同樣是存儲器芯片,DRAM產品的價格在持續下行,市場一片冰天雪地;而NOR Flash產品則在需求持續上漲的推動下,價格企穩,且多家企業都由于供貨吃緊,醞釀漲價中......
2019-09-18 17:19:2912489 報導,存儲器三強三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結束后,三大廠認為以25
2014-04-04 09:08:421340 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰全面引爆,近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續來臺鎖定IC設計和DRAM廠強力挖角,目前傳出包括鈺創員工、并入聯發科的NOR Flash設計公司常憶,以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續,取決于存儲器龍頭三星電子,要是三星擴產,好景恐怕無法持續。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人,傳出決定擴產,新產線預計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 第六章為重用外設驅動代碼,本文內容為6.2 SPI NOR Flash 存儲器。
2017-12-21 07:59:0013840 在有一些應用中,我們可能需要大一些容量的存儲單元,而實現的形式多種多樣,在這一篇中我們將來討論怎么使用BY25QXXX系列NOR FLASH存儲器的問題。
2022-12-07 10:07:171367 DRAM(動態隨機存取存儲器)存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷,而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 動態隨機存取存儲器(DRAM)第四季價格持續下跌,存儲器封測廠受到客戶要求降價,近期已同意本季調降調降封測售價5%到10%,將沖擊本季毛利表現。
2011-11-19 00:26:271152 (Dynamic RAM,DRAM)。SRAMSRAM(Static RAM,靜態隨機存儲器),不需要刷新電路,數據不會丟失,而且,一般不是行列地址復用的。但是他集成度比較低,不適合做容量大的內存,一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單,每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
以分成SRAM(Static RAM:靜態RAM)和DRAM(dynamic RAM:動態RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫,翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
技術的日趨成熟,存儲器價格會回穩.然而就DRAM市場來說,誰也不知道DRAM的供貨何時才會穩定下來.再來看市場需求狀況,雖然有些存儲器市場分段的市場需求正在增長,但是這些分段的增長幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側.
2019-07-16 08:50:19
SRAM:其特點是只要有電源加于存儲器,數據就能長期保存。 2、動態DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時間,因此,每隔一定時間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變。 可現場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM:其特點是只要有電源加于存儲器,數據就能長期保存。 2、動態DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時間,因此,每隔一定時間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變。 可現場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理:結構:芯片參數與引腳解讀:CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理:結構芯片引腳解讀:【5】存儲器系統設計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門,之后在此基礎上,形成組合邏輯用于存儲信息,例如R-S鎖存器和門控D鎖存器,進而進一步組合復雜化,形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應用就是應用程序存儲在Flash/ROM中,初始這些存儲器地址是從0開始的,但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長,造成其內部執行頻率不高,故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去,然后重新映射存儲器空間,將相應SRAM/DRAM映射到地址0,重新執行程序可達到高速運行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個人電腦的角度看嵌入式開發板——小白學ARM(五)各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND???mini2440開發板vs個人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品參數存儲器容量256Mb (16M x 16)存儲器構架(格式)DRAM存儲器類型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲器接口類型Parallel
2018-10-24 11:14:57
問題一:位圖都存儲在哪了?都在程序存儲器里嗎問題二:能不能將位圖存儲到外部內存中?問題三:F429的程序存儲器和數據存儲器有多大?
2020-05-20 04:37:13
各位大神好,我想用FPGA讀寫DRAM存儲器,求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡,好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類?Flash存儲器有什么特點?Flash與DRAM有什么區別?
