非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 (Flash Memory) 與只讀存儲器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:1513 據(jù)最新報道,全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略,并計(jì)劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 美光科技股份有限公司近日宣布推出其增強(qiáng)版通用閃存(UFS)4.0移動解決方案,標(biāo)志著手機(jī)存儲技術(shù)的新里程碑。這一方案不僅具備創(chuàng)新的專有固件功能,還采用了業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型UFS封裝(9 x 13mm),為智能手機(jī)市場帶來了前所未有的性能提升。
2024-03-01 09:41:53160 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲器,存在于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動器和智能手機(jī)存儲等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝,支持Toggle DDR模式,數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400MB/s,將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。
2024-02-01 15:08:48361 據(jù)TrendForce估計(jì),2024年第一季度DRAM及
NAND閃存(
eMMC/
UFS)平均季度漲幅將達(dá)18%-23%,壟斷
市場或品牌廠商爭奪下,漲幅甚至?xí)摺?/div>
2024-01-08 10:23:051068 什么是SD NAND?它俗稱貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡,貼片式內(nèi)存卡,貼片式閃存卡,貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似,但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861 控制、移動設(shè)備等。在這些應(yīng)用中, SD NAND能提供高可靠性、高速讀寫、低功耗和高度集成等特點(diǎn), 為新一代的嵌入式存儲解決方案引領(lǐng)市場趨勢。
總結(jié)
對這款產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)總結(jié)為一下幾點(diǎn),其尺寸
2024-01-05 17:54:39
簡單地說,eMMC就是由“NAND FLASH+控制器+多媒體品接口”形成的初步嵌入式產(chǎn)品。它的誕生是為了簡化數(shù)碼設(shè)備內(nèi)存儲器的使用,用一顆芯片完成FLASH和控制器的集成,符合現(xiàn)在集成化的趨勢
2023-12-28 17:45:59323 UFS(Universal Flash Storage)即通用閃存存儲,是一種將Nand Flash和Flash controller 協(xié)議接口封裝在一起的存儲系統(tǒng)。主要用于數(shù)碼相機(jī)、智能電話等消費(fèi)
2023-12-22 16:21:318904 Flash Memory 是一種非易失性的存儲器,通常在嵌入式系統(tǒng)中用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等,類似于 PC 系統(tǒng)中的硬盤。目前,絕大部分手機(jī)和平板等移動設(shè)備中所使用的 eMMC 內(nèi)部的 Flash
2023-12-10 15:18:41514 展望2024年第一季,預(yù)估整體存儲器的漲勢將延續(xù),其中Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)合約價仍會續(xù)漲,漲幅則視后續(xù)原廠是否維持保守的投產(chǎn)策略,以及終端是否有實(shí)質(zhì)買氣支撐而定。
2023-12-01 16:08:04319 增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間,新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243 閃速存儲器 (Flash Memory)簡稱閃存器或閃存,是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory, NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash)和與非閃存
2023-11-23 09:36:17910 eMMC(Embedded Multi Media Card)是嵌入式多媒體卡的簡稱,主要是針對智能手機(jī)和平板電腦特點(diǎn)等設(shè)計(jì)的。它的實(shí)質(zhì)是在NAND Flash的基礎(chǔ)上增加了一個控制器,并預(yù)留了一個標(biāo)準(zhǔn)接口。
2023-11-18 14:42:152447 。CSNP4GCR01-AMW是一種基于NAND閃存和SD控制器的4Gb密度嵌入式存儲;而CSNP32GCR01-AOW是一種基于NAND閃存和SD控制器的32Gb密度嵌入式存儲。與原始NAND相比其具有
2023-11-15 18:07:57
最新的eMMC產(chǎn)品遵循JEDEC eMMC 5.1標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)定義了eMMC的通信信號、命令、內(nèi)部寄存器、特性,并為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供指導(dǎo)。它是工業(yè)應(yīng)用和汽車應(yīng)用的嵌入式存儲解決方案的理想選擇,這些
2023-11-14 16:21:52983 長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論:長江存儲是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:04531 訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289 但是,存儲芯片大企業(yè)的價格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報道說,已經(jīng)從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 需求方面,2023下半年移動DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash閃存(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動,華為Mate 60系列等也刺激其他中國智能手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo),短時間內(nèi)涌入的需求也成為推動第四季度合約價漲勢的原因之一。
