瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡設備的高速存儲器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時延 DRAM，品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新產(chǎn)品將于即日起提供樣品。

　　與公司原有288Mb 低時延DRAM“μPD48288236”產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品最大的特點是其存儲容量提升至原有產(chǎn)品的2倍，實現(xiàn)了大容量化。此外，其高速數(shù)據(jù)讀寫隨機周期性能提高了25%，最大工作頻率提高了33%，而功耗卻比原有產(chǎn)品降低了10%。

　　由于新產(chǎn)品的單位存儲器容量功耗低，比公司原有產(chǎn)品大幅度節(jié)省了能源，因此更便于解決網(wǎng)絡設備設計上的散熱問題。

　　目前新產(chǎn)品樣片價格為5,000日元。瑞薩電子計劃于2011年下半年起實現(xiàn)該產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，預計到2012年該5種產(chǎn)品的年產(chǎn)量將共達到200萬顆以上。

　　隨著寬帶網(wǎng)絡的普及和云計算的推廣，利用網(wǎng)絡來進行大容量數(shù)據(jù)交換的方式越來越普遍，這導致了網(wǎng)絡流量的急劇增長。為了使流量處理更順暢，同時降低功耗實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保，交換機及路由器等網(wǎng)絡設備需要內(nèi)置更大容量、更高速、更低功耗的存儲器。

　　瑞薩電子此次推出的新產(chǎn)品，正是為了滿足網(wǎng)絡設備的上述需求。新產(chǎn)品詳細優(yōu)勢如下：

　　(1)實現(xiàn)了大容量、高速及低功耗

　　新產(chǎn)品充分利用了瑞薩電子在高速存儲器領域長期積累的高速靈敏放大器和低功耗存儲器開發(fā)經(jīng)驗與技術，采用了操作時將啟動的存儲器陣列保持在最小限度的控制方式，這使其與公司原有產(chǎn)品相比實現(xiàn)了數(shù)據(jù)讀寫的進一步高速化與功耗的大幅降低。新產(chǎn)品的存儲容量為576Mb，是公司原有產(chǎn)品288Mb的2倍;同時，其高速數(shù)據(jù)讀寫隨機周期性能也提高了25%，從20ns縮短到15ns;此外，盡管最高操作頻率從原有的400MHz提高了33%達到533MHz，其功耗卻比原有產(chǎn)品降低了10%以上。

　　(2)采用與原有產(chǎn)品同樣尺寸的封裝，有利于用戶縮短開發(fā)周期

　　雖然存儲器容量擴大了一倍，新產(chǎn)品卻仍采用與原有產(chǎn)品相同的11mm×18.5mm封裝尺寸，該封裝尺寸擁有大量應用實績，其高可靠性已得到市場普遍認可。另外，新產(chǎn)品在印刷電路板的設計上沒有大的變更。通過存儲器的大容量化和高速化，本次的新產(chǎn)品不僅可使系統(tǒng)整體性能得到提高，還能使可靠性與電特性上的風險得到降低。

　　目前瑞薩電子是全球唯一能面向網(wǎng)絡設備領域提供QDR SRAM，低時延 DRAM，TCAM(Ternary Content Addressable Memory)等存儲器產(chǎn)品的制造廠商。此前，瑞薩電子已推出了從18Mb到72Mb的QDR SRAM、TCAM、288Mb及1.1Gb(Giga bit)低時延 DRAM等產(chǎn)品。此次，瑞薩電子又通過推出576Mb 低時延 DRAM等系列新產(chǎn)品，進一步擴充了其面向網(wǎng)絡設備存儲器的產(chǎn)品陣容。

　　為了應對交換機、路由器等網(wǎng)絡設備在高性能化與節(jié)能省電方面日益增長的需求，此次的新產(chǎn)品定位為高性能和低功耗產(chǎn)品，計劃在全球范圍內(nèi)推廣銷售。今后，瑞薩電子將以成為全球產(chǎn)品陣容最豐富最齊全的廠商為目標，不斷開發(fā)應用于尖端技術的網(wǎng)絡設備存儲器產(chǎn)品，擴大公司在網(wǎng)絡存儲器領域的市場份額，力爭將2009年度全球No.1的40%擴大到2012年度的60%。