對(duì)NAND閃存以及DRAM減產(chǎn)。 ? 在今年第一季度財(cái)報(bào)中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)暴虧4.58萬億韓元（約合249億元人民幣）后，三星改變了此前“不減產(chǎn)”的承諾，表示將調(diào)整存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量。經(jīng)過半年多的減產(chǎn)等調(diào)控措施，從近期包括三星在內(nèi)的多家存儲(chǔ)大廠的動(dòng)作來看，存
2023-10-08 09:01:37
2444 非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1513 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:39268 
Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門的存儲(chǔ)芯片了。因?yàn)槲覀兩钪薪?jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會(huì)涉及到它。比如你買手機(jī)，肯定會(huì)考慮64GB，還是256GB？
2024-03-01 17:08:45158 
前言NANDFlash和NORFlash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORFlash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NANDFlash結(jié)構(gòu),后者的單元電路尺寸幾乎只是NOR器件的一半,可以在給定的芯片尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。1.NANDFl
2024-03-01 16:45:33730 
CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。芯片內(nèi)置 FLASH 編程所需的高壓 BOOST 電路，無須額外提供編程電壓。
2024-02-28 17:43:59382 
Flash存儲(chǔ)器的寫操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28536 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在 半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè) 的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。 ? 越過高門檻 NA
2024-02-01 09:18:40126 
stm32 flash寫數(shù)據(jù)怎么存儲(chǔ)的? STM32是一款廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的微控制器，它的Flash存儲(chǔ)器是其中一個(gè)重要的組成部分。在本文中，我將詳細(xì)介紹STM32 Flash的存儲(chǔ)機(jī)制
2024-01-31 15:46:03415 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
SD卡、嵌入式SD卡等。它的主要優(yōu)勢(shì)在于解決了主控器（例如STM32系列的MCU單片機(jī)）使用NAND FLASH、SPI NAND FLASH、eMMC等存儲(chǔ)器時(shí)需要自行管理NAND FLASH
2024-01-24 18:30:00
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計(jì)約占整體存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的97%;自2022年初起，下游需求市場(chǎng)的萎縮以及宏觀環(huán)境進(jìn)一步惡化導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)不斷承壓，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)下滑
2024-01-14 09:47:101055 
為DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器）。根據(jù)題目提到的“斷電后會(huì)丟失”，我們可以確定RAM屬于易失性存儲(chǔ)器，即斷
2024-01-12 17:27:15511 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282
動(dòng)程序自帶壞塊管理的NAND Flash（貼片式TF卡），尺寸小巧
2024-01-05 17:54:39
擦除后的值是指將Flash存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)全部清除，并將其重置為初始狀態(tài)。Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，它使用電子存儲(chǔ)技術(shù)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。擦除后的Flash存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)都會(huì)被擦除，這就意味著
2024-01-04 15:57:29526 根據(jù)最新的存儲(chǔ)器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價(jià)格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲(chǔ)器制造商計(jì)劃在Q1上調(diào)DRAM價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)將達(dá)到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:16872 針對(duì)NAND Flash產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，特別是SPI NAND Flash這一產(chǎn)品，東芯股份強(qiáng)調(diào)其具有電壓選擇靈活（包括3.3V和1.8V）及豐富封裝形式，如WSON、BGA等。另外，公司實(shí)施的單顆集成技術(shù)，使得存儲(chǔ)陣列、ECC模塊以及接口模塊得以整合于同一芯片之中
2023-12-26 10:53:13343 深圳市嘉合勁威電子科技有限公司于2012年創(chuàng)立，主要從事DRAM及NAND Flash存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、銷售等業(yè)務(wù)。同時(shí)，也致力于提供各類型消費(fèi)者、工業(yè)、企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)器以及存儲(chǔ)應(yīng)用方案。
2023-12-25 14:28:23294 從存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 要求使用其他存儲(chǔ)設(shè)備，如Flash存儲(chǔ)器，來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，能夠長時(shí)間保存數(shù)據(jù)，即使在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)。它具有較高的讀寫速度和較低的功耗，適用于FPGA的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。 FPGA上的Flash存儲(chǔ)器一般通過SPI（串行
2023-12-15 15:42:51542 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003894 Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-12-05 13:57:37837 展望2024年第一季，預(yù)估整體存儲(chǔ)器的漲勢(shì)將延續(xù)，其中Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合約價(jià)仍會(huì)續(xù)漲，漲幅則視后續(xù)原廠是否維持保守的投產(chǎn)策略，以及終端是否有實(shí)質(zhì)買氣支撐而定。
2023-12-01 16:08:04319 
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17909 
主流存儲(chǔ)芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高，各晶圓廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面，技術(shù)規(guī)格趨同。因此頭部廠商要通過產(chǎn)能擴(kuò)大規(guī)模化優(yōu)勢(shì)及技術(shù)持續(xù)升級(jí)迭代保持競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-11-21 15:00:161290 
，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 NAND FLASH，嵌入式sd卡，工業(yè)級(jí)sd卡，單片機(jī) nand flash，貼片式TF卡
2023-11-15 18:09:47219 
后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
但是，存儲(chǔ)芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說，已經(jīng)從dram開始的存儲(chǔ)器價(jià)格上升趨勢(shì)正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 Nand Flash因其具有容量大、成本低、壽命長的特點(diǎn)，被廣泛的用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的解決方案。然而NandFlash的讀寫控制較為復(fù)雜，Nand Flash的接口控制器大多是基于PC機(jī)或ARM處理器為架構(gòu)進(jìn)行開發(fā)的，存在操作不方便的問題。
2023-11-10 09:40:482676 
筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲(chǔ)器模組合約價(jià)，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機(jī)DRAM合約價(jià)也開始漲價(jià)。TrendForce 預(yù)計(jì)第四季行動(dòng)DRAM
2023-11-03 17:23:09958 單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:58646 SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 10:27:03198 
看到很多STM32開發(fā)板，無論是野火還是原子，或者其他的板子，都會(huì)在開發(fā)板上加各種存儲(chǔ)，SDRAM，NAND FLASH，SPI FLASH。
開發(fā)板可能是為了讓掌握這幾種存儲(chǔ)的使用；但是實(shí)際工作
2023-10-26 07:06:28
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34815 從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 存儲(chǔ)器測(cè)試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161 
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 
在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲(chǔ)器
2023-09-21 09:14:39812 據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50503 存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
FSMC特性簡介和FSMC框圖外掛存儲(chǔ)器地址映射
AHB接口
NOR/PSRAM控制器
接口信號(hào)
支持的存儲(chǔ)器和訪問方式異步傳輸
同步突發(fā)傳輸
NAND/PC card控制器
接口信號(hào)
·支持的存儲(chǔ)器和訪問方式NAND操作
.ECC計(jì)算
.PC card/Compact Flash操作
2023-09-13 06:54:41
存儲(chǔ)器，NOR 與NAND 存儲(chǔ)邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場(chǎng)景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢(shì)在于隨機(jī)讀取與擦寫壽命，因此適合用來存儲(chǔ)代碼；NAND 的優(yōu)勢(shì)在于單位比特成本，花同樣的錢可以獲得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231901 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23553 
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011617 不同于一季度的疲軟，可以看到在 二季度存儲(chǔ)市場(chǎng)明顯有所回暖，打破自2022年二季度以來的連續(xù)下滑，重新恢復(fù)增長。 據(jù)CFM閃存市場(chǎng)分析， 2023年二季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 
盧東暉表示，由于整體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)尚處于庫存調(diào)整階段，市場(chǎng)需求端除了應(yīng)用在AI及服務(wù)器等應(yīng)用的高寬帶存儲(chǔ)器（HBM）需求非常強(qiáng)勁，不過目前HBM占美光比重仍低，整體DRAM景氣還得手機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等需求回升，才能確立整體景氣復(fù)甦。
2023-09-05 16:07:56440 精通3D nand flash 存儲(chǔ)器
2023-08-31 21:26:56
樣本代碼顯示在外部 Winbond W25N02JW SPI NAND Flash 中訪問文件。 文件系統(tǒng)為 FAT32。 用戶可以將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在 SPI NAND Flash 中作為數(shù)據(jù)記錄器
2023-08-29 07:21:07
Flash是存儲(chǔ)芯片的一種，在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory，全稱為Flash EEPROM Memeory，即我們平時(shí)說的“閃存”。它結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具備電子可擦除
2023-08-24 12:35:053176 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021021 設(shè)備需要有歷史記錄存儲(chǔ)查詢功能，采用8M的nand flash存儲(chǔ)方案，請(qǐng)問可以用flashDB嗎？特別需要喜歡按時(shí)間戳一鍵查詢的接口。
2023-08-20 17:28:54
引言：并行Nand Flash是中等容量存儲(chǔ)方案的理想選擇，相比于SPI Nand Flash，性能更優(yōu)，但體積較大，使用并沒有后者廣泛，多使用在嵌入式，物聯(lián)網(wǎng)，工業(yè)等領(lǐng)域。
2023-08-11 15:50:13841 
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032201 Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲(chǔ)器，按照實(shí)現(xiàn)方式和運(yùn)行特性Flash一般還會(huì)分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機(jī)地址的讀取方式，在讀取操作上類似于RAM，比較適合程序
2023-07-24 10:00:281845 
隨著行業(yè)景氣度反轉(zhuǎn)，國內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈條企業(yè)也加快產(chǎn)業(yè)鏈布局，除了兆易創(chuàng)新，北京君正等股票，東芯股份、普冉股份等企業(yè)外，萬潤科技、力源信息，香農(nóng)芯創(chuàng)、國芯科技的儲(chǔ)存等企業(yè)也多接近概念，加速dram、nand閃存在半導(dǎo)體領(lǐng)域突圍。
2023-07-14 09:24:23316 相對(duì)于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤，固態(tài)硬盤采用了閃存存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展使得固態(tài)硬盤成為了相對(duì)便宜和可靠的存儲(chǔ)解決方案之一。
2023-07-05 15:37:072129 非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051884 
，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
Flash閃存是一種存儲(chǔ)器,主要用于一般性程序存儲(chǔ)，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 存儲(chǔ)器是集成電路領(lǐng)域的通用器件，其市場(chǎng)用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設(shè)備在每次寫操作時(shí)都必須以塊的方式寫入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)字節(jié)的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 
AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。 FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于
2023-05-04 13:56:111160 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
。關(guān)于DMA存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH中，然后通過DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存器，然后通過串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機(jī)顯示出來。
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462538 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
除了SPI這種串行接口比較受存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)廠商的歡迎，還有比如由samsung和toshiba設(shè)計(jì)的Toggle NAND Interface，也被稱為 Asynchronous DDR NAND
2023-04-04 15:16:19763 
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
大家好， 我們計(jì)劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少？ 根據(jù)手冊(cè)，它表示支持每個(gè)區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡稱內(nèi)存，港臺(tái)稱之為記憶體
2023-03-30 14:18:4815276 
我有以下與智能外部存儲(chǔ)控制器相關(guān)的問題。Q1：為什么我們沒有使用 SRAM 的 BA0 和 BA1，如下所示 (SEMC_SRAM_Q1_Pic.png)。?Q2：“ADV#”、“ALE”和“DCX
2023-03-29 08:09:01
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