2021-06-18 07:03:45
Flash存儲器是一種基于浮柵技術的非揮發性半導體存儲器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
SRAM(StaticRandom-AccessMemory):靜態隨機存儲器,所謂的“靜態”,是指這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數據就可以恒常保持。DRAM(Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點,同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器,因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
的普及應用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應用的嵌入式存儲器,其后在第二階段,它將取代手機中的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。圖1 65nm產品會取代嵌入式存儲器,45nm
2023-04-07 16:41:05
供電,它的資料就會一直存在,不需要動態刷新,所以叫靜態隨機存儲器。以上主要用于系統內存儲器,容量大,不需要斷電后仍保存數據的。PSRAMPSRAM ,假靜態隨機存儲器。具有一個單晶體管的DRAM儲存格
2015-11-04 10:09:56
采取包緩沖器來提高處理能力,除了上面提及到的以外,隨著系統中存儲器資源的增加,動態存儲分配也是必需的,路由器或者交換機的這些附加功能正在重新定義這網絡系統的設計。 具有更多新功能的網絡系統 并隨著
2017-06-02 10:45:40
靜態隨機存取存儲器SRAM是什么?有何優缺點?動態隨機存取存儲器DRAM是什么?有何優缺點?
2021-12-24 07:04:20
說明和庫中自帶的例程。以下內容來自AN2784應用筆記:2 與非總線復用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個NOR閃存存儲器,需要FSMC提供下述功能:●選擇合適的存儲塊映射NOR
2015-01-22 15:56:51
說明的中文翻譯版中并沒有這部分的說明,因此需要參考庫函數的相關說明和庫中自帶的例程。以下內容來自AN2784應用筆記:2 與非總線復用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個NOR閃存存儲器,需要
2015-01-22 15:56:51
問:動態儲器和靜態存儲器有什么區別?答:當然動態儲器(DRAM)與靜態存儲器(SRAM)除了速度外,它們的價格也是一個天一個地,依據實際情況進行設計,以降底產品成本,下面是它們的價紹.SRAM(靜態
2011-11-28 10:23:57
存儲器是怎樣進行分類的?分為哪幾類?為什么要對DRAM進行刷新?如何進行刷新?
2021-09-28 08:50:24
隨著電動汽車技術的發展,以及***的政策鼓勵與扶持,電動汽車(混動+純電動)以每年超過50%的速度高速增長,電池以及電池管理系統作為電動汽車的核心組件,其市場需求也獲得相應的快速增長。本文將就電池管理系統對存儲器的需求進行分析。
2019-07-30 06:46:09
Erasable PROM)。 (6) 混合型。 二、半導體存儲器分類 1、按功能分為 (1)隨機存取存儲器(RAM)特點:包括DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器),當關機或斷電
2020-12-25 14:50:34
flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼,用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類,一種稱為靜態RAM(Static
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態存儲器 SRAM——Static RAM(動態存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節尋
2022-01-26 07:30:11
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統中,外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash,都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構成包含頁內地址,頁(Page),塊(Block)。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
的測試系統應運而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統硬件設計與實現,對各種數據位寬的多種存儲器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)進行了詳細的結口
2019-07-26 06:53:39
/383681#M3607我要將數據矩陣存儲在fpga而不是LUT的塊存儲器中作為內存!因為基于我編寫的代碼中的上述鏈接,它使用LUT作為內存而不是fpga的塊內存。所以它的容量很低.....我需要更多的空間來存儲像素數據。能否指導我如何在塊存儲器中寫入和讀取矩陣?謝謝
2019-11-07 07:30:54
?我可以只使用內部存儲器來存儲幀緩沖區,而不是外部存儲器,如 QSPI 、帶 FMC 的 SDRAM 嗎?如果有人對此有任何想法,請幫助我解決這個問題。
2022-12-06 07:24:53
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產品有別于競爭對手的產品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續增長,其復雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲器設計方法。
2019-11-01 07:01:17
如何滿足各種讀取數據捕捉需求以實現高速接口?怎么縮短高端存儲器接口設計?
2021-04-29 07:00:08
NOR閃存小。管理NAND和MobileRAM之間代碼的關鍵軟件特性是需求頁面調度,它可以根據處理器的預期在存儲器之間交換代碼/數據頁。 圖4:通過降低工作電流而不是待機電流可以最顯著地降低總的存儲器
2009-10-08 15:53:49
怎樣去降低H.264 INTRA幀編碼的運算復雜性和存儲器需求?