2023-11-09 16:15:27336 三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場,穩(wěn)定NAND閃存價格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 四季度手機(jī)DRAM合約價季度漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash中,eMMC、UFS四季度合約價漲幅約10~15%。
2023-10-31 15:51:42107 中芯國際方面表示:“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn),已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 前言
嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SD NAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢,是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲擴(kuò)展方案的一個
2023-09-26 17:40:35
前言嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAWNAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SDNAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢,是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲擴(kuò)展方案的一個非常不錯
2023-09-26 17:39:36469 避難是在智能手機(jī)、電腦、數(shù)據(jù)中心等使用儲存裝置“nand閃存”的企業(yè),由于存儲器市場的需求減少,企業(yè)紛紛減產(chǎn),因此預(yù)計(jì)到2024年以后需求才會恢復(fù)。
2023-09-22 10:13:24683 Banana -Pi BPi-M5配備 16 GB嵌入式多媒體卡 (eMMC)。eMMC是由NAND閃存和簡單的存儲控制器組成的存儲。另外,它的速度超級快。Armbian是 Linux 的免費(fèi)開源
2023-09-14 17:58:23797 閃存芯片是非揮發(fā)存儲芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動電子產(chǎn)品的存儲應(yīng)用。
2023-09-11 09:32:31833 不同于一季度的疲軟,可以看到在 二季度存儲市場明顯有所回暖,打破自2022年二季度以來的連續(xù)下滑,重新恢復(fù)增長。 據(jù)CFM閃存市場分析, 2023年二季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 Banana -Pi BPi-M5配備 16 GB 嵌入式多媒體卡 (eMMC) 。eMMC是由NAND閃存和簡單的存儲控制器組成的存儲。另外,它的速度超級快。
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2023-09-04 09:10:19
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中,由于市場持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423 引言:因?yàn)镸MC接口允許輕松地與任何微處理器與MMC主機(jī)集成,并且嵌入式MMC控制器將Nand技術(shù)與主機(jī)隔離,所以對Nand的任何修訂或修改對主機(jī)來說都是不可見的,也不需要關(guān)注,所有這些都實(shí)現(xiàn)了更快
2023-08-15 11:49:145416 北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前,IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲市場跟蹤報告》,報告顯示,中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元,全閃存儲銷售額
2023-08-08 12:55:47716 日前,IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲市場跟蹤報告》,報告顯示,中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元,全閃存儲銷售額15億元,市場占比25%,混閃存儲銷售額38
2023-08-07 11:10:02327 據(jù)《電子時報》報道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:24762 對 NAND 存儲器的需求也大幅增加。從移動或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心,從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件, NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場景愈發(fā)多樣化,各種要求也隨之出現(xiàn),常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864 盡管NAND市況持續(xù)低迷,但供應(yīng)鏈傳出,長江存儲繼第2季率先調(diào)漲報價后,近期再度提升報價約5%,坐擁中國龐大內(nèi)需消費(fèi)市場,享盡主場優(yōu)勢。
2023-07-18 17:59:21797 NAND閃存,所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來降低閃存的每位成本,同時創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開研究,期望能夠擴(kuò)展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達(dá)到的最小節(jié)點(diǎn),但開發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486 UFS(Universal Flash Storage)是一種用于存儲的閃存標(biāo)準(zhǔn),而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲技術(shù),用于移動設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備中的非易失性存儲。
