65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
芯片業務注入上市公司。三安光電子公司湖南三安致力于第三代化合物半導體碳化硅及氧化鎵材料、外延、芯片及封裝的開發。南大光電在互動平臺表示,公司三甲基鎵產品可以作為生產氧化鎵的原材料。
2023-03-15 11:09:59
甲基三苯基硅烷 IOTA 5803中文名稱:甲基三苯基硅烷英文名稱:Methyltriphenylsilane英文別名:Silane, methyltriphenyl-; methyl
2017-08-03 14:07:16
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢,并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術,瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領域經驗豐富,該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管,后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化鎵GaAs)。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
測試背景地點:國外某知名品牌半導體企業,深圳氮化鎵實驗室測試對象:氮化鎵半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
、TMGa(三甲基鎵)和TMin(三甲基銦)分別用作As、P、Ga 和In 的來源。氫氣用作載氣,反應器中的總壓力為5kPa。外延層在 560°C 下制備,生長速率為 0.6 μm/hr。層的厚度范圍從
2021-07-09 10:23:37
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統的硅技術相比,不僅性能優異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中,傳統硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
處于領先地位。氮化鎵功率半導體雖然適用性極高,但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看,氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(與硅相比,硅是1)相比
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉換拓撲結構,從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數 31)和氮(原子序數 7)結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
的應用[color=rgb(51, 51, 51) !important]激光雷達(LiDAR)使用鐳射脈沖快速形成三維圖像或為周圍環境制作電子地圖。氮化鎵場效應相較MOSFET器件而言,開關速度快十倍,使得
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領域,但是大部分時候是應用層面的問題,和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
和分析,詳細列舉氮化鎵與傳統的MOSFET設計上的區別,PCB LAYOUT相關注意事項等。第三步:電路測試和優化技巧通過從低壓到高壓、從低頻到高頻、從控制信號到主電路工作、從開環到閉環等多方面的調試
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品?
2021-06-15 06:30:55
)、射頻切換器(RF Switch)、手機及無線區域網路用功率放大器( PA )與雷達系統上。
砷化鎵電晶體制程技術分為三類:
A.異質接面雙極性電晶體(HBT)
B.應變式異質接面高遷移率電晶體
2019-05-27 09:17:13
OPPO公司分享了這一應用的優勢,一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS,體積更小、更節省空間,且阻抗比單顆硅MOS更低,可降低在此路徑上的熱量消耗,降低充電溫升,提升充電的恒流持續時間。不僅如此,氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三
2021-04-16 09:33:21
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術,可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么,為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解?事實又是怎樣的呢?
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
鎵在自然界中不以元素形式存在。它通常是在鋁土礦加工成鋁的過程中,或閃鋅礦提煉為鋅的過程中產生的副產品。因此鎵的提取和精煉,碳足跡非常低。
鎵每年產量超過 300 噸,預計全世界的存儲量超過 100
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域,隨著技術的進步以及人們的需求,氮化鎵產品已經走進了我們生活中,尤其在充電器中的應用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能,被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力,甚至為該行業帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
現在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優點,下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發到商業化應用,氮化鎵的發展是當下的顛覆性技術創新,其影響波及了現今整個微波和射頻行業。氮化鎵對眾多射頻應用的系統性能、尺寸及重量產生了明確而深刻的影響,并實現了利用傳統半導體技術無法實現
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環保
為了打破成本和大規模采用周期,一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀四大發明之一,半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長等優勢,是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關?氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
使用的拋光供應。還有其他原料:高純度金屬鎵,高純三甲基鎵等金屬,三乙基鎵,三甲基煙,三甲基鋁,高純氣體氨,有機氮和氫的來源。一般需要的原料純度超過6N的。包裝材料,包括環氧樹脂,ABS,PC機,降凝劑等
2011-05-03 00:29:27
間比較了三個二極管,標題比較如圖1所示。數據比較表明,從正向導通性能的角度來看,硅和砷化鎵的性能都更好,尤其是在高結溫下。從開關角度來看,SiC具有明顯更高的電容,但反向恢復時間基本上為零。問題是
2023-02-22 17:13:39
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
請問一下VGA應用中硅器件注定要改變砷化鎵一統的局面?
