電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/Triquinne】 ：賽靈思公司（Xilinx）今天發(fā)布公告，宣布其20nm產(chǎn)品系列發(fā)展戰(zhàn)略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm產(chǎn)品系列建立在業(yè)經(jīng)驗(yàn)證
2012-11-14 15:32:29
1076 20nm能讓我們超越什么？對(duì)于像賽靈思（Xilinx）這樣剛剛在28nm上花了巨資量產(chǎn)的公司，為什么又要去追20nm呢？20nm FPGA會(huì)帶給我們什么樣的科技進(jìn)步？20nm FPGA背后到底蘊(yùn)藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:341317 臺(tái)積電（TSMC）的高管對(duì)即將來臨的20nm芯片生產(chǎn)與銷售信心滿滿，臺(tái)積電CEO張忠謀上周就曾做過一個(gè)預(yù)測(cè)，他說最新的20nm工藝芯片2014年的成績(jī)會(huì)比先前28nm芯片頭兩年賣得還要好。
2013-01-23 08:57:45699 賽靈思公司今天宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。賽靈思20nm產(chǎn)品系列建立在其業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的28nm突破性技術(shù)基礎(chǔ)之上，在系統(tǒng)性能、低功耗和可編程系統(tǒng)集成方面擁有著領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)。
2013-01-31 15:52:16893 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類似GlobalFoundries、聯(lián)電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來說就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141742 臺(tái)積電的20nm芯片生產(chǎn)設(shè)施或?qū)⑴c本月20日開始安裝,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC產(chǎn)品樣品,正常情況下將在2014年進(jìn)入量產(chǎn)。
2013-04-07 09:41:26910 Altera公司今天宣布，公司展出了業(yè)界首款具有32-Gbps收發(fā)器功能的可編程器件，在收發(fā)器技術(shù)上樹立了另一關(guān)鍵里程碑。此次展示使用了基于TSMC 20SoC工藝技術(shù)的20 nm器件，該成果證實(shí)了20nm硅片的性能。
2013-04-09 10:38:431249 Mentor CEO認(rèn)為：進(jìn)入20nm、14/16nm及10nm工藝時(shí)代后，摩爾定律可能會(huì)失效，每個(gè)晶體管成本每年的下降速度不到30%，這導(dǎo)致企業(yè)面臨的成本挑戰(zhàn)會(huì)更加嚴(yán)峻。
2013-09-20 10:06:001635 All Programmable FPGA、SoC和3D IC的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 （Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX） ）今天宣布推出其20nm All Programmable UltraScale?產(chǎn)品系列，并提供相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)文檔和Vivado?設(shè)計(jì)套件支持。
2013-12-10 22:50:33935 有消息稱，這款蘋果A8芯片將會(huì)采用臺(tái)積電的20nm制程工藝。出于貨源穩(wěn)定性的考慮，不會(huì)采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會(huì)在明年正式量產(chǎn)，但是產(chǎn)能和技術(shù)上仍不慎穩(wěn)定。
2013-12-16 08:56:431870 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整并（Consolidation）現(xiàn)象將更加明顯。半導(dǎo)體晶圓制造商的資本密集度在20納米（nm）及其以下的制程之后，將呈現(xiàn)更驚人的倍數(shù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，因此能負(fù)擔(dān)如此巨額資本資出（CAPEX）的廠商家數(shù)愈來愈少，帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備商、IC設(shè)計(jì)業(yè)者加速展開購并，以力鞏市場(chǎng)勢(shì)力版圖。
2014-01-21 09:15:10885 蘋果A7處理器推出后，高通也迅速推出了64位移動(dòng)處理器驍龍410，由于該處理器定位中低端，因此，它的風(fēng)頭反被NVIDIA推出的Tegra K1所搶去。對(duì)此，外媒傳來消息稱，高通將在2014年下半年推出高端產(chǎn)品驍龍810，其將采用20nm工藝制造，GPU也升級(jí)為Adreno 430。