2023-07-18 15:00:0313543 UFS(Universal Flash Storage)是一種用于移動設(shè)備存儲的閃存存儲標(biāo)準(zhǔn)。UFS 3.1和UFS 4.0是UFS標(biāo)準(zhǔn)的不同版本,它們之間有一些顯著的差異。
2023-07-18 14:57:5758028 隨著密度和成本的飛速進(jìn)步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 了解eMMC芯片 eMMC芯片是一種集成了閃存存儲器和控制器的嵌入式多媒體卡(Embedded MultiMediaCard)芯片,其主要應(yīng)用于移動設(shè)備,如手機(jī)、平板電腦,可以用于存儲操作系統(tǒng)
2023-07-04 08:10:01589 eMMC 是 embedded MultiMediaCard 的簡稱。MultiMediaCard,即 MMC, 是一種閃存卡(Flash Memory Card)標(biāo)準(zhǔn),它定義了 MMC 的架構(gòu)以及訪問 Flash Memory 的接口和協(xié)議。
2023-07-03 15:52:382861 什么是UFS? UFS (UniversalFlashStorage) 是通用閃存存儲,是一種設(shè)計(jì)用于 需要最小化功耗的計(jì)算和移動系統(tǒng),例如智能手機(jī)和平板電腦等 消費(fèi)電子產(chǎn)品使用的閃存存 儲規(guī)范
2023-06-30 21:10:0216184 Nand Flash根據(jù)每個存儲單元內(nèi)存儲比特個數(shù)的不同,主要分為 SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell) 、 TLC(Triple-Level Cell)、QLC(Quad-Level Cell)四大類。
2023-06-30 12:20:23829 了解eMMC芯片 eMMC芯片是一種集成了閃存存儲器和控制器的嵌入式多媒體卡(Embedded MultiMediaCard)芯片,其主要應(yīng)用于移動設(shè)備,如手機(jī)、平板電腦,可以用于存儲操作系統(tǒng)
2023-06-29 08:44:33340 閃存存儲設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495201 eMMC芯片是一種集成了閃存存儲器和控制器的嵌入式多媒體卡(Embedded MultiMediaCard)芯片,其主要應(yīng)用于移動設(shè)備,如手機(jī)、平板電腦,可以用于存儲操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)和圖像等,eMMC芯片是否支持某種特定功能,取決于控制器和閃存芯片的規(guī)格和設(shè)計(jì)。
2023-06-28 15:32:11966 了解eMMC芯片
eMMC芯片是一種集成了閃存存儲器和控制器的嵌入式多媒體卡(Embedded MultiMediaCard)芯片,其主要應(yīng)用于移動設(shè)備,如手機(jī)、平板電腦,可以用于存儲操作系統(tǒng)
2023-06-28 15:21:00
了解eMMC芯片eMMC芯片是一種集成了閃存存儲器和控制器的嵌入式多媒體卡(EmbeddedMultiMediaCard)芯片,其主要應(yīng)用于移動設(shè)備,如手機(jī)、平板電腦,可以用于存儲操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序
2023-06-28 15:07:423849 了解eMMC芯片 eMMC芯片是一種集成了閃存存儲器和控制器的嵌入式多媒體卡(Embedded MultiMediaCard)芯片,其主要應(yīng)用于移動設(shè)備,如手機(jī)、平板電腦,可以用于存儲操作系統(tǒng)
2023-06-28 15:06:311682 了解eMMC芯片
eMMC芯片是一種集成了閃存存儲器和控制器的嵌入式多媒體卡(Embedded MultiMediaCard)芯片,其主要應(yīng)用于移動設(shè)備,如手機(jī)、平板電腦,可以用于存儲操作系統(tǒng)
2023-06-28 14:59:59
制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺和任何其他需要固態(tài)大容量存儲的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件
2023-06-21 17:36:325865 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 NAND 存儲器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價格提高 3%-5% 以試探市場反應(yīng),并表示 NAND 閃存的價格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒:蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114 更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度,適用于各種下一代移動應(yīng)用。鎧俠?UFS 產(chǎn)品性能的改進(jìn)使這些應(yīng)用程序能夠利用 5G 的連接優(yōu)勢,從而加快下載速度、減少延遲時間并改善用戶體驗(yàn)。 鎧俠UFS 4.0產(chǎn)品
2023-06-06 14:30:191526 來自全球ICT產(chǎn)業(yè)的相關(guān)企業(yè)、專家、從業(yè)者,超過1000家企業(yè)將參加此次盛會。 ? ? 展會期間,得一微電子展示了包含SSD存儲(PCIe/SATA)、嵌入式存儲(UFS/eMMC/SPI-NAND
2023-06-02 15:03:10577 持續(xù)推進(jìn)通用閃存存儲技術(shù)[1](UFS)的發(fā)展,Kioxia Corporation是全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商,今天宣布推出新一代高性能UFS Ver. 4.0嵌入式閃存存儲設(shè)備,并已開始進(jìn)行
2023-06-02 09:55:39416 在當(dāng)今智能設(shè)備的互聯(lián)世界中,我們希望更快地訪問我們的數(shù)據(jù),同時我們希望它得到保護(hù)并免受入侵者的侵害。閃存不僅速度更快,而且安全可靠,其化身為UFS - 通用閃存。此博客深入了解 UFS 設(shè)備的各種安全模式以及如何訪問它們。它還指出了如何使用加密來進(jìn)一步保護(hù)數(shù)據(jù)。
2023-05-26 15:29:051759 eMMC在移動設(shè)備行業(yè)中被廣泛采用為集成存儲。它在上述所有框中打勾,并在速度和功率之間提供了完美的權(quán)衡。eMMC 具有高速傳輸、低功耗、安全性、HPI 和存儲桶命令隊(duì)列中最新增加的性能,自該標(biāo)準(zhǔn)
