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      LE25CB643TT-BH 64 kb SPI CMOS串行EEPROM

      數據：

      LE25CB643TT-BH是串行外設接口EEPROM（電可擦除和可編程ROM）。該器件采用高性能CMOS EEPROM技術，實現了高速和高可靠性。該器件與SPI存儲器協議兼容，因此最適合需要可重寫非易失性參數存儲器的應用。此設備具有32字節頁面寫入功能，用于高速數據重寫。
      高可靠性
      特性 優勢
      • 容量：64k位（8k×8位）
      • 寬工作電壓
      • 單電源電壓： 2.7V至5.5V
      • 低功耗
      • 接口：SPI Mode0和Mode3
        對應
      • 工作時鐘頻率：5MHz
      • 低功耗
        ：待機：3μA（最大）
        ：讀：1mA （最大）
        ：寫：3mA（最大）
      • Automa tic頁寫入模式：32字節
      • 寫循環時間：5ms
      • 擦除/寫入循環：10 6 周期
      • 數據保留期：20年
      • 高可靠性：采用專有的對稱存儲器陣列配置（USP6947325）
        具有禁止在低電壓條件下進行寫操作的功能。
      應用 終端產品
      • 需要可重寫非易失性參數存儲器的應用程序。
      • 消費類，無線，PC外設，每個產品都要求存儲非易失性記憶

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（2）
      元器件購買 LE25CB643TT-BH 相關庫存

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