Vishay新推出的24 V XClampR? 瞬態電壓抑制器的性能達到業界先進水平 ? 雙向器件高功耗和高脈沖電流結合高度溫度穩定性適用于汽車、通信和工業應用 ? 賓夕法尼亞、MALVERN
2022-07-01 10:12:23
752 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出免費的在線工具PowerCAD Simulation，可以讓工程師又快又方便地對采用Vishay Siliconix穩壓器IC的電路進行測試和優化。
2012-04-10 09:32:33623 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30984 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出免費的在線工具PowerCAD Simulation，可以讓工程師又快又方便地對采用Vishay Siliconix穩壓器IC的電路進行測試和優化。
2012-04-05 15:06:54655 --- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?。與前一代產品和在相同占位內具有近似導通電阻的競爭模擬開關相比，這些器件在關閉
2019-03-08 15:06:392213 Vishay 宣布，推出迄今體積最小的汽車級IHLP?超薄、大電流電感---IHLP-1212Ax系列之IHLP-1212AZ-A1和IHLP-1212AB-A1。
2019-07-25 09:29:561631 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
Vishay宣布，推出經過AEC-Q200認證、業界先進的采用混合繞線技術、標準封裝尺寸的新型充電電阻--- HRHA。
2022-03-16 11:21:34618 
V Hyperfast恢復整流器---12?A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15 A VS-E5TW1506FP-N3 和VS-E5TX1506FP-N3。該系列的整流器反向恢復性能達到業界先進水平，提高中頻逆變器和軟硬開關或諧振電路的效率。 ? Visha
2022-10-11 13:51:48519 
年 1 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT
2023-01-30 10:09:49529 
`深圳市三佛科技有限公司 供應 30A 30A P溝道 MOS管 30P03，原裝，庫存現貨熱銷30P03 參數： -30V -30A DFN3*3-8 P溝道 MOS管/場效應管品牌：HN
2021-03-30 14:33:48
，增強型MOSFET分為P溝道增強型和N溝道增強型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類型的MOSFET，即P溝道MOSFET。基本概念溝道由大多數電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P溝道增強型功率MOSFET，它采用先進工藝，提供較低的導通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護，或PWM開關中的應用。
2021-04-13 06:46:20
Si9241AEY是一個單片總線收發器提供汽車雙向串行通信診斷應用程序。該裝置具有過電壓保護和VBAT短路。收發信管腳受到保護可以驅動超過VBAT電壓。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
`威世利用其硅尼克斯 （Vishay Siliconix）配件，在開發功率半導體產品方面居世界領先地位，這些產品提高了要求縮減空間的終端產品中電源管理電路的效率。作為世界排名第一的低壓功率
2021-02-23 18:00:56
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
汽車級電阻，節省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用導電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。MC ATAU系列的外形尺寸為0402和0603，可在+ 155 ℃高溫下工
2014-08-08 14:15:16
0.47m?，飽和電流的范圍介于15.5A～120A，在頻率至5MHz范圍內其損耗相當低。 Vishay此次推出的這四款器件具有5.6μH、6.8μH、8.2μH及10μH的電感值，容差為±20%。已獲
2018-10-24 11:33:47
MIS1011 是最先進的130萬像素，數字CMOS圖像傳感器,兼容AR0130，特別在低照時要比APTINA的AR0130還要清晰。
2015-08-27 13:09:49
今年二月23日，Nordic在官網宣布，nRF52832進入批量生產。并且說是最先進的藍牙智能單芯片SOC。讓我們看看有什么地方突破的。1.首款通過Bluetooth v4.2認證。通過了
2016-03-15 14:01:57
Hittite推出業界領先的商業DRO產品線
2019-09-11 06:01:58
/>【正文快照】：IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅
2010-05-06 08:55:20
的生產成本也更低，因此價格更低，性能高于 p 溝道 MOSFET。在P溝道MOSFET中，源極連接到正電壓，當柵極上的電壓低于某個閾值（Vgs 0）時，FET導通。這意味著，如果您想使用 P 溝道
2023-02-02 16:26:45
小編在接到客戶咨詢關于MOS管的時候，總會被問到一個問題：怎么選擇合適的MOS管？關于這一個問題，昨天針對這個問題，在電壓、電流方面已經做出了部分解釋，今天我們來看其他方面的影響。確定N、P溝道
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
更高的攝影相結合。我們相信，我們高性能的OV14810在這方面的發展有很大發展潛力。“ >>OmniVision新的14.6百萬像素高清傳感器采用最先進的1.4微米OmniBSITM像素
2018-11-14 16:40:29
今天，我們推出了TI-RTOS 2.12 —— 我們用來加快開發物聯網（IoT）應用的軟件平臺。對許多IoT應用而言，電池壽命均是一個關鍵的優劣區分因素，因此，TI-RTOS的最先進電源管理軟件使
2018-09-10 15:16:57
1、MSO的三個極怎么判定：MOS管符號上的三個腳的辨認要抓住關鍵地方。G極，不用說比較好認。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
各位好，有沒有2個N溝道和2個P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
安捷倫科技公司推出業界最先進的固定配置邏輯分析儀
2019-09-29 10:20:17
ARM推出具備先進安全特性的全新實時處理器，面向無人駕駛、醫療和工業機器人領域。ARMCortex-R52旨在幫助系統實現功能安全，滿足汽車和工業市場中最嚴格的安全標準ISO 26262 ASIL
2016-10-08 17:10:36
MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。同步整流器應用幾乎總是使用N溝道技術，這主要
2021-04-09 09:20:10
2023年2月27日，中國上海 — 思特威（上海）電子科技股份有限公司，正式推出業界首顆5MP DSI－2技術全性能升級Pro系列安防應用圖像傳感器新品SC5336P。新品擁有3K級的清晰畫質，既是
2023-02-28 09:24:04
新品發布|業界首款！潤開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標準系統的智能硬件開發平臺HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
擴展了旗下 16 納米 (nm)Virtex? UltraScale+? 產品系列。VU19P擁有 350 億個晶體管，有史以來單顆芯片最高邏輯密度和最大I/O 數量，用以支持未來最先進 ASIC 和 SoC 技術的仿真與原型設計，同時，也將廣泛支持測試測量、計算、網絡、航空航天和國防等相關應用。
2020-11-02 08:34:50
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向導引TO-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產品反向
2010-09-05 10:26:59
64 Vishay 推出業界最小尺寸的超高精度Bulk Metal® Z箔卷型表面貼裝電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新型 VSMP0603 超高精度Bulk Metal&r