2021-04-21 07:17:16
程轉換不易,服務器等需求依然暢旺,Mobile DRAM的裝載量持續擴大,都給2018年DRAM的商機帶來足夠的支撐。3D NAND的多層化,既是進入障礙也是商機的來源,但非存儲器的商機仍然占了半導體市場
2018-12-24 14:28:00
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別?特點?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分,片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執行代碼或常量數據、校準數據、安全性能和防護安全相關信息等重要數據,以作將來檢索用途。目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器,如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態隨機存儲器(Dynamic RAM),“動態”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次,不然內部的數據就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
方便移動設備應用.存儲器系統設計必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態存儲器與傳統的NOR閃存相比,被證實可以減少功耗。存儲器子系統架構存儲器子系統架構是嵌入式設計者面臨的主要挑戰.存儲器參數
2018-05-17 09:45:35
(DRAM)與靜態隨機存儲器(SRAM)兩大類。DRAM 以電容上存儲電荷數的多少來代表所存儲的數據,電路結構十分簡單(采用單管單電容1T-1C的電路形式),因此集成度很高,但是因為電容上的電荷會泄漏,為了能
2022-11-17 16:58:07
而言,鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-19 11:53:09
而言,鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-21 10:49:57
閃速存儲器根據單元的連接方式,如表所示,可分成NAND、NOR、DINOR(Divided bit Line NOR)及AND幾類。NAND閃速存儲器單元的連接方式如圖 1 所示,NOR閃速存儲器
2018-04-09 09:29:07
與釋放來進行的。例如,一般的NOR閃速存儲器在寫人時提高控制柵的電壓,向浮置柵注人電荷(圖 2)。而數據的擦除可以通過兩種方法進行。一種方法是通過給源極加上+12V左右的高電壓,釋放浮置柵中的電荷
2018-04-10 10:52:59
。RAM中的存儲的數據在掉電是會丟失,因而只能在開機運行時存儲數據。其中RAM又可以分為兩種,一種是Dynamic RAM(DRAM動態隨機存儲器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態隨機存儲器)。ROMROM又稱只讀存儲器,只能從里面讀出數據而不能任意寫入數據。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
型號:GD25Q64CSIGR
制造商:GigaDevice(兆易創新)
存儲器構架(格式):FLASH 存儲器接口類型:SPI 存儲器容量:64Mb存儲器類型:Non-Volatile
2021-12-06 16:13:41
市場需求決定創新技術的選擇
恒憶(Numonyx)一直引領存儲技術的創新潮流,近日推出全新嵌入式NOR閃存芯片Axcell M29EW,和相變存儲器(PCM)等,將為移動設備、家用電
2009-12-21 09:44:00642 基于當代DRAM結構的存儲器控制器設計
1、引言
當代計算機系統越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長,存儲器芯片每年僅僅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714 為什么存儲器是產業的風向標
存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導體業中經常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產以及應用市場面寬,使其半
2010-01-18 16:07:21499 旺宏電子引領NOR閃存器進入串行時代
旺宏電子是全球最大的只讀存儲器(ROM)生產制造商和嵌入式市場全球第三大NOR閃存供應商,提供跨越廣泛規格及
2010-04-12 09:08:371183 日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布,已開發出全球最薄的動態隨機存儲器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 FLASH存儲器(也就是閃存)就 是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM),特點是斷電后數據不消失,因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發性存儲器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說的內存
2017-10-11 14:39:468295 日前,存儲器芯片主要供應商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會,會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術發展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 許多高性能儀器使用動態隨機存取存儲器(DRAM)作為本地存儲器,DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模塊, 您便可自由地將此類本地存儲納入
2017-11-17 17:28:15996 將與合肥睿力12吋廠資源整合,全面對決紫光集團旗下長江存儲及聯電的晉華集成,借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技術,爭奪大陸存儲器寶座。
2017-11-24 12:51:38431 隨著半導體制程技術不斷演進,芯片的晶體管的密集度屢創新高之際,同步也朝向更省電的發展推進,旺宏電子(Macronix)自推出業界最快的SPI NOR Flash系列存儲器產品,以500MB/s傳輸
2018-01-02 10:06:391443 旺宏昨日召開財報會表示,2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%,為全球霸主。另外,小于75納米制程產品占2017年第四季NOR營收60%,旺宏并預計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來
