電子發燒友網報道（文/劉靜）7月12日，北京通美晶體技術股份有限公司（以下簡稱：北京通美）科創板IPO成功過會。北京通美作為磷化銦襯底行業的巨頭之一，其2020年磷化銦襯底產品市場占有率位居全球第二
2022-07-15 08:10:00
5153 本內容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識
2011-11-03 17:45:134626 
松下與比利時微電子研究中心（IMEC）共同開發出了全自動小型基因檢測芯片。利用該芯片，1小時即可完成基因檢測。
2013-02-20 10:14:541112 藍碧石科技面向可穿戴設備，開發出可高達1W的無線供電芯片組“ML7661”（發射端）和“ML7660”（接收端）。
2021-11-25 10:45:594956 
硅-硅直接鍵合技術主要應用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結構又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
，通常將光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸線更好等特點，因為硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所有能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著傳輸速率要求，晶
2020-11-04 07:49:15
硅基光電子集成芯片，摩爾定律：摩爾定律是由英特爾（Intel）創始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月
2021-07-27 08:18:42
?是提高性能和降低價值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發，有望降低成本50%以上。 目前已開發出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進工藝技術，光效
2014-01-24 16:08:55
【作者】：李楊超;張銘;趙學平;董國波;嚴輝;【來源】：《納米科技》2010年01期【摘要】：采用射頻磁控濺射法制備了不同襯底溫度的CuCrO2薄膜,通過X射線衍射、掃描電鏡、紫外吸收光譜及電學性能
2010-04-24 09:00:59
問:為什么現在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？兩者有什么區別啊？答:為什么CMOS工藝采用P襯底，而不用N襯底？這主要從兩個方面來考慮：一個是材料和工藝問題；另一個是電氣性能問題。P型
2012-05-22 09:38:48
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
N32G430C8L7_STB開發板用于32位MCU N32G430C8L7的開發
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發，開發板主MCU芯片型號N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
三星電子近日宣布成功開發出高質量的CMOS圖像傳感器（CIS）芯片和照相機模組。該照相機模組有1/3英寸SXGA（130萬像素）、1/5.8英寸VGA（33萬像素）兩種規格，都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN之間有什么區別？
2019-07-31 07:54:41
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
TG傳輸門電路中。當C端接+5，C非端接0時。源極和襯底沒有連在一起，為什么當輸入信號改變時，其導通程度怎么還會改變？導電程度不是由柵極和襯底間的電場決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導通程度應該與輸入信號變化無關啊！而書上說起導通程度歲輸入信號的改變而改變？為什么?求詳細解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
使用cube開發工具進行開發出現中斷沒配置是為什么？
2021-11-16 09:00:53
晶體管連在一起。IMEC的方法則將SRAM單元的電源線埋在硅襯底內，然后利用節省出來的空間使關鍵的互連線更寬，從而降低導線電阻。在仿真中采用這種方法的SRAM存儲單元的讀取速度比采用傳統方法的SRAM
2020-05-11 15:40:48
日光燈管 T5/T8/T10…LED 球泡燈/玉米燈/蠟燭燈…其它小功率的 LED 照明[/tr][tr][/td][td]特點外圍電路簡單，無需磁性元件支持可控硅調光應用多芯片串聯或并聯應用芯片可
2020-05-08 10:39:14
` 未來醫療電子的發展，勢必會需要具備能夠彎曲自如表面的新材料。為此，IMEC聲稱，已經開發出一種能如皮膚般彎曲和伸展的電子電路。 IMEC位在根特大學(University of Ghent
2012-12-20 14:22:00
)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結構為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
`常見LED芯片的特點分析: 一、MB 芯片 定義：Metal BONding (金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產品。 特點： 1：采用高散熱系數的材料---Si 作為襯底
2018-01-31 15:21:20
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路
2012-01-12 10:47:00
各位大佬，有沒有硅嘜陣列，或者硅嘜降噪的芯片不?就是有個芯片，或者方案，做了可以支持兩個MIC或者有算法在里面的
2021-04-23 10:21:47