2008-08-18 10:04:09428 日前，Vishay Intertechnology宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay推出業界最薄的表面貼裝瞬間電壓抑制器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有業內1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb®
2009-11-19 09:57:35381 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出Bulk Metal箔電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩定性和速度上都設定了新的
2010-01-09 09:44:18595 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay發布2010年的“Super 12”高性能產品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出2010年的“Super 12”高性
2010-03-25 15:37:06660 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出Power Metal Strip分流電阻的流媒體視頻
Vishay推出為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用于定制產品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網站(
2010-05-08 16:14:23629 日前，長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經通過了DSCC的
2010-07-07 18:08:29710 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業界首款具有0.035的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面貼裝鋁電容器 --
2010-09-28 09:24:12626 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業界首款采用非接觸技術的多匝傳感器 --- 34 THE。10匝34 THE霍爾效應傳感器可采用伺服或套管安裝，為在惡劣環境中
2010-12-16 09:26:36474 Vishay宣布，推出業界首款綠色、符合RoHS標準（無任何例外）的厚膜矩形貼片電阻--- RCG e3
2011-03-24 10:36:571265 Vishay宣布，推出具有為PWM優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141383 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 高效能類比與混合訊號IC領導廠商芯科實驗室(Silicon Laboratories)宣布推出業界最先進的車用調諧器IC系列--Si476x，該系列晶片采用先進的訊號處理技術提供最高的射頻(RF)效能，能夠降低汽
2011-11-25 10:01:361256 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 內小蜂窩基站技術領導者Mindspeed科技有限公司(納斯達克股票市場代碼：MSPD)日前宣布：為雙模并發3G和長期演進計劃（LTE）運營推出最先進的系統級芯片（SoC）解決方案。
2012-02-22 11:47:301283 Mouser Electronics開始供應Vishay Siliconix第一款採用業界最小的晶片級封裝，并將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 Vishay發布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負載開關，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內工作，具有低至20m?的導通電阻、低靜態電流， 導通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581089 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用2.4mm
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節省空間，并簡化高效同步降壓轉換器的設計。
2014-02-10 15:16:51890 voicor batmod最先進的電池充電器
2016-06-02 15:41:0939 轉換器中節省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171004 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將多個Vishay Siliconix模擬開關產品升級到了新工藝，大幅提升了器件性能和壽命。這種新工藝能夠替代漸趨過時的硅技術
2016-09-02 09:15:071699 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴充其microBUCK同步降壓穩壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節省空間，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出世界上最先進的6軸運動傳感器，全面支持智能手機、平板電腦和數碼相機的光學圖像穩定系統（image stabilization）。
2018-07-02 11:50:005359 關鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用
2019-01-01 16:29:01380 Allegro近日推出公司最先進的變速箱速度傳感器系列產品A19520、A19530和A19570。
2019-01-23 14:07:593536 高通宣布推出第二代5G調制解調器驍龍X55，采用7納米工藝，號稱迄今最先進的調制解調器，目前已有30多款5G手機在研發，預計今年年底前問世。
2019-02-21 15:19:244493 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新系列小型徑向引線高壓單層瓷片電容器---RoedersteinHVCC系列。Vishay
2019-05-16 09:22:534093 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 非對稱雙芯片封裝的業界首款此類器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在滿足汽車行業節省空間以及提高DC/DC開關模式電源效率的需求。
2020-12-15 16:09:501556 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211274 
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導通電阻低至 0.95 mΩ，優異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出六款新型 3.4 mm×3.4 mm 表面貼裝 850 nm 和 940 nm 高功率紅外(IR)發射器，輻照強度達到同類器件先進水平，進一步擴充其光電產品組合。新款 Vishay
2022-02-21 13:31:351569 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 為滿足國防和航空航天應用需求，Vishay 推出新款高能液鉭電容器，器件每款電壓等級和外形尺寸的容量均為業界先進。
2022-05-26 17:23:531501 Vishay 推出新系列薄型符合 AEC-Q200 標準的 DC-Link 金屬化聚丙烯薄膜電容器。Vishay RoedersteinMKP1848Se DC-Link 是業界先進器件，在額定電壓
2022-06-16 17:14:061160 N 溝道器件實現高功率密度，降低導通和開關損耗，提高能效 ? 賓夕法尼亞、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817 中國目前最先進的國產芯片是哪個呢？
2023-05-29 09:44:2218385 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
電子發燒友App
工商網監
評論