2023-05-26 15:26:181070 以更低的成本獲得更高的存儲性能可能會在存儲設(shè)備的設(shè)計(jì)中造成瓶頸。為了實(shí)現(xiàn)更高的性能,設(shè)備必須使用片上DRAM,這增加了總體成本。這就是統(tǒng)一內(nèi)存擴(kuò)展(UME),JEDEC規(guī)范的出現(xiàn)。它被定義為 JEDEC UFS(通用閃存)規(guī)范的擴(kuò)展。JEDEC UFS設(shè)備使用NAND閃存技術(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲。
2023-05-26 14:22:28673 NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位,因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193 存儲設(shè)備已經(jīng)成為許多嵌入式應(yīng)用中不可缺少的組成部分。要選擇最優(yōu)的存儲介質(zhì),需要考慮應(yīng)用的具體需求。嵌入式應(yīng)用中最常用的存儲介質(zhì)包括NOR Flash、NAND Flash、SD/MMC卡、大容量存儲
2023-05-18 14:13:37
作為新一代突破性閃存1技術(shù)(Flash Memory),通用閃存存儲(UFS)擁有獨(dú)立的數(shù)據(jù)讀寫通道,可雙向同時傳輸數(shù)據(jù)。UFS是適用于嵌入式系統(tǒng)(Embedded Systems)2的若干閃存存儲標(biāo)準(zhǔn)之一,同時也指代按照該標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的產(chǎn)品。
2023-05-17 15:07:01404 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上,除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外,大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商,其去年推出的X-NAND第二代技術(shù),允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 、創(chuàng)意交匯的重要平臺。 ? 佰維團(tuán)隊(duì)與客戶合影留念 佰維在本屆大會展示 eMMC 、UFS、LPDDR、DDR、 ePOP/eMCP 等嵌入式存儲產(chǎn)品,以及智能電視、智能穿戴、手機(jī)/平板、物聯(lián)網(wǎng)等存儲解決方案。典型代表產(chǎn)品有: 佰維eMMC:穩(wěn)定流暢、超長壽命,助力智能電視暢享新視界
2023-04-20 11:22:16548 我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
前言嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SD NAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢,是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲擴(kuò)展方案的一個非常
2023-04-18 23:03:42
眾所周知,鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維(3D)垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH,讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時,鎧俠還是第一個設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796 據(jù)我所知,ESP32-D0WDR2-V3 有一個 2MB 的嵌入式 PSRAM,但只有 448KB 的內(nèi)部閃存。是否可以連接外部閃存(用于代碼和數(shù)據(jù))和 eMMC(僅存儲)并使三者(PSRAM+外部
2023-04-12 06:01:59
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn),同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器,因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
。UUU 工具使用此電纜將圖像閃存到 eMMC。以下是我嘗試刷入 eMMC 所遵循的步驟:1)將啟動開關(guān)設(shè)置為Serial Download(0001)2) 打開電路板并執(zhí)行命令 - “sudo uuu
2023-04-03 08:04:43
NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù),其中NANDFlash存儲器具有容量較大,擦寫速度快等優(yōu)點(diǎn)。它們的廣泛應(yīng)用就不用小編敲黑板了吧?然而,市場上流行的NANDFlash產(chǎn)品,尤其是
2023-03-31 10:34:54382 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 ,和UFS一樣,也是JEDEC制定的移動存儲協(xié)議,它是UFS前一代協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)。 eMMC最新標(biāo)準(zhǔn)是2015年發(fā)布的eMMC5.1,最高速度是400MB/s。JEDEC已經(jīng)有了UFS,不確定會不會再發(fā)
2023-03-29 11:08:56
大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對內(nèi)存使用有一些疑問: XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動,則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
eMMC Managed NAND閃存解決方案支持移動應(yīng)用程序
2023-03-28 16:16:20
板類型:NXP i.MX8MNano LPDDR4 EVK 板為什么 UUU qspi 寫入閃存不會導(dǎo)致 U-boot 以正確的啟動設(shè)置運(yùn)行并打開電源?請參閱下面的測試 1。使用 eMMC 存儲
2023-03-27 08:57:34
基于NAND閃存和SD控制器的4Gb密度嵌入式存儲 LGA8_6X8MM
2023-03-24 16:47:11
并行NOR閃存嵌入式存儲器
2023-03-24 14:01:23
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