聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門（300-million gate count）系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯(lián)華電子40nm工藝。SRAM容量高達(dá)100MB，可為高級通訊產(chǎn)品提供優(yōu)異的網(wǎng)路頻寬，滿足高速而穩(wěn)定的傳輸需求，以因應(yīng)新一代通訊產(chǎn)品需求。
2013-01-25 10:13:09
1286 英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）工藝，簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。
2013-05-02 12:27:171397 在經(jīng)過2016的一系列擴張之后，近日，Crossbar與中芯國際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣，再次為芯片國產(chǎn)化發(fā)展提振士氣。另有數(shù)據(jù)顯示，中芯國際去年銷售額增至29.2億美元，比2015年大增31%，市占率提升1個百分點至6%。
2017-01-18 10:46:161220 股份有限公司（紐約證券交易所代碼：UMC；臺灣證券交易所代碼：2303）（以下簡稱“UMC”）今日聯(lián)合宣布，賽普拉斯 65nm 和 40nm 技術(shù)平臺成為業(yè)界首批榮獲合格制造商名單 (QML) 認(rèn)證的平臺
2017-11-17 09:26:5011703 0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機械電位器的功能，用簡單的2線數(shù)字接口取代機械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
研究機構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
日前，LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500，旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開始向硬盤驅(qū)動器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
描述萊迪思HX4K FPGA 突破這款 FPGA 分線板旨在記錄如何開始 FPGA 編程，從硬件設(shè)計文件到加載比特流。為了嘗試將其作為一個項目進行訪問，該板的一個設(shè)計目標(biāo)是使其能夠僅使用烙鐵進行手工
2022-08-23 07:21:04
萊迪思半導(dǎo)體公司和SiFive，Inc。最近，他們同意共同合作，通過萊迪思FPGA產(chǎn)品系列（包括最新的28 nm CrossLink-NX?FPGA），為開發(fā)人員輕松提供SiFive可擴展核心IP
2020-07-27 17:57:36
中國上海——2023年3月3日——萊迪思半導(dǎo)體公司（NASDAQ：LSCC），低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布更新萊迪思ORAN?解決方案集合，為開放式無線接入網(wǎng)（ORAN）的部署提供靈活
2023-03-03 16:52:10
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機存取存儲器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預(yù)測尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無限寫入周期相結(jié)合。控制電路持續(xù)監(jiān)測單個5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
PLL、專用時鐘沿和I/O gearing邏輯解決了高速串行傳感器接口。最后，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice）的 XP2提供了具有成本效益的8×8mm面積。此外，由于其非易失的特性，LatticeXP2系列
2011-05-24 14:17:00
。”高云半導(dǎo)體全球市場副總裁兼中國區(qū)銷售總監(jiān)黃俊先生表示，“GW1N系列器件可滿足消費類電子、視頻、安防、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、有線/無線通信等不同市場的智能連接、接口擴展等需求。通過GW1N系列產(chǎn)品，高云半導(dǎo)體可以向用戶提供高安全性、單芯片、低成本、小薄封裝等優(yōu)勢的最優(yōu)化非易失性FPGA解決方案。”
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
這是一mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發(fā)器。射頻收發(fā)器功能是完全集成的。本文描述了射頻宏被嵌入到整個產(chǎn)品中的性能目標(biāo)。MT6169主要特征區(qū)別MT6169是第一個M聯(lián)ATEK射頻收發(fā)器1
2018-08-28 19:00:04
Pango DesignSuite，可支持千萬門級FPGA器件設(shè)計開發(fā)高云半導(dǎo)體：推出中國首顆55nm嵌入式Flash SRAM非易失性FPGA芯片，實現(xiàn)可編程邏輯器件、嵌入式處理器無縫連接安路
2021-09-10 14:46:09
，F(xiàn)PGA能否在以便攜產(chǎn)品為主體的消費電子領(lǐng)域占到一席之地呢？對于這個問題，萊迪思半導(dǎo)體公司給出了肯定的答案。
2019-09-03 07:55:28
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，正式推出全國產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點的4GbSPINANDFlash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了從設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)制造到
2020-11-26 06:29:11
兆易創(chuàng)新推出全國產(chǎn)化24nm SPI NAND Flash
2021-01-07 06:34:47
，加速產(chǎn)品上市進程，大大降低風(fēng)險 美國俄勒岡州希爾斯波羅市 — 2015年3月2日 —萊迪思半導(dǎo)體公司（NASDAQ: LSCC）—超低功耗、小尺寸客制化解決方案市場的領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布推出三款可免費下載
2019-06-17 05:00:07
，安全問題該如何解決？ 2020年下半年，萊迪思推出了Sentry解決方案集合和SupplyGuard供應(yīng)鏈保護服務(wù)，可提供端到端的供應(yīng)鏈保護措施，將在通信、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)、汽車、航空航天和客戶計算等領(lǐng)域
2020-09-07 17:16:48
的 iCE40UltraPlus 器件，那么可以通過板上 MCU 或從外部 SPI 閃存設(shè)備來加載配置。另外，iCE40UltraPlusFPGA 還包含一次性可編程（OTP）片上非易失性配置存儲器
2020-10-23 09:16:56
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現(xiàn)（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
各位前輩們，有誰有求UMC 55nm LP工藝(low power)的PDK？請不吝賜予
2021-06-22 07:25:15
求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫
2021-06-25 06:39:25
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
0、引言電子產(chǎn)品的可靠性預(yù)計一直是困擾各個無線通信公司的難題之一，目前比較通用的可靠性預(yù)計方法是由貝爾實驗室在2001年推出的Bellcore-SR332方法。該方法的不足之處在于它僅根據(jù)產(chǎn)品
2019-06-19 08:24:45