2014-01-23 09:35:182462 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡(jiǎn)稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在率先量產(chǎn)20nm UltraScale系列產(chǎn)品之后，全球領(lǐng)先的All Programmable解決方案提供商賽靈思最近又推出了全新的16nm UltraScale+系列FPGA、3D IC和MPSoC產(chǎn)品。再次實(shí)現(xiàn)了遙遙領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)。
2015-03-04 09:47:261887 據(jù)報(bào)道AMD明年代號(hào)“北極群島”的GPU家族將完全跳過有問題的20nm工藝節(jié)點(diǎn)，北極群島系列GPU將直接采用14nm FinFE工藝生產(chǎn)，希望實(shí)現(xiàn)更高的效率。
2015-04-24 11:15:501150 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時(shí)降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯(cuò)成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271246 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56673 在目前市面上常見的SoC中，主要以28nm、20nm、16nm和14nm這4種制程為主，每種制程根據(jù)生產(chǎn)工藝不同還衍生出很多版本，比如28nm工藝，先后就有LP、HPM、HPC、HPC+四種版本。
2016-05-18 10:52:364402 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:481662 因應(yīng)快速成長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)，英特爾宣布推出Intel Cyclone 10可編程邏輯閘陣列(FPGAs)系列產(chǎn)品，均采用臺(tái)積電20納米先進(jìn)制程生產(chǎn)。
2017-02-28 08:39:12839 三星與臺(tái)積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭(zhēng)，無論誰領(lǐng)先一步，都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)上，臺(tái)積電一直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:491675 此前曾經(jīng)報(bào)道ARM的下一代架構(gòu)Cortex A15將提供雙倍于Cortex A9的性能，產(chǎn)品采用TSMC的28nm工藝，不過就在今天ARM和TSMC聯(lián)合宣布已經(jīng)成功流片20nm ARM Cortex-A15 MPCore芯片。
2011-10-19 09:10:401463 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：“熟悉FPGA行業(yè)和對(duì)賽靈思有一定了解的業(yè)界人士都知道，賽靈思在28nm技術(shù)上取得了多項(xiàng)重大突破， 其產(chǎn)品組合處于整整領(lǐng)先一代。基于28nm技術(shù)突破之上的20nm產(chǎn)品系列
2012-11-19 09:27:483587 集成更多的晶體管，制程工藝也就越先進(jìn)。而要讓制程變得更先進(jìn)，代價(jià)非常大，畢竟到納米級(jí)別的晶體管，每精細(xì)一點(diǎn)點(diǎn)，需要的投入呈幾何倍增長(zhǎng)。當(dāng)達(dá)到10nm級(jí)別的制程時(shí)，越往下研究，難度越大，門檻越高，投入也
2019-12-10 14:38:41
隨著工藝技術(shù)向65nm以及更小尺寸的邁進(jìn)，出現(xiàn)了兩類關(guān)鍵的開發(fā)問題：待機(jī)功耗和開發(fā)成本。這兩個(gè)問題在每一新的工藝節(jié)點(diǎn)上都非常突出，現(xiàn)在已經(jīng)成為設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)面臨的主要問題，我們?cè)撛趺唇鉀Q呢？
2019-08-07 07:17:02
求助：ISCA，HPCA，MICRO，IEDM等資料一站式匯總
2021-06-22 07:48:13
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
這里寫自定義目錄標(biāo)題一、 什么是PCM?二、PCM的實(shí)現(xiàn)過程三、PCM硬件接口四、PCM軟件接口歡迎使用Markdown編輯器新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標(biāo)題，有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入
2021-12-24 08:05:31
和大家分享一下IEDM的最初體驗(yàn)以及IEDM的最新研究成果
2021-04-13 06:50:39
本帖最后由 i2c 于 2014-9-1 17:35 編輯
在一類產(chǎn)品發(fā)售之前，還沒有一種半導(dǎo)體工藝像20 nm節(jié)點(diǎn)這樣引起這么大的爭(zhēng)議。爭(zhēng)論在于，節(jié)點(diǎn)是否應(yīng)該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法。它
2014-09-01 17:26:49
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)都是相變存儲(chǔ)器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲(chǔ)器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
