NLAS5223B 模擬開關 雙SPDT 0.5歐姆
數據:
數據表:模擬開關,雙SPDT,超低0.5歐姆
NLAS5223B是采用亞微米硅柵CMOS技術制造的先進CMOS模擬開關。該器件是雙獨立單刀雙擲(SPDT)開關,具有0.5歐姆的超低RON,VCC = 3.0 V。該器件還具有保證斷路前(BBM)開關,確保開關不會使驅動器短路。 / div>
特性 |
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- NLAS5223B接口采用2.8 V芯片組,NLAS5223BL接口采用1.8 V芯片組
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- 高離子通道隔離,低待機電流,50 nA,低失真,RON平坦度為0.15歐姆
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應用 | 終端產品 |
- 手機音頻模塊
- 揚聲器和Earph一開關
- 振鈴音/芯片/放大器切換
- 調制解調器
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電路圖、引腳圖和封裝圖