，在特殊工藝方面，LCD Driver IC、OLED Driver IC量很大，多數(shù)采用的是80nm、40nm工藝，在此基礎(chǔ)上，UMC準(zhǔn)備將這些IC制造導(dǎo)入到28nm上來。還有在MCU的特殊工藝方面
2018-06-11 16:27:12
前的驗證。這是雙方工程團隊為進一步提升良率、增強可靠性并縮短生產(chǎn)周期而努力合作的成果。Virtex-6系列通過生產(chǎn)驗證,意味著聯(lián)華電子繼2009年3月發(fā)布首批基于40nm工藝的器件后,正式全文下載
2010-04-24 09:06:05
。此外，F(xiàn)PGA通常有很寬的溫度范圍，并有很長的產(chǎn)品生命周期。 針對ECP2M和ECP3器件系列，萊迪思（Lattice）半導(dǎo)體公司最近推出了DVI/HDMI接口的參考設(shè)計。萊迪思半導(dǎo)體公司
2019-06-06 05:00:34
40nm等工藝節(jié)點推出藍(lán)牙IP解決方案，并已進入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點和最近的45-nm 節(jié)點在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢。最引人注目的優(yōu)勢之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長久以
2008-08-27 00:34:23701 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露，包括臺積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551000 臺積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題
據(jù)臺積電公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示，臺積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:43893 賽靈思40nm Virtex-6 FPGA系列通過全生產(chǎn)驗證
全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司(Xilinx, Inc. )與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商聯(lián)華電子( UMC (NYSE: UMC; TSE: 2303))今天共
2010-01-22 09:59:51716 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布，采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA，已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗
2010-01-26 08:49:17851 華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā)，不過華邦拒絕就其將于爾必達(dá)合作進
2010-02-02 18:00:12783 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42780 臺積電無奈出B計劃：AMD下代顯卡40nm工藝＋混合架構(gòu)
AMD曾在多個場合確認(rèn)將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡，我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50712 Synopsys和中芯國際合作推出65-nm到40-nm的SoC設(shè)計解決方案經(jīng)過驗證的聯(lián)合解決方案確保晶晨半導(dǎo)體達(dá)到以高性能產(chǎn)品搶占市場的目標(biāo)
2010-11-16 10:36:12830 單芯片BCM43142是業(yè)界首款適用于筆記本電腦和上網(wǎng)本的40nm Wi-Fi藍(lán)牙組合芯片。該新芯片實現(xiàn)了Wi-Fi Direct互連與就近配對的無縫結(jié)合，極大地簡化了家庭中的無線互連。這款組合芯片支持
2011-06-02 08:43:248793 燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司與中芯國際今天共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國際一次性流片驗證成功。
2011-06-22 09:16:331258 瑞薩電子宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實時應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13797 意法·愛立信今天發(fā)布了業(yè)界首個采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍(lán)牙和FM收音的平臺CG2905。這款開創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導(dǎo)航的速度和精度，推動市場對擴增實境應(yīng)用和先進定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:38783 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺灣芯片代工廠商聯(lián)電（UMC）已向高通交付了28nm芯片樣品進行驗證，并與Globalfoundries的競爭，努力成為繼臺積電之后高通第二個28nm芯片代工合作伙伴。
2013-01-18 09:04:46776 1月28日，展訊通信宣布，其首款集成了無線連接的單芯片40nm GSM/GPRS手機基帶平臺SC6531正式商用，該平臺集成了FM與藍(lán)牙功能，以幫助2.5G手機制造商降低手機設(shè)計成本。
2013-01-29 10:23:5618801 
全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司（以下簡稱“UMC”）于今日宣布，賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 （eCT?） 閃存微控制器（MCU），現(xiàn)已開始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582253 作為中國本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè)，中芯國際（SMIC）的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點。2017新年伊始，其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天，該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）芯片，并稱更先進的28nm工藝版很快也會到來。
2017-01-17 09:40:003747 目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達(dá)成合作，發(fā)力中國市場。其中，中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:553396 的產(chǎn)品集成度將幫助2.5G功能型手機制造商降低整個平臺成本，并增加工業(yè)設(shè)計的靈活性。 “SC6531采用40nm CMOS工藝，為客戶提供
2018-11-14 20:39:01419 “芯啟源”）共同合作，集成USB3.0物理層設(shè)計（PHY）與控制器 （Controller）并應(yīng)用于中芯國際40nm和55nm的工藝技術(shù)，推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:566394 合作，一同成立合資企業(yè)，并在馬來西亞新建一座12英寸晶圓工廠。 據(jù)了解，富士康提及到該工廠將會鎖定28nm及40nm制程，并且預(yù)計該晶圓廠投產(chǎn)后，每個月能夠提供4萬片的產(chǎn)能。目前市面上的微控制器、傳感器、連接相關(guān)芯片等都廣泛使用了28nm制程，因此例如臺積電等制
2022-05-18 16:35:032398 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:152 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122
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