The PCM1750 is a low cost, dual 18-bit CMOSanalog-to-digital converter optimized for dynamic
2008-12-18 15:18:54
21 The PCM63P is a precision 20-bit digital-to-analogconverter with ultra-low distortion (–96dB max
2008-12-18 19:50:4534 frequency characteristicsfor the PCM1717 series which include on-chip digitalfilters. The contents of this article apply to the PCM17
2009-06-03 14:31:5636 frequency characteristicsfor the PCM1717 series which include on-chip digitalfilters. The contents of this article apply to the PCM17
2009-06-10 12:12:2525 DESCRIPTIONThe DEM-PCM1702 is an evaluation fixture for Burr-Brown’s sign-magnitude, 20
2010-06-26 10:56:1921 The PCM1770 and PCM1771 devices are CMOS, monolithic, integrated circuits which include stereo
2010-06-26 12:00:4743 The PCM1772 and PCM1773 devices are CMOS, monolithic, integrated circuits which include stereo
2010-06-26 12:11:2620 PCM1780, P
2010-06-26 12:33:389 什么是PCM
PCM是用于將一個(gè)模擬信號(hào)（如話音）嫁接到一個(gè)64kbps的數(shù)字位流上，以便于傳輸。PCM將連續(xù)的模擬信號(hào)變換成離散的數(shù)字信號(hào)，在數(shù)字音響中普遍采用的是脈沖編
2009-04-10 12:55:2525204 PCM編碼器,PCM編碼器是什么意思
優(yōu)先編碼器：
上述機(jī)械式按鍵編碼電路雖然比較簡(jiǎn)單，但當(dāng)同時(shí)按下兩個(gè)或更多個(gè)鍵時(shí)，其輸出將是
2010-03-08 16:27:552243 臺(tái)積電又跳過22nm工藝 改而直上20nm
為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:16867 具有PCM和DSD雙功能的DAC芯片PCM1738
摘要：PCM1738是B-B公司生產(chǎn)的高級(jí)數(shù)模轉(zhuǎn)換數(shù)碼音響芯片，利用它可以同時(shí)對(duì)SACD音頻格式的DSD數(shù)據(jù)流和DVD-Audio用的PCM編
2010-04-23 12:27:256486 
GlobalFoundries日前試產(chǎn)了20nm測(cè)試芯片，該芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的設(shè)計(jì)工具。此次試制的測(cè)試芯片使用了雙重圖形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111269 AMD考慮改變傳統(tǒng)的工藝策略，不再一味盲目追新。現(xiàn)在我們談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">20nm和14nm。我認(rèn)為我們?cè)趤喸邮澜缰行凶叩么_實(shí)很艱難。轉(zhuǎn)換到新工藝所帶來的價(jià)格優(yōu)勢(shì)已經(jīng)開始模糊
2011-12-18 14:21:13807 Sondrel公司近日將在IIC-China 2012現(xiàn)場(chǎng)展示20nm的模擬和數(shù)碼設(shè)計(jì)技術(shù)。Sondrel在歐洲不同國(guó)家，以及以色列和中國(guó)有強(qiáng)大的設(shè)計(jì)服務(wù)團(tuán)隊(duì)，包括前端，驗(yàn)證，DFT等全套設(shè)計(jì)服務(wù)。
2012-02-23 09:49:46994 介紹了PCM采編器的工作原理，并且詳細(xì)解釋了采用VerilogHDL語言用EDA的方法設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)PCM采編器的仿真及下栽過程，說明了PCM采編器在通信及廣播領(lǐng)域的廣泛用途。
2012-04-01 15:07:4274 晶圓代工巨擘臺(tái)積電（TSMC）日前表示，將在 20nm 節(jié)點(diǎn)提供單一製程，這與該公司過去針對(duì)不同製程節(jié)點(diǎn)均提供多種製程服務(wù)的策略稍有不同。
2012-04-22 11:09:441076 GlobalFoundries 已開始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔（TSV）設(shè)備。如果一切順利，該公司希望在2013下半年開始採用 20nm 及 28nm 製程技術(shù)製造3D堆疊晶片。
2012-05-01 10:13:121039 GlobalFoundries 公司正在仔細(xì)考慮其 20nm 節(jié)點(diǎn)的低功耗和高性能等不同製程技術(shù)，而在此同時(shí)，多家晶片業(yè)高層也齊聚一堂，共同探討即將在2014年來臨的 3D IC ，以及進(jìn)一步往 7nm 節(jié)點(diǎn)發(fā)
