作為世界頂級的RF模塊供應商，RFMD在十年前開始進入中國并且當時就開設了后道封裝測試工廠，這是為了給當時的諾基亞的星網工業園做配套，正是這一機緣，他們與自己的競爭對手相比就有了供應鏈上的優勢。據RFMD總裁兼首席執行官包國富（Bob Bruggeworth）透露，他們從來沒有對中國客戶缺貨的情況發生，這是他們中國戰略的集中體現。5年前，RFMD在上海設立了研發中心，現在RFMD在中國已經有2000名員工，在北京、上海和深圳擁有辦事機構，從制造、研發到銷售，人員非常整齊。

　　原來在國內他們主要做中低端的RF模塊，但是5年前在上海設立研發中心以后，大力投入，現在已經是全球三大研發中心之一。現在全球最先進的產品都已經放在上海進行研發，從最早的GSM到WCDMA和LTE，以及中國的TD-SCDMA產品，都在中國進行研發。現在聯想、中興、華為、展訊和高通中國，都已經是RFMD在中國的戰略客戶，相比他們的主要競爭對手Triquint和Skyworks，他們在中國的投入更大，公司的一半員工在中國。他們的基帶芯片伙伴，展訊、聯發科甚至高通現在都在中國，所以中國市場已經是RFMD最看重的市場。

　　從去年開始，整個中國的市場在往3G轉，不管是高端還是低端產品。而在上網的時候，機器所消耗的能量中80%都來自終端的RF功放，基帶和收發器只占有20%的功耗，所以功放的能源效率對于終端的續航時間是一個極端重要的問題。而他們的PowerSmart產品就是為了提高功放的能源效率。RFMD本月發布的最新的PowerSmart功率平臺產品系列，納入多個全新的3G和4G LTE PowerSmart產品型號。RFMD的PowerSmart功率平臺是運用新技術實現聚合式前端的前沿，針對多模式、多頻段應用，其包括智能手機、平板電腦和其它以數據為中心的移動寬帶設備。

　　RFMD最新的PowerSmart功率平臺包括PowerSmart 4G，這是一個能夠支持達12個4G LTE、3G和2G頻段的聚合多模式、多頻段功率平臺。

　　PowerSmart 4G特別適用于4G LTE操作，是RFMD第一代PowerSmart功率平臺的擴展，與第一代PowerSmart功率平臺相比，增加了三個額外的3G或4G頻段。PowerSmart 4G還包括所有必要的開關和信號調節功能且具有緊湊的參考設計，可為智能手機制造商提供適用于所有前端的單個可擴展來源。

　　PowerSmart產品系列還包括一個全新的功率平臺，該平臺經過優化，適用于新興3G入口（3Ge）應用，且能夠支持多達七個3G或2G頻段的多模式、多頻段范圍。與PowerSmart 4G類似，適用于新興3Ge應用的RFMD PowerSmart功率平臺也包括所有必要的開關和信號調節功能且具有緊湊的參考設計。

　　除了4G和3Ge功率平臺之外，RFMD仍在擴展PowerSmart產品系列，將增加多個3G和4G分立式功率放大器。分立式功率放大器可以與任一RFMD PowerSmart功率平臺隨意搭配，以擴展頻段或模式范圍。通過與PowerSmart功率平臺中的RF Configurable Power Core串聯，這些分立式功率放大器能在補償功率下提供很高的效率。

　　至于說到前道的GaAS工藝晶圓廠，包國富坦言，不是他們不愿意引入中國，實在是GaAS晶圓的產能已經超過實際需求的一倍，而且他們的技術使得使用CMOS標準工藝的產品比例大幅上升，大大壓縮了GaAS工藝的需求，所以在可預見的未來，整個行業不會再增加GaAS工藝生產線。