2018-02-01 05:34:011107 目前存儲器市況呈現兩樣情,DRAM持續穩健發展,價格平穩或小漲;NAND Flash則因供過于求,價格緩跌。外界預期DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 NOR Flash和NAND Flash作為存儲的兩大細分領域(另外還有DRAM),目前發展形勢一直受到業界人士關注。
2018-03-31 08:38:5122130 存儲器芯片領域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲器內的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來做PC機內存(如DDR)和手機內存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 存儲器市場爆發,DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%,首次超越邏輯電路,成為半導體第一大產品。DRAM繼續保持半導體存儲器領域市占率第一。DRAM廠商中,三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 盡管ㄧ些新存儲器技術已經研發出來,但在這競爭激烈的市場,只有極少數能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術的列表。然而,無論哪一個技術勝出,這些新型非易失性技術系統的功耗肯定會低于現有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM,或是,離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統。
2018-12-24 11:04:3410846 作為中國DRAM產業的領導者,長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變,用自主研發的DRAM技術和專利,引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 隨著5G時代的逐漸逼近,物聯網的快速發展促進著存儲器需求的持續增長。數據表明,中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中國進口存儲器889.21億美元,同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。
2019-09-17 10:47:24790 業內研究人員表示,中國目前有三家廠商正在建設的閃存與存儲器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 目前在全球的消費電子市場上,存儲器是名副其實的電子行業“原材料”。如果再將存儲器細分,又可分為 DRAM、NAND Flash 與 Nor Flash 三種。
2019-11-19 10:53:081122 多款GigaDevice存儲器解決方案中,NOR Flash產品主要針對容量、封裝、安全等方面,滿足各個領域對硬件設計的要求。GD25 SPI NOR Flash存儲器產品線可提供四種電壓規格、20年數據保持時間和10萬次擦寫次數,具有高可靠性
2020-04-28 09:23:494489 的網絡開發和商業化,但首先讓我們看一下當前存儲器和新興的非易失性存儲器技術的特點,并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術與已建立的存儲器(SRAM,DRAM,NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16847 相信有很多人都對計算機里的各種存儲器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會存在,內存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:3810522 獨立存儲器市場和相關技術的摘要,包括NAND,DRAM,持久性存儲器,NOR,(NV)SRAM,新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 。 過去的DRAM不再用于較小的系統,因為它們需要DRAM控制器。SRAM進入了內存需求小的系統。DRAM進入更大的存儲器,并伴隨著用于更大存儲器的控制器。 傳統存儲器供應商提供可預測的價格和長期客戶支持很重要,因為新設計仍然使用較舊的
2020-11-24 16:29:11599 Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器,其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 存儲器 IC 設計廠晶豪科技 (ESMT)昨日公開表示,利基型 DRAM 與 NOR Flash 均已漲價。 晶豪科技指出,利基型 DRAM 部分價格已開始調高,合約價方面則將從明年第一季起開
2020-12-08 13:43:471630 在存儲器領域中,動態隨機存儲器(DRAM)是應用最高的品類,產品市占率約60%;其次是NAND約占36%,NOR Flash 的份額非常小,約3%。
2022-06-17 11:02:371489 在當前計算密集的高性能系統中,動態隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:575003 在當前計算密集的高性能系統中,動態隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 SRAM也是易失性存儲器,但是,與DRAM相比,只要設備連接到電源,信息就被存儲,一旦設備斷開電源,就會失去信息。
這個設備比DRAM要復雜得多,它一般由6個晶體管組成,因此被稱為6T存儲器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據,電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數據的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021028 摘要:本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 近日,三星宣布正在研發一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創新技術具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領未來內存技術的發展。
2024-01-12 14:42:03282
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