2012-05-06 11:06:351253 據(jù)報(bào)道，2012年臺(tái)積電準(zhǔn)備為其R&D投入13億美元，作為本年度資本支出預(yù)算中的一部分。去年，臺(tái)積電的R&D預(yù)算首次突破10億美元。而今年多出的30%將會(huì)用于20nm和14nm工藝研發(fā)。20nm工藝預(yù)計(jì)
2012-05-15 10:18:21675 南韓媒體朝鮮日?qǐng)?bào)、聯(lián)合新聞通訊社（Yonhap News ）日文版18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布，已領(lǐng)先全球于前（4）月開始量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的低耗電力（LP）DDR2 Mobile DRA
2012-05-19 08:19:501078 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）預(yù)計(jì)會(huì)在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進(jìn)入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開與三星電子（
2012-07-18 09:44:33840 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636 Altera公司昨日公開了在其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)。延續(xù)在硅片融合上的承諾，Altera向客戶提供終極系統(tǒng)集成平臺(tái)，以結(jié)合FPGA的硬件可編程功能、數(shù)字信號(hào)處理器和微
2012-09-07 09:25:04657 每一代硅片新技術(shù)既帶來了新機(jī)遇，也意味著挑戰(zhàn)，因此，當(dāng)我們?cè)O(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)，需要重新審視最初所作出的成本和功耗決定。20 nm以及今后的硅片技術(shù)亦是如此。 Altera在 20nm 制造節(jié)點(diǎn)的
2012-09-07 09:41:08477 臺(tái)積電積極開發(fā)20nm制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)下，未來1~2年內(nèi)有機(jī)會(huì)獨(dú)吞蘋果（Apple）A7處理器訂單。野村證券評(píng)估，臺(tái)積電明年第1季開始試產(chǎn)A7，順利的話，后年上半
2012-09-28 09:40:061048 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)行檢查。光學(xué)臨近校正法
2012-09-29 10:30:461761 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)
2012-10-08 16:00:14915 近期，Altera發(fā)布其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)，延續(xù)在硅片融合上的承諾，克服了20nm設(shè)計(jì)五大挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)集成、串行帶寬、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101077 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示： 本文就可編程邏輯廠商阿爾特拉（Altera）公司首次公開的20nm創(chuàng)新技術(shù)展開調(diào)查以及深入的分析；深入闡述了FPGA邁向20nm工藝，Altera憑借其異構(gòu)3D IC、高速收發(fā)器
2012-11-01 13:48:581993 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：關(guān)于摩爾定律的經(jīng)濟(jì)活力問題，有很多的討論。在過去的一年中，20nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到這個(gè)辯論的前沿和中心。無論說辭如何，包括賽靈思在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521196 根據(jù)三星的官方描述這個(gè)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動(dòng)生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:53997 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊 ：臺(tái)積電28nm良率大幅提升的利好還沒被市場(chǎng)徹底消化， FPGA業(yè)界雙雄 已爭(zhēng)先恐后地發(fā)布20nm FPGA戰(zhàn)略，在性能、功耗、集成度等方面均大幅躍升，蠶食ASIC之勢(shì)將愈演愈烈
2012-11-30 11:51:231865 據(jù)《韓國(guó)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，NVIDIA在新制造工藝上已經(jīng)選中了臺(tái)積電的20nm，雙方的長(zhǎng)期合作將繼續(xù)深入下去，而這也意味著，NVIDIA代號(hào)麥克斯韋（Maxwell）的下代GPU仍將出自臺(tái)積電之手。
