國際整流器（IR）推出新一代絕緣閘雙極電晶體（IGBT）技術平臺。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技術平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術，為工業及節能應用提供卓越的性能。

　　嶄新的Gen8設計讓頂尖的Vce（on）能減少功耗，增加功率密度，以及提供超卓的耐用性。國際整流器亞太區銷售副總裁潘大偉表示，該公司透過開發全新基準技術及頂尖的IGBT矽平臺，彰顯在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。國際整流器期望為所有電動馬達提供百分百變頻，借以更有效使用電能，并且綠化環境。

　　新技術針對馬達驅動應用提供更好的軟關斷功能，有助于把dv/dt減到最低，從而減少電磁干擾和過壓，以提升可靠性與耐用性。這個平臺的參數分布較狹窄，在高電流功率模組內并聯起多個IGBT之時，可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善熱阻和達到175℃的最高結溫。

　　潘大偉指出，國際整流器的Gen8 IGBT平臺憑借最佳的Vce（on）、耐用性及開關功能，能讓工業市場廠商所面對的艱巨難題迎刃而解。

　　關于IGBT：

　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。