也兼容傳統(tǒng)USB電源適配器。 2、特點 采用SOP-8封裝 兼容USBPD3.0規(guī)范，支持USBPD2.
2023-07-06 10:55:15497 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37974 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關型應用中，發(fā)揮著開關的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯導產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關元件的功率半導體產(chǎn)品，所述開關元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31287 分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
Jasper Flex高功率飛秒光纖激光器 Jasper Flex高功率飛秒光纖激光器是用于微處理的新型高功率飛秒激光器。其緊湊的尺寸使其更易于使用和集成到
2023-05-24 10:14:45
的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。 ? 文：英飛凌科技高級應用工程師Jorge Cerezo ? 逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。 ? 在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降
2023-05-23 17:14:18618 
同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關動作應用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強度的定義，失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電路設計必備的能力。 本文將以下面三個方面進行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中會有一個看似復雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術正式注冊為JEDEC標準。
2023-04-29 03:28:004585 
為了應對相應的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標準。
2023-04-13 16:54:252876 
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 
ESP32擴展板ESP32 30P DEVKIT V1電源板模塊 ESP32S開發(fā)板擴展板
2023-04-04 11:05:05
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