2012-12-07 17:00:14839 20nm節(jié)點(diǎn)在是否應(yīng)該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法以及是否需要finFET晶體管上引起頗大爭(zhēng)議。本文深入探究20 nm技術(shù)的發(fā)展前景和挑戰(zhàn)，為大家解惑。
2012-12-14 11:37:542659 Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)，究竟在20 nm制程上，Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進(jìn)使其保持領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代的優(yōu)勢(shì)？詳見本文
2013-01-10 09:33:43961 臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)將為蘋果提供AP/ GPU集成的解決方案，并且采用20nm Soc片上系統(tǒng)工藝為蘋果代工。
2013-01-17 20:58:171257 比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 賽靈思公司今天宣布，延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新，在20nm工藝節(jié)點(diǎn)再次推出兩大行業(yè)第一：投片半導(dǎo)體行業(yè)首款20nm器件，也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All
2013-07-09 20:01:503807 （TWSE： 2330， NYSE： TSM）生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首款20nm產(chǎn)品，同時(shí)也是可編程邏輯器件（PLD）產(chǎn)業(yè)首款20nm All Programmable 產(chǎn)品。賽靈思UltraScale?器件采用
2013-11-12 11:24:051214 017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流，這對(duì)我們?cè)O(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)是一個(gè)很大的啟示：我們?cè)趺礃舆m應(yīng)全球先進(jìn)工藝。
2013-12-16 09:40:211925 2014年12月22日，中國(guó)北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其 Kintex? UltraScale? KU040 FPGA成為業(yè)界首款投入量產(chǎn)的20nm器件。
2014-12-22 17:36:13967 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其Virtex? UltraScale? 20nm FPGA已應(yīng)用于JDSU ONT 400G以太網(wǎng)測(cè)試平臺(tái)。
2015-04-09 11:13:25857 在今年即將于美國(guó)加州舉行的國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）上，來自三星（Samsung）、東芝（Toshiba）、海力士（SK Hynix）等公司的研究團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將發(fā)表多項(xiàng)有關(guān)磁阻式隨機(jī)存取記憶體（MRAM）的最新發(fā)展。
2016-11-29 13:39:29854 幾個(gè)星期之前在2015OFC展上，JDSU 推出了基于20nm UltraScale全可編程器件的預(yù)標(biāo)準(zhǔn)ONT 400G以太網(wǎng)測(cè)試平臺(tái)。新的測(cè)試平臺(tái)采用了JDSU成功的ONT測(cè)試平臺(tái)結(jié)構(gòu)，其率先
2017-02-09 04:56:33245 在絕大部分使用電池供電和插座供電的系統(tǒng)中，功耗成為需要考慮的第一設(shè)計(jì)要素。Xilinx決定使用20nm工藝的UltraScale器件來直面功耗設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文描述了在未來的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來降低功耗的19種途徑。
2018-07-14 07:21:005058 以賽靈思 20nm UltraScale 系列的成功為基礎(chǔ)，賽靈思現(xiàn)又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列 FPGA、3D IC 和 MPSoC，憑借新型存儲(chǔ)器、3D-on-3D 和多處理SoC（MPSoC）技術(shù)，再次領(lǐng)先一代提供了遙遙領(lǐng)先的價(jià)值優(yōu)勢(shì)。
2017-02-11 16:08:11660 我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實(shí)這些數(shù)值所代表的都是一個(gè)東西，那就是處理器的蝕刻尺寸，簡(jiǎn)單的講，就是我們能夠把一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。
2017-07-05 09:24:482962 20nm會(huì)延續(xù)摩爾定律在集成上發(fā)展趨勢(shì)，但是要付出成本代價(jià)。2.5D封裝技術(shù)的發(fā)展，進(jìn)一步提高了集成度，但是也增大了成本，部分解決了DRAM總線電源和帶寬問題，在一個(gè)封裝中集成了種類更多的IC。隨著系統(tǒng)性能的提高，這一節(jié)點(diǎn)也增加了體系結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度。目前為止，它也是功耗管理最復(fù)雜的節(jié)點(diǎn)。
