富士通半導(dǎo)體有限公司***分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應(yīng)器達(dá)到2.5kW的高輸出功率，并擴(kuò)大電源供應(yīng)的增值應(yīng)用，實現(xiàn)低碳能源社會。富士通半導(dǎo)體的GaN功率元件將于2013年下半年投入量產(chǎn)。

　　相較于傳統(tǒng)的硅功率元件，GaN功率元件擁有較低導(dǎo)通電阻的特性，可支援高頻率運作。這些特性有助于提高電源供應(yīng)器的轉(zhuǎn)換效率，并可縮小體積。富士通半導(dǎo)體計畫將硅基板GaN功率元件商用化，藉由增加硅晶圓直徑達(dá)到低成本量產(chǎn)的目標(biāo)。富士通半導(dǎo)體自2009年起已著手開發(fā)GaN功率元件之量產(chǎn)技術(shù)，并于2011年開始提供GaN功率元件樣品給特定的電源供應(yīng)器合作伙伴。富士通半導(dǎo)體未來也將持續(xù)為應(yīng)用于電源供應(yīng)器中的GaN功率元件進(jìn)行最佳化。
?

　　富士通半導(dǎo)體近期與富士通研究所（Fujitsu Laboratories Limited）進(jìn)行多項共同技術(shù)開發(fā)計畫，包括開發(fā)製程技術(shù)來增加硅基板上的高品質(zhì)GaN晶體數(shù)量、開發(fā)元件技術(shù)（如：電極最佳化設(shè)計）來控制開關(guān)切換時上升的導(dǎo)通電阻，以及設(shè)計可支援GaN元件高速開關(guān)的電源供應(yīng)器電路配置。這些技術(shù)讓富士通半導(dǎo)體在GaN功率元件的功率因數(shù)校正（power factor correction）電路中，成功達(dá)到高于傳統(tǒng)硅元件效能的轉(zhuǎn)換效率。富士通半導(dǎo)體還設(shè)計了一種具有上述功率因數(shù)校正電路的伺服器電源供應(yīng)器樣品，輸出功率可達(dá)2.5kW。

　　富士通半導(dǎo)體成功開發(fā)這項全新技術(shù)后，有助于擴(kuò)大其GaN功率元件在高壓、大電流時的應(yīng)用範(fàn)疇。

　　富士通半導(dǎo)體近期在會津若松 （Aizu-Wakamatsu） 廠區(qū)建造了6吋晶圓的量產(chǎn)生產(chǎn)線，而GaN功率元件也將在2013年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。富士通今后將提供滿足客戶需求的功率元件、以及電路設(shè)計技術(shù)支援服務(wù)，藉以支援用途廣泛的低損耗、高整合度的電源供應(yīng)器。富士通半導(dǎo)體預(yù)計該GaN功率元件可在2015會計年度達(dá)到100億日元的銷售目標(biāo)。

　　富士通半導(dǎo)體將于2012年11月14-16日在太平洋橫濱會展中心（Pacifico Yokohama）舉行的2012嵌入式技術(shù)展（Embedded Technology 2012）中展示GaN功率元件。
?

　　有關(guān)氮化硅的（GaN）的介紹
?

　　GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。

　　GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。