IC尺寸微縮仍面臨挑戰。為了使芯片微縮，總是利用光刻技術來推動。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術。1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設計中，采用硅襯底
2014-01-04 09:52:44
的尺寸和更輕的重量。 傳統硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導損耗和開關損耗。 功率晶體管是開關電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術）的開發已引起電力電子行業的關注
2023-08-21 17:06:18
, EEG)耳機是由IMEC、松下(Panasonic)以及荷蘭Holst Centre共同開發。該耳機可連續記錄多達8個EEG訊號。另外，IMEC也宣佈，該機構正與東京電子公司(Tokyo
2013-01-07 16:38:11
LOC（芯片級實驗室）整合了多種化學處理和分析技術，用硅、玻璃、多晶硅材料加工制作，由于玻璃的性能比較穩定，一般傾向于使用玻璃襯底，要解決的技術是廉價光源、檢測陣列和集成電子電路。微流體技術則指
2019-06-19 08:27:12
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發性異常，找不出規律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
`供應藍寶石襯底！深圳永創達科技有限公司 聯系電話***齊先生 網址www.yochda.com適用于外延片生產商與PSS加工`
2012-03-10 10:44:06
美國Sandia國家實驗室開發的5層多晶硅表面硅MEMS集成工藝代表了這一方向的最高水平，它主要為軍方的項目提供表面加工服務。與CMOS集成的機電一體化技術發展：相對體硅工藝，表面工藝由于保持了襯底
2018-11-05 15:42:42
下面由佑澤小編帶你了解：1.MB芯片定義與特點定義：MetalBonding(金屬粘著）芯片；該芯片屬于UEC的專利產品。特點：1）采用高散熱系數的材料---Si作為襯底，散熱容易。Thermal
2017-12-22 09:43:34
請教，襯底的缺陷密度對結深有什么影響
2019-04-26 07:50:15
微信可以開發出鴻蒙版嗎？eTS？
2022-05-05 10:27:56
適合5G應用的高頻襯底材料
2021-01-25 06:49:51
，N歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴展距離，把擴展電阻降至最小;第四步，將金屬化凸點的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護二極管(ESD)的硅載體上。 3藍寶石襯底過渡法： 按照傳統
2018-08-31 20:15:12
成功地在100G云數據中心內部署，可以與傳統的“芯片和線纜”分離解決方案競爭。預計硅光子將隨著云提供商過渡到下一個400G比特率時獲得市場份額。集成的硅光子平臺解決方案在波特率不斷提高的情況下，具有優于
2020-12-05 10:33:44
IMEC推動軟件定義無線電技術進程，開發人員首次演示高速通用平臺
IMEC宣布一款可處理用于各類廣域網和局域網的一系列先進的前向糾錯技術的芯片。該歐洲研發小組意在推
2008-10-22 08:28:00545 索尼開發出無水銀紐扣式電池
索尼公司發表的消息說，該公司最近開發出世界第一枚超小型鈕扣
2009-10-23 09:16:301016 Edison開發出天井燈模塊，應用范圍廣泛
Edison Opto公司近日開發出天井燈模塊，可廣泛應用于工業照明、廣場照明與賣場倉儲等。
采用艾笛森光電專有的LED照
2009-12-30 08:37:48571 鎂光南亞合作開發出42nm制程2Gb DDR3內存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501091 Hynix宣布已成功開發出26nm制程NAND閃存芯片產品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品，并于去年8月份開始量產這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 芯海科技開發出低功耗SoC衡器計量芯片
深圳芯海科技公司近日宣布推出低功耗SoC衡器計量芯片CSU11xx系列，包括CSU1182、CSU1181、及CSU1100三款產品。可降低電子
2010-02-22 10:10:261059 IMEC、瑞薩、M4S推出可重配置多標準無線收發器
IMEC、株式會社瑞薩科技（以下簡稱瑞薩）、M4S聯手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數據轉換器電
2010-03-01 11:14:01860 日本開發出氟類電解液
作為日本NEDO（新能源產業技術綜合開發機構）新一代車用蓄電池開發項目的一環，大金工業與關西大學
2010-04-02 11:55:00997 LED襯底材料有哪些種類
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:254039 歐洲微電子研究機構IMEC（比利時魯汶）日前宣布，已發布了一個早期版本的邏輯工藝開發套件（PDK），這是業界第一款用以解決14納米節點邏輯工藝的開發工具包，IMEC表示。
2012-03-09 08:54:16895 北京時間5月21日消息，三星電子成功開發出可生產比原有半導體芯片速度快百倍以上的芯片的新型基礎元件。
2012-05-22 14:19:364265 據物理學家組織網報道，美國哥倫比亞大學一項新研究證明石墨烯具有卓越的非線性光學性能，并據此開發出一種石墨烯-硅光電混合芯片。這種硅與石墨烯的結合，讓人們離超低功耗光
2012-07-19 09:25:352490 比利時微電子研究中心IMEC的研究人員們已經開發出一種納米級的氧化鋁鉿電介質（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質可用于平面 NAND Flash 結構中，并可望推動NAND flash在20nm及其以下先進制程進一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 傳感器芯片。根據在布魯塞爾舉行的年度IMEC技術論壇（ITF Brussels 2016）上公布的協議，英飛凌與IMEC將攜手開發針對汽車雷達應用的高度集成型CMOS工藝79 GHz傳感器芯片。