2017-09-15 09:54:3010 一、PCM接入設(shè)備概述 PCM的含義 PCM：Pulse Code Modulation的縮寫，即：脈沖編碼調(diào)制。脈沖編碼調(diào)制的作用：將模擬信號(hào)經(jīng)抽樣、量化、編碼轉(zhuǎn)成標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字信號(hào)。 PCM設(shè)備
2017-11-16 16:26:0544 在28nm技術(shù)突破的基礎(chǔ)上，賽靈思又宣布推出基于20nm節(jié)點(diǎn)的兩款業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產(chǎn)品的公司。此外，該新型器件也是賽靈思將向市場(chǎng)推出的首款采用UltraScale技術(shù)
2018-01-12 05:49:45706 該應(yīng)用報(bào)告提供了PCM2912A和PCM2912設(shè)備之間的差異。
2018-05-17 16:42:0038 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個(gè)人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng)，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng)，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來源。
2018-08-28 16:09:212734 關(guān)鍵詞：UltraScale+ , MPSoC , 3D IC 引言 在賽靈思 20nm UltraScale MT 系列成功基礎(chǔ)上，賽靈思現(xiàn)又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列
2018-12-28 00:02:02832 ADI Guneet Chadha探討電源系統(tǒng)管理(PSM)如何確定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8個(gè)電源的時(shí)序或按照預(yù)定順序開啟各電源
2019-07-24 06:16:001618 而臺(tái)積電在堅(jiān)持了 20nm 和 16nm 兩代之后，也主動(dòng)回到了 10nm 的正軌。原因非常簡(jiǎn)單，因?yàn)?NAND 顆粒并不是制程越小性能越好，20nm 之后就會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的電子干擾，所以在 20nm
2019-05-01 10:50:002136 “臺(tái)積公司是我們?cè)?28nm、20nm 和 16nm 實(shí)現(xiàn)‘三連冠（3 Peat）’成功的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。其出色的工藝技術(shù)、3D 堆疊技術(shù)和代工廠服務(wù)，讓賽靈思在出色的產(chǎn)品、優(yōu)異的品質(zhì)、強(qiáng)大的執(zhí)行力以及領(lǐng)先的市場(chǎng)地位上享有了無與倫比的聲譽(yù)。
2019-08-01 09:24:522209 賽靈思UltraScale架構(gòu)：行業(yè)第一個(gè)ASIC級(jí)可編程架構(gòu)，可從20nm平面晶體管結(jié)構(gòu) （planar）工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術(shù)擴(kuò)展，從單芯片（monolithic）到3D IC擴(kuò)展。
2019-12-18 15:30:23801 在20nm以下制程，該公司也將沿用此一發(fā)展策略，持續(xù)加強(qiáng)與IC設(shè)計(jì)公司合作，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率與降低投資風(fēng)險(xiǎn)。
2020-09-08 14:11:272024 BM和Leti在IEDM上發(fā)表的關(guān)于Nanosheet的工作進(jìn)展：改進(jìn)蝕刻工藝，基于偶極子的Vt控制，在疊層下引入介電層降低寄生電容以及對(duì)納米片疊層中應(yīng)力的理解，以使Nanosheet架構(gòu)朝著量產(chǎn)邁進(jìn)。應(yīng)力會(huì)影響載流子遷移率，進(jìn)而影響器件性能，因此也是未來工藝優(yōu)化的關(guān)鍵。
2020-12-24 15:52:21186 晶體管是器件中提供開關(guān)功能的關(guān)鍵組件。幾十年來，基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時(shí)，平面晶體管開始出現(xiàn)疲態(tài)。為此，英特爾在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進(jìn)。
2021-03-22 11:35:242075 AMD-Xilinx在20nm & 16nm節(jié)點(diǎn)Ultrascale系列器件使用FinFET工藝，F(xiàn)inFET與Planar相比在相同速度條件下功耗低20%-50%。
2022-12-29 14:44:491165 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129
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