2021-05-21 07:05:36
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產,則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
了當時功率半導體界的一項大膽技術:氮化鎵(GaN)。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景,他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
各位大神,目前國內賣銦鎵砷紅外探測器的有不少,知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產的嗎,坐等答案
2013-06-04 17:22:07
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
火腿中三甲胺含量快檢儀深圳市芬析儀器制造有限公司生產的CSY-SSJ火腿中三甲胺含量快檢儀可以快速檢測火腿中三甲胺含量,根據GGB/T 18357-2008規定宣威火腿三甲胺含量<13mg/Kg
2022-05-24 21:04:09
以十六烷基三甲基溴化銨、十二胺為模板劑, 采用雙模板法及均相沉淀法, 分別制備了介孔結構的SnO2.BET測試結果表明, 雙模板法制備的介孔SnO2平均孔徑、孔容和比表面積分別為4.9 n
2009-03-06 14:01:4424 以甲基丙烯酸丁脂(Bu) 和甲基丙烯酰羥乙基三甲基氯化銨(Q b) 聚合而成的高分子材料為敏感膜制成了石英諧振式濕敏元件。研究了不同材料配比、制備方法對器件的濕敏性能的影響
2009-07-13 11:48:0911 以自制的銳鈦礦TiO:納米晶為光催化劑,高壓汞燈為光源,考察了亞甲基藍溶液初始濃度、催化劑用量、pH值、0:和Fe¨等因素對其光催化降解的影響.結果表明,適宜的pH值為5.6
2010-03-03 22:13:2418 酷派殺入中國3G手機三甲
在競爭激烈的手機市場中,國產品牌宇龍酷派異軍突起:在CDMA市場上,去年率先在全球推出了劃時代的產品
2010-01-28 10:52:12424 雷士、飛利浦、歐普位列燈具品牌榜三甲
近日,中國房地產測評中心在北京富力萬麗酒店正式發布“2009年度中國房地產
2010-04-12 17:18:451691 摘要:將meso-四(4-N,N,N-三甲基氨基苯基)卟啉(TTMAPP)組裝到介孔分子篩MCM-41的孔道中,制備了金屬離子傳感材料TTMAPP/MCM-41.X射線粉末衍射證明,組裝后MCM-41的有序孔道結構未發生變化.紫外可見吸收光譜結果表明,組裝體具有典型的卟啉吸收特性.鋅離子的引入
2011-02-17 00:22:4729 這周在AVR32單片機烷基芐基二甲基銨氯化物是相當適合生成音頻播放。本文將解釋如何執行此操作,并包括一個生成正弦波輸出的示例驅動程序的鏈接。
2017-07-21 09:38:465 具體到車型(不分純電動和插電式混合動力),前三甲依然沒有變化,還是鐵打的北汽新能源EC系列、知豆D2和比亞迪宋。不過比亞迪宋在7月還是銷量冠軍,8月就落到了第三名。
2017-09-26 09:12:441045 羧甲基纖維素鈉,(又稱:羧甲基纖維素鈉鹽,羧甲基纖維素,CMC,Carboxymethyl ,Cellulose Sodium,Sodium salt of Caboxy Methyl Cellulose)是當今世界上使用范圍最廣、用量最大的纖維素種類。
2018-03-05 15:47:328821 近日,江蘇南大光電材料股份有限公司(以下簡稱“南大光電”)發布公告稱,為擴展業務規模,公司于12月13日與安徽省全椒縣人民政府簽訂了投資協議,擬在安徽省滁州市全椒縣十譚電子新材料產業園建設江蘇南大光電集成電路材料生產基地,包括年產170噸MO源和高K三甲基鋁生產項目,計劃投資約5億元。
2018-12-14 15:45:093782 現在人們對PCB表面的離子清潔度越來越關注,除了常見的陰陽離子,還有弱有機酸。文章描述一種用離子色譜儀測試檢測甲酸、乙酸和甲基磺酸三種弱有機酸的方法。
2021-04-09 14:43:159610 的晶面具有更低的表面粗糙度。還研究了溝道底部的溝槽和斜面(長方體),攪動長方體的去除或晶面刻蝕速率的提高。最后,研究了有無紫外光照射下,紫外光對三甲基氯化銨中m和a-GaN晶面刻蝕速率的影響。因此,發現用紫外光將m-GaN平面蝕刻速率從0.69納米
2022-05-05 16:38:031394 二甲基甲酰胺合成反應器為立式結構,它通過4個支耳懸掛在裝置框架上,在反應器的側面有上下2個DN80的法蘭口,法蘭面和設備的內壁間距為200mm,這兩個法蘭口用來安裝液位測量儀表。反應器采用
2022-11-08 12:07:04696 的研發及擴產,力爭實現高端前驅體材料國產化打破海外壟斷的現狀。 威頓晶磷是國內領先的光伏、集成電路電子化學品供應商,產品以前驅體材料為主,包括正硅酸四乙酯(TEOS)、三甲基鋁(TMA)、硼酸三甲脂(TMB)、硼酸三乙酯(TEB) 及High-K等產品;廣泛
2023-07-06 17:50:56229 威頓晶磷產品以前驅體材料為主,包括正硅酸四乙酯(TEOS)、三甲基鋁(TMA)、硼酸三甲脂(TMB)、硼酸三乙酯(TEB) 及High-K等產品,廣泛應用于邏輯電路、存儲芯片、模擬芯片等領域。
2023-09-05 14:58:501154 這篇研究文章的背景是關于固態鋰電池(ASSBs)中硫化物基固態電解質的界面穩定性問題。
2023-11-01 10:41:23407
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