2016-06-01 10:41:07693 芯片是五面發光的，通常需要將將芯片置于支架內，反光杯的開口面積遠大于芯片發光面積，導致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍/白光LED的芯片結構強烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍寶石作為襯底材料
2016-11-05 08:19:156265 芯片圖解 為了避免正裝芯片中因電極擠占發光面積從而影響發光效率，芯片研發人員設計了倒裝結構，即把正裝芯片倒置，使發光層激發出的光直接從電極的另一面發出（襯底最終被剝去，芯片材料是透明的），同時，針對倒裝設計出方便LED封裝廠焊線的結構
2017-09-29 17:18:43
72 美國北達卡他州立大學（NDSU）的研究人員已經開發出一種嵌入超薄無源RFID芯片在紙或其他柔性基板的方法。該方法可以生產出具備RFID功能的紙張，比傳統的打印標簽或其它任何形式的RFID標簽都更節省
2017-12-07 14:32:01187 IMEC和ADI的目標為開發具全新感測功能，或感測功能大幅提升的低功耗設備。雙方長期以來已合作開發高性能、低功耗、高成本效益的電路和系統，目前則在共同進行兩項研發計劃。
2017-12-12 15:44:326296 據外媒報道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已經開發出1300 nm波段的近紅外芯片。Dowa表示，該新型芯片尺寸是之前型號的3.5倍，其輸出功率為6.8 mW。據稱，Dowa已經開始為該新型芯片提供樣品。
2018-09-10 11:20:004637 歐洲微電子中心IMEC與硬蛋科技近日簽訂了戰略合作協議，將在深圳成立IMEC硬蛋微電子創新中心。
2018-05-11 14:47:554225 
地球上除了IBM、英特爾、臺積電、三星具有強大的半導體工藝研發技術實力之外，比利時微電子中心IMEC也是全球知名的半導體研發中心，國內的14nm FinFET工藝就是跟他們合作的。
2018-05-29 15:10:002075 
從結構圖中看出，si襯底芯片為倒裝薄膜結構，從下至上依次為背面Au電極、si基板、粘接金屬、金屬反射鏡（P歐姆電極）、GaN外延層、粗化表面和Au電極。這種結構芯片電流垂直分布，襯底熱導率高，可靠性高；發光層背面為金屬反射鏡，表面有粗化結構，取光效率高。
2018-08-17 15:11:393864 據外媒報道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已經開發出1300 nm波段的近紅外芯片。
2018-09-14 16:06:174907 3月21日，三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251 厭倦了在小智能手表屏幕上點擊圖標？有朝一日，得益于IMEC在其比利時研發中心開發的手勢識別技術和小型化雷達技術，你將可以直接在空中滑動就完成指令。
2019-06-05 16:49:093556 MIT的研究人員開發出一種新型 “光子” 芯片，它使用光而不是電，并且在此過程中消耗相對較少的功率。
2019-06-12 09:23:463525 LED襯底材料是半導體照明產業的基礎材料，其決定了半導體照明技術的發展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033716 比利時魯汶（ChipWire） - 消費電子和半導體巨頭皇家飛利浦電子公司研究機構飛利浦研究院將開放位于這里的獨立微電子研究與開發中心Interuniversity Microelectronics
2019-08-12 17:56:103156 Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時魯汶的微電子研發中心共同開發新的光刻膠和殘留物去除工藝。
2019-08-13 10:15:107843 IMEC提出了一種扇形晶圓級封裝的新方法，可滿足更高密度，更高帶寬的芯片到芯片連接的需求。 IMEC的高級研發工程師Arnita Podpod和IMEC Fellow及3D系統集成計劃的項目總監Eric Beyne介紹了該技術，討論了主要的挑戰和價值，并列出了潛在的應用。
2019-08-16 07:36:003835 
看好在智能型手機全屏幕化趨勢下，晶電開發出能讓混光區域趨近于零的芯片，能更省電、光效也更好，差異化產品讓晶電打進多家手機大廠，其中，又以陸系品牌廠貢獻量最大；手機訂單提升，晶電來自手機營收占比從不到5％，提升到近一成。
2019-10-01 16:50:001964 本周，ARM和臺積電宣布，基于臺積電最先進的CoWoS晶圓級封裝技術，開發出7nm驗證芯片（Chiplet小芯片）。
2019-09-29 15:44:022862 紅外探測器應用非常廣泛，而imec的新技術將極大地擴展其應用可能，包括安防監視、生物識別、虛擬/增強現實（VR/AR）、機器視覺以及工業自動化等。
2019-11-09 10:05:50968 2月28日，美國泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時微電子中心合作開發了新的EUV光刻技術，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產能，還將光刻膠的用量最多降至原來的1/10，大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583228 比利時的獨立半導體高科技研究機構imec每年都會在東京舉辦該公司的年度研究介紹活動“ imec技術論壇（日本）”，由于疫情原因，今年以在線形式于舉行。
2020-11-29 09:46:331848 據報道，武漢大學的研究團隊近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法，提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵（InGaN/GaN）倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 ? 在去年六月舉辦的IEEE Symposium on VLSI Technology會議上，IMEC展示了基于N14工藝開發的單片集成CFET器件，由于N/P之間更加緊湊，相比較“順序法”制備
2021-01-08 09:32:564000 日本關西學院大學和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發出“動態AGE-ing”技術，這是一種表面納米控制工藝技術，可以消除使SiC襯底上的半導體性能變差的缺陷。
2021-03-06 10:20:083028 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）基礎科學學院的Tobias Kippenberg教授帶領的科學家團隊已經開發出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術，得到了創記錄的低光學損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392334 近日，瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團隊開發出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術，得到了創紀錄的低光學損耗，且芯片尺寸小。相關研究在《自然—通訊》上發表。
2021-05-24 10:43:384490 目前，IBM已開發出全球首個2nm芯片，這種新型2nm芯片所體現的IBM創新對整個半導體和IT行業至關重要，能夠在指甲大小的芯片上容納多達500億個晶體管，在半導體設計上實現了重大的突破。
2022-06-24 09:52:421762 IBM宣布已開發出全球首個2nm工藝的半導體芯片,采用三層GAA環繞柵極晶體管技術，首次使用底介電隔離通道，其潛在性能和電池續航能力都將得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561068 適合大功率半導體器件的理想襯底之一，由于其機械斷裂強度一般，應用時需要合金屬底板配合使用。三、氧化鈹（BeO）
2022-11-18 12:01:381279 在其擴展路線圖中，imec 為芯片技術的未來提出了一條替代路徑，在架構、材料、晶體管的新基本結構以及……范式轉變方面進行了根本性的改變。到 2036 年，imec 路線圖將使我們從 7 nm 到 0.2 nm 或 2 ?ngstr?m，保持兩到兩年半的介紹速度。
2023-02-06 16:01:52585 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩定性和抗拉強度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。
2023-02-14 14:36:081130 imec指出，IC制造衍生的二氧化碳排放量預計在未來10年增長4倍，一來是先進制程技術漸趨復雜，二來晶圓總產量增加; 為逆轉未來局勢，領先業界的半導體大廠已承諾在2030至2050年前達到碳中和或凈零。
2023-03-20 09:58:31560 IMEC IMEC總部設在比利時魯汶（Leuven, Belgium）,雇員超過一千七百名，包括超過三百五十名常駐研究員及客座研究員。IMEC有一條0.13微米8寸試生產線并已通過ISO9001認證。
2023-05-22 16:19:16849 
松下與比利時微電子研究中心(IMEC)共同開發出了1小時即可完成檢測的全自動小型基因檢測芯片。該芯片可利用數μL血液來檢測SNP(Single Nucleotide Polymorphism，單核苷酸多性態)等基因信息。
2023-08-01 21:29:03611 Imec表示，雖然升級單片設計是一個漫長的過程，但更換或添加小芯片應該像將黃色樂高積木換成藍色樂高積木一樣簡單。它可能發生在車輛的使用壽命期間。這使OEM有機會構建可靠而靈活的電子架構，該架構具有基本功能小芯片，并在同一封裝中通過特定工作負載的小芯片進行了增強。
2023-09-08 16:51:42387 SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實際的結構是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結構將有源硅層與襯底的硅層分開。而在傳統的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:031123 
據報道，全球領先的半導體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關技術方面取得了重大進展。該公司成功開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創新的運算架構，使其功耗僅為其他類似技術的1%。
2024-01-19 14:35:126646 電子科技領域中，半導體襯底作為基礎材料，承載著整個電路的運行。隨著技術的不斷發展，對半導體襯底材料的選擇和應用要求也越來越高。本文將為您詳細介紹半導體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54515 臺積電近日宣布，與工研院合作開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術的1%。這一創新技術為次世代存儲器領域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 來源：《半導體芯科技》 納米電子和數字技術研究和創新中心imec已經推出了公眾可以免費訪問的imec.netzero虛擬工廠版本。該工具提供了IC制造對環境影響的量化視圖，為學者、政策制定者和設計人
2024-02-